Логический элемент

Логический элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1. ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий входной и инвертирующий транзисторы п-р-п-типа, три источника тока, первый из которых подключен к коллектору инвертирующего транзистора и выходу элемента, база входного транзистора подключена , к входу элемента, отличающийся тем, что, с целью увеличения помехоустойчивости , в него введены три диода, анод первого диода подключен к базе входногс транзистора, коллектор которого подключен , к шине питания, катод первого диода (соединен с вторым источником тока .и ан(дом второго диода, катод которого соединен с эмиттером входного транзистора и третьим источником тока, эмиттер инвертирующего транзистора через третий диод соединен с общей шиной, а база подключена к катоду первого диода. 2. Элемент по п. , отлинающийся тем что, с целью повышения быстродействия база и коллектор инвертирующего транзистора подключены к катоду nepsDro диода § соответственно через элемент сдвига уровня и четвертый диод. (Л

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТ ИЧЕОНИХ

РЕСПУБЛИН

3(50 Н 03 К 19/091

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OYHPblTHA (21) 3388570/18-21 (22) 28.01.82 (46) 23.10.83. Бюл, № 39 (72) С. Н. Лубянов и А. В. Сазонов (53) 621.375.083 (088.8) (56) 1. Алексенко А. Г. Основы микросхемотехники. M., «Советское радио», 1977, с. 19 — 23.

2. Валиев К. А., Дягилев В. Н., Лебедев В. И., Лубашевский А. В. Микромощные интегральные схемы. М., «Советское радио», 1975, с. 67, рис. 3.19 (прототип). (54) (57) 1. ЛОГИЧЕСКИР1 ЭЛЕМЕНТ, содержащий входной и инвертирующий транзисторы п-р-п-типа, три источника тока, первый из которых подключеи к коллектору инвертирующего транзистора и выходу элемента, база входного транзистора подключена к входу элемента, отличающийся

„„SU„„1050117 А тем, что, с целью увеличения помехоустойчивости, в него введены три диода, анод первого диода подключен к базе входного транзистора, коллектор которого подклю. чен к шине питания, катод первого диода

1соедииен с вторым источником тока .и анодом второго диода, катод которого соединен с эмиттером входного транзистора и третьим источником тока, эмиттер инвертирующего транзистора через третий диод соединен с общей шиной, а база подключена к катоду первого диода.

2. Элемент по п. 1, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия,: база и коллектор инвертирующего транзис- тора подключены к катоду первого диода соответственно через элемент сдвига уровня Я и четвертый диод. и

В

1! (1,>()

»ряжения ни нх»де логи и ского эл> мента табнли Illðó< тгя суммой палеHèé напряж>ннй на открь>гых эмнттернь>х Ill реходах нходнс>го н ннвертнрук»него 3 транзнсторов н .нервом 7 н третьем !О диодах.

Установившиеся таким образом входное напряжение соответствует уровню логической единицы.

Ь

Велнчнна выходного . напряжения, соответствующая уровню логического нуля, получается прн суммировании паденнй íà- 1р пряженнй на открытых эмнттерных переходах входного 1 н ннвертнрующего 3 транзнсторов .н вычитания нз полученной суммы падения напряжения на четвертом дноде 12.

Симметричность переключательной харак- 5 тернстнкн относительно линии переключемня и высокая крутизна этой характернс17

4 гнкн н области переклкч>епня л»гнчегког>! элемента обеспечивают высокук> помехо-: устойчивость предложенного лен и н скогс элемен ra. Для повышения бысч ролейст вия предлагаемого логического элс мента он содержит дополнительно элемент сдвига уровня 1! н цепь нелинейной обратной связи, образуемой четвертым днодом 10.

1 а к ям образом, предотвра щается насьпцеи> е ннвертнрующего транзистора.

Технико-экгтномнческнй эффект в преЯ- ложенном устройстве заключается в уве-, личении помехоустойчивости, что приводит к повышению надежностн работы в условиях помех, н в увеличении быстродействня, что приводит к увеличению производительности устройств, в состав которых входит пред- ложенный логический элемент.

Релакт<>р С. Лыжова

Закал 8461/56

Составитель А. Янов

Техред И. Верес Корректор А. Дзятко

Тираж 936 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

i 13035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент>, г, Ужгород. ул. Проектная, 4