Резистивный материал

Резистивный материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, включающий диоксид рутения и свинцовоборосиликатное стекло, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит полупроводниковое соединение общей формулы (,,,-) ( Со, Мг,-,) с, при следующем соотношении компонентов , вес.%: Диоксид рутения 30-40 Полупроводниковое соединение общей формулы 12-20 ( Ьа(,5 ОубУ 0, ,7 Свинцовоборосиликат .| Остальное ное стекло (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) )(Я) Н 01 С 7 00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTMA

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, " ::::::::,, !3 н Авторскому свюетельству (21) 3438940/18-21 (22) 14.05.82 (46) 15.10.83. Бюл. 9 38 (53) 621.316.8(088.8) (56) 1. Патент Великобритании

9 1130575, кл. Н 01 С 7/ 00, 1969. (72) Г.М. Иванов, Ю.П. Юсов, О.A.Тро- ицкая, В.П. Березина, Я. В Павлоцкий, Т.П. Ульянова и A ..О. блеск

2. Колдашов Н.Д., Красов В.Г., Петрова В.З., 1))утова Р.Ф. Толстолленочные резисторы на основе соедине« ния рутения. Сб. "Электронная техника", с.3, "Микроэлектроника", вып.5 (77), 1978, с. 97-105 (прототип). (54)(57) РЕВИСТИВНЫй МАТЕРИАЛ, вклю- чающий диоксид рутения и свинцовоборосиликатное стекло, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит полупроводниковое соединение общей формулы (L 1по ) г) при следующем соотношении компонентов, вес.%:

Диоксид рутения 30-40

Полупроводниковое соединение общей формулы (LRppqC8pp ) (Copy " о ) ; 12-20

Св инцовоборос ил и к ат— ное стекло Остальное . Е

Р, 1048523

Свойства резистивного материала

Соо тав, В

Состав резистивного -материала, вес. Ф

Сопротив,— ление, кОм

Свинцово боросили катное стекло

Температурный коэффициент сопротивления, 10 1/ С

Полупроводни ковое соединение (La + х х(Со. Mn . ). О

> \

Диоксид рутения при при ("60) - (+25) С 25 - 155 С

48 . 0,840

47 2,700

50 17;120

70, 2,050

+13

+25

40

-16

+14

37 —,24

-17

30

4 30

Прототип

+300

+380

Соо т ав ит ель Ю. Герас ичк ин

Редактор Т.Парфенова Техред Л. Микеш Корректор Г.Решетник

Заказ 7941/57 Тираж 703 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытиЯ

113035, Москва, Ж-35, ушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится. к электрон иой технике и может быть использовано в технологии изготовления постоянных и переменных резисторов и интегральных микросхем. ъ

Известен ре з истив ный материал, со- 5 держащий диоксид рутения и свинцовоборосиликатное стекло f13.

Недостаток известного резистивного материала состоит в высоком температурном коэФФициенте сопротивле- Ю ния.

Наиболее близким к изобретению является реэистивный материал, содержащий диоксид рутения и свинцовобо-, росиликатное стекло 2(. 15

Однако у известного. реэистивного материала высокий температурный коэффициент сопротивления.

Цель изобретения уменьшение температурного коэффициента сопротив-+ ления.

Цель достигается тем, что реэистивиый материал, включающий диоксид рутения и свинцовоборосиликатное стекло, дополнительно. содержит полу- 25 прородниковое соединение общей формулы (ЬазЗ Са ).(Созе 14по7) ОЗ при следующеМ соотношении компонентов, вес.%г

Диоксид рутения 30-40

Полупроводниковое соединение общей формулы (La gCa<><)

x(Co, Mn+ ) ° 01 12- 20

Св инцовоборосиликатное стекло Остальное

Для получения резистивного материала приготовляют три смеси компонентов.

В таблице приведены составы и свойства реэистивного материала.

Каждую смесь получают перемешиванием предварительно измельченных компонентов с органической связкой затем реэистивный материал наносят на керамические подложки методом сеткотрафаретной печати н обжигают на воздухе при 850-900 С с последующим нанесением контактивных площадоке

Изобретение позволяет уменьшить температурный коэффициент сопротивления реэистивного материала и noBtilсить стабильность изготовляемых на его основе резисторов.