Контактное устройство для испытания интегральных микросхем

Контактное устройство для испытания интегральных микросхем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

КОНТАКТНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИСПЫТАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, содержащее диэлектрическое основание , контактные элементы, прижим и эластичную прокладку, расположенную между основанием и прижимом. отличающееся тем, что, с целью повышения надежности в работе в условиях вибрационных и ударных нагрузок, в эластичной проклад-. ке выполнено установочное гнездо для корпуса микросхемы, прижим выполнен в виде диэлектрической планки с ограничительными упорами из изоляционного материала, а основание - из эластичного материала, жесткость которого в 2-3 раза больше жесткости материала эластичной прокладки, причем контактные элементы расположены на эластичной прокладке со стороны выводов микросхемы . (Л с 0 00

СОЮЗ GOBETCHHX

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И) 3(5)) Н 05 К 7/12; Н 0 К 1/18

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

° -, --,Ü

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3376190/18-21 (22) 29.12.81 (46) 15.12.83. Бюл. )) 46 (72) (0.Н. Крылов (53) 621.317.752.002.5(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

Р 466632, кл. H 05 К 7/12, 1975.

2. Авторское свидетельство СССР

)) 528007, кл. Н 05 К 1/18, 1974. (54)(57) КОНТАКТНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ

HCIlbITAHIM ИНТЕГРАЛЬНЫХ МНКРОСХКМр содержащее диэлектрическое основание, контактные элементы, прижим и эластичную прокладку, расположенную между основанием и прижимом, отличающееся тем,что, с целью повышения надежности в работе в условиях вибрационных и ударных нагрузок, в эластичной прокладке выполнено установочное гнездо для корпуса микросхемы, прижим выполнен в виде диэлектрической планки с ограничительными упорами из изоляционного материала, а основание — из эластичного материала, жест-кость которого в 2-3 раза больше жесткости материала эластичной прокладки, причем контактные элементы расположены на эластичной прокладке со стороны выводов микросхемы.

1081300

Изобретение относится к испытательной технике, в частности к контактным устройствам для испытания

>ликросхем на ударные нагрузки со съемом информации в процессе воздействия импульса ударного ускорения.

Известно устройство для подключения выводов микросхем, содержащее диэлектрический корпус, разделительную гребенку, прижим, токовые контакты Ц .

При использовании этого устройства в испытаниях микросхем на ударные нагрузки со съемом информации в процессе воздействия импульса удар 15 ного ускорения высокой интенсивности (порядка 10(и/c) происходит деформация и повреждение выводов микросхемы в результате тоro, что корпус >ликросхемы не з .<реплен и 20 прИ ударе перемещается, а выводы микросхемы деформируются и прини>лают зубчатую фор>лу токового контакта, так как прижим не имеет ограничительных упоров. Все это ограни- 25 чивает эксплуатационные воз>ложности такого устройства .

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является устройство для испытания интегральных микросхем, содержащее диэлектрическое основание, контактные элементы, прижим и эластичную прокладку, расположенную между основанием и при><имом f2) .

Недостатком данного устройства является то, что при испытапиях интегральных микросхем на ударные нагрузки происходит деформация и повреждение выводов микросхемы.

Цель изобретения — повышение на- 40 дех<ности в работе в условиях вибрационных и ударных нагрузок.

Поставленная цель достигается тем, что в контактном устройстве для испытания интегральных микро- 45 схем, содер>хащим диэлектрическое основание, контактные элементы, прижим и эластичную прокладку, расположенную между основанием и прижимом, в эластичной прокладке выпол- 50 нено установочное гнездо для корпуса микросхемы, прижи>л выполнен в виде диэлектрической планки с ограничительными упорами из изоляционного материала, а основание — из 55 эластичного материала, жесткость которого в 2-3 раза больше жесткости материала эластичной прокладки, причем контактные элементы расположены на эластичной прокладке со стороны выводов микросхемы.

На фиг. 1 схематично изображено предлагаемое контактное устройство для испытания интегральных микросхем на ударные нагрузки, на фиг. 2 разрез Л-А на фиг