Способ изготовления матриц для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках

Способ изготовления матриц для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на натяжении технологических струн, образований зева путем их разделения , прокладывании в образовавшийся зев проводника число.вой обмотки под углом к технологическим струнам , последовательном формовании витков числовых обмоток струнами путем образования обратного зева, перемещениисформированнкхзитков из зоны плетения , заливке компаундом и извлечении технологических струн, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления матриц для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках путем повышения геометрической точности и идентичности размеров числових обмоток и стабилизации 1ьага между разрялныьл обмоткам-, при последовательном форьювании витков числовых обмоток перемещают сформованные петли числовой обмотки к опушке сплетенного полотна при канодом шаге их формования, а несформованную часть проложенного в зев проводника числовой обмотки перемещают при этом параллельно его первоначальному положению на величину перемещения сформованных петель числовой обмотки при каждом шаге их перемещения,

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„ЯО„„1051583 А

3(51) G 11 С 5 02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ., К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

И

f0

8

5

4

2

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3476990/18-24 (22) 23.07.82 (46) 30.10 ° 83. Бюл. Р 40 (72) С.A.Koíîíåíêî и В.М.Кузьменко (53) 681.327,66(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

Р 282428, кл. G 11 С ll/14, 1969.

2. Авторское свидетельство СССР

9 474842, кл. G 11 5/02, 1973 (прототип), (54 ) (57 ) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦ

ДЛЯ ЭАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ HA ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГHHTHUX ПЛЕНКАХ, основанный на натяжении технологических струн, образований зева путем их разделения, прокладывании в образовавшийся зев проводника числовой обмотки под углом к технологическим струнам, последовательном формавании вит" ков числовых обмоток струнами путем образования обратного зева, перемещениисформированныхзитков из зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления матриц для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках путем повышения геометрической точности и идентичности размеров числовых обмоток и стабилизации шага между разрядныьи обмотками,г ри последовательном формовании витков числовых обмоток перемещают сформованные петли числовой обмотки к опушке сплетенного полотна при каждом шаге их формовання, а несформованную часть проложенного в зев проводника числовой обмотки пе- щ ремещают при этом параллельно его первоначальному положению на величину перемещения сформованных петель числовой обмотки при каждом шаге их перемещения.

1051583

Изобретение относится к нычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП).

Известен способ изготовления матриц для запоминающих устройств на

ЦМП, основанный на натяжении технологических струн, образовании зева путем их разделения, прокладывании в эев проводников числовых обмоток и формировании из них числовых обмоток путем закрытия зева, отделении сформиронанных обмоток от эоны плетения, заливке готовых обмоток компаундом и извлечении технологи- 15 ческих струн (11.

Недостатком способа является то, что формование проложенных в эев проводников числовых обмоток происходит всеми струнами однонременно, что приводит к возникновению значительных деформаций и уточнений формируемого пронодника, егo обрывам, нарушениям изоляции и стягиванию технологических струн по шагу. 25

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ изготовления матриц для запоминающих устройств на ЦМП, основанный на натяжении технологических >() струн, образовании зева путем их разведения, прокладывании в образовавшийся зев проводника числовой обмотки под углом к технологическим струнам, последовательном формовании нит- З5 кон числовых обмоток струнами путем образования обратного звена, перемещении сформонанных нитков из зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн.

Согласно изнестному способу натягинают в качестве основы технологи ческие струны, при помощи ремизок раздвигают струны для образования зепрокладыв ают в него с помощью $5 челнока проводники числовой обмотки под углом к технологическим струнам, после чего производят последовательное формование проводника с нтягиванием его свободного конца из более широкой части зева, переводя технологические струны в обратный зев для более полной формовки проводника (2).

Недостаток известного способа неравномерная формовка технологичес55 кими струнами проложенного в зен проводника. Это вызвано тем, что технологические струны при формовании проводника образуют нсе увеличивающийся обратный зев н направлении свободного конца проводника, что приводит к образо- 6() нию неодинаковых по размеру петель формируемого пронодника — минимальных в начале формовки и увеличивающихся к концу формовки. Неодинаковые по размеру петли, образующиеся и про- 65 цессе формонки проложенного ъ зев проводника, выэынают дополнительную деформацию сформированных петель при подбивке сформованного проводника к опушке сплетенного полотна, увеличение толщины сплетенного полотна и нарушение шага между ". трунами. При этом происходит также сжатие струнами петель этого проводника, что влияет на амплитуду магнитного поля внутри полувитка и, следовательно, на величину выходного сигнала, уровень помех и степень влияния числовых обмоток одна на другую; в результате чего снижается надежность матриц для запоминающего устройства.

