Устройство для изменения фокусного расстояния
Патент 1048448
Авторы
Классы МПК
Устройство для изменения фокусного расстояния
Иллюстрации
Реферат
УСТРОЙСТВО ДЛЯ teMEНЕНИЯ ФОКУСНОГО РАССТОЯНИЯ, содержащее попупровс(цниковую ппастину с контактами, источник эпектрическо го напряжения и магнит, о т п и ч аю щ е .е с я тем, что, с цепью расши рения диапазона изменения фокусного расстояния и увепичения точности фокусировки , магнит снабжен средством для изменения напряженности магнитного потш, контакты выпоянены такой формы, что расстояние между ними по топшине пластины изменяется по пикейному закону, пластина содержит области с высокой скоростью рекомбинации на обеих поверхностях , расположенные между эпектроцами параллельно магнитным силовым пиниям . с: (Л
СОЮЭ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУЬЛИН у G 02 F 1/29
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
И ABTOPCHGMV СВИДЕЧ ЕЛЬСТВУ
i A
Ф С
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОЬРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 341 1024/18-25 (22) 23.03.82
{46) 15.10.83. Бюп. % 38 (72) А. П. Кривич и А. П. Медвидь (71) Рижский ордена Трудового Красного Знамени попитехнический институт (53) 535.8 (088.8) (56) 1. Авторское свидетепьство СССР
% 783744, кп. С 02 F 1/29, 05.02.79.
2. Авторское свидетепьство СССР
М 873198, кп. 5 02 Р 1/29, 25.01.80. (54) (57) УстРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕНЕНИЯ ФОКУСНОГО РАССТОЯНИЯ, I
„„SU„„1048448 А содержашее полулроводниковую ппастину с контактами, источник эпектрического напряжения и магнит, о т п и ч а ю щ е е с я тем, что, с цепью расширения диапазона изменения фокусного раостояния и увепичения точности фокусиров ки, магнит снабжен средством дпя изменения напряженности магнитного попя, контакты выпопнены такой формы, что расстояние между ними по топшине ппаотины изменяется по пинейному закону, ппастина содержит обпасти с высокой скоростью рекомбинации на обеих поверхностях, распопоженные межпу эпектроца ми паралпепьно магнитным сиповым пи ниям. щения вследствие того, что на 11оситепи заряда действует сила Лоренца, различная по толщине ппастинь1 1, и носители., находящиеся в попе действия более сильной сипы Лоренца быстрее поставляются к поверхности 4 пластины 1 и там рекомбинируют, чем носители, находящиеся в попе действия более слаб ой си пы Л орен да, Если направление носителей заряда не совпадает с направлением увеличения . сипы Лоренца, то вследствие набегания электронов друг на друга наблюдается эффект обога>пения, который уменьшается уменьшением сипы Лоренца. Значит в первом спучае проводимость полупроводниковой ппастины уменьшается, а во втором увеличивается, Таким образом, в результате перераопредепения электро>ц1о-дырочных пар по толщине пластины 1 возникает градиент концентрац>1и, направленный к центру ппастины при обогащении ипи к верхнему ипи нижнему основаниям цри истощении.
Изменение концентрации свободных носи телей заряда ве<дет к изменеяию показателя препомпения, т. е. к градиенту показателя предо>л>1е11ия противоположно
11аправпенного ИО сравllеци>о с градиентом
30 концентрац11п свободных носителей заряGQ
n= 3> - л„ где Š— диэлектрическая проницаемость полупроводнцка; — концептрация свободных носи35 телей заряда;
-* константа, зависящая от пара>. метров попупроводника и длины во IHbl электромагнитного и з луч ения.
40 При пропускании спабопогпо>цаемого света, т. е,. такого изучения, .энергия кванта которого меньше ширины запрещенной зона> попупроводника, в направпе нии OZ (см..чертеж), лучи откпоняются
45 в направлении роста градиента показатеп я пр е и ом пения и, таким обра зом, фокусируются (при истощении) ипи рассеивается (при обогащении).
Измерения проводят на попупроводяиSQ ковой пластине, выполненной из e .
Размеры кристалла х = 12 мм, 0 8 мм„
< концентрация эпектронов и цырок >>>;
-3 10 цсм . Температура окруя<ающей среды Т = ЗОО K.
Напряя<енность магнитного поля меняется от 0,1 до 1,0 Тп. Источник света С02 лазер (F = 10,6 мкм) мо>д1 1048448
Изобретение относится к оптике, в частности к устройствам дпя изменения фокусного расстояния оптических систем.
Известно устройство дпя изменения фокусного расстояния, содержащее . ппоскопараппепьную попупроводниковую ппастину из германия с двумя контактами и обпастями повы.шенной скорости рекомбинации, помешенну1о в струбцину (1 !, Недостатком устройства является низкая точность фокусировки изпучения.
Наибопее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому эффекту является устройство изменения фокусного расстоя1ия, содержащее полулроводниковую пластину с контактами, источник электрического напря>кения и магнит ) 2 j .
Недостатками устройства являются узкии диапазон изменения фокусного расстояния и низкая точность фокусиров1КИ, Цепь изобретения — расширение диапазона изменения фокусного расстояния и увеличение точности фокусировки.
Поставпенная цепь достигается тем, что в устройстве для изменения фокусного расстояния, содержащем попупроводниковую пластину с контактами, источник электрического напряжения и магнит, магнит снаб>кен средством дпя изменения напряженности магнитного поля, контакты выпопнень1 такой формы, что расстояние между ними изменяетсч 110 линейному закону и пластина содержит области с высокой скоростью рекомбинации на обеих йоверх= . костях, распопо>кенные между электро= дами параппепьно магнитным сиповым пиниям, На чертеже показана конструкция устройства.
Устройство содер>кит источник электромагнитного изпучения попупроводвико< вую пцастину 1 с эпектрическими контак тами 2, магнит 3, Пластина 1 имеет обпасти 4 с повышенной скоростью рекомбинации. Контакты 2 ппастины подк пючены к источнику 5 электрического напряжения.
Устройство работает следующим образом.
На полупроводниковую ппастину 1 с помощью электрических контактов накладывают градиентное электрическое поле и однородное управляемое магнитное попе. Если поток носителей заряда по направлению совпадает с возрастанием сипы Лоренца, то наблюдается эффект исто-.->
Таким образом прецложенное устройство ; обпацает бопьшими прецепами изменения фокусного расстояния при высокой точ ности фокусировки.
3 1048448 4 ностью 1 Вт, При напряженности магнит - пробою что ограничивает прецепы и точного поля 0,6-0,8 Тп и электрическом ность фокусировки. попе 25 В/см фокусное расстояние составпяет 0,5 м. B то же время цпя цостижения такого же расстояния в известных устройствах требовалось приложить попе 300 В/см, способные привести к
Составитепь А. Парфенов
Рецактор К. Вопощук Техрец И.Метелева Корректор В. Гирняк
Заказ 7928/53 Тираж 511 Подписное
ВИИИПИ Госуцарственнюв о комитета СССР по цепам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж35, Раушская наб., ц. 4/5
Фипиап ППП "Патент, г. Ужгороц, уп . Проектная, 4