Цель изобретения — повышение надежности изготовления матриц для запоминающих устройств на ЦМП путем повышения геометрической точности и идентичности размеров числовых обмоток и стабилизации шага между разрядными обмотками.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления матриц для запоминающих устройств на

ЦМП при последовательном формовании ниткон числовых обмоток перемещают сформованные петли числовой обмотки к опушке сплетенного полотна при каждом шаге их формования, а несформованную часть проложенного н зев проводника числовой обмотки перемещают при этом паралелльно его первоначальному положению на величину перемещения сформованных петель числовой обмотки при каждом шаге их перемещения.

Сущность предлагаемого способа заключается в том, что на специаль" ном устройстве натягивают в качестве основы технологические струны, разводят их для образонания вена, прокладывают в образонавшийся зев проводник числовой обмотки под углом к технологическим струнам, послецонатель-. но переводят струны в обратный зев„ после перевода каждой технологической струны в обратный зев перемеща"ют сформонанную этой струной петлю обмотки к опушке сплетенного полотна, а несформованную часть проводника н зеве перемещают при этом параллельно его первоначальному положению на величину перемещения сформированных петель при каждом шаге их геремещения и повторяют зти операции до полной формовки проложенного в зев проводника.

На фиг. 1 приведено Расположение проводника в зеве после его формовки на первом шаге (второй технологической струной); на фиг. 2 — разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 — расположение проводника в зеве после его формовки на втором шаге (четнертой технологической струной); на фиг. 4 — разрез

1051583

Б-Б на фиг. 3; на фиг. 5 — расположение проводника в зеве после его формонки на последнем шаге (двенадцатой технологической струной); на фиг.б разрез В-В на фиг. 5.

На фиг. 1-6 обозначены технологические струны 1 — 12, проводник 13 чис. ловой обмотки, гребенка 14.

Изготовление матриц для запоминающих устройств на цМП по предлагаемому способу осуществляют следующим образом.

Смещают технологические струны 2, 4, 6, 8, 10 .и 12 с помощью ремизок (не показаны) вверх для образования зева и прокладывают в образованший- 5 ся зев под углом о(. к технологическим струнам проводник 13 числовой обмотки. Для образования первой петли формуемого проводника 13 переводят технологическую струну 2 в обратный эев (фиг. 1 и 2). При этом величина образующейся петли Ъ„ минимальная, так. как обратный эев в месте ее формовки также минимальный. Сформованную первую петлю числовой обмотки перемещают с помощью гребенки 14 к опушке сплетенного полотна. Одновременно с перемещением первой сформованной петли перемещают н зене несформованную часть проводника 13 числовой обмотки параллельно своему первоначальному положению на величину, определяемую величиной перемещения сформованной первой петли проводника.

Перемещение сформованной петли 35 проложенного в зев проводника к опушке сплетенного полотна и одновременное перемещение несформованной части проводника параллельно своему первоначальному положению осу-40 ществляют с помощью гребенки 14 специальной формы, которую при каждом шаге перемещения смещают по струнам в направлении свободного конца проложенного в зен проводника. 45

Затем производят формовку следующей петли проложенного в эев проводника 13 переводом технологической струны 4 в обратный зев. Петля h ггроводника, сформованная технологической струной 4 на втором шаге формовки (фиг. 3 и 4), ранна петле проводника, сформованной технологической струной 2 на первом шаге формовки, так как условия формонания петли технологической струной 4 аналогичны условиям формования петли технологической струной 2 (перед формонкой петли на втором шаге формируемый проводник 13 перемещается параллельно своему первоначальному положению в зону формовки, где технологическая струна 4 образует обратный зев, ранный по величине обратному зеву, образованному технологической струной

2 на первом шаге формовки).

После формовки проводника технологической струной 4 перемещают сформованную петлю к опушке сплетенного полотна, а несформонанную часть проводника 13 перемещают параллельно его предыдущему положению еще на один шаг, Перемещение сформованных петель к опушке сплетенного полотна и несформованной части параллельно своему . предыдущему положению производят после перевода каждой четной технологической струны и обратный эев.

Положение проводника 13 в зеве, сформонанного последней технологической струной 12, показано на фиг. 5 и 6.

Условием параллельного перемещения несформованной части проложенного в зев проводника является сохранение угла между проложенным н зеве проводником и опушкой сплетенного полотна постоянным.

Таким образом, перемещение каждой сформованной петли к опушке сплетенного полотна и перемещение несформаванной части проложенного в эен проводника при каждом шаге перемещения параллельно своему первоначальному положению на величину перемещения сформованных петель при каждом шаге их перемещения повышает геометричес— кую точность и идентичность размер числовых обмоток, стабилизирует шаг между разрядными обмотками, что, в свою очередь, повышает однородность электрических и магнитных параметрон числовых обмоток. и надежность матриц для запоминающих устройств на ЦМП.

1051583

1t

8 у

5 д

2 !

ВНИИПИ Заказ 86 75/50

Тираж 594 Подписное

Филиал ППП "Патент, г.Ужгород,ул. Проектная,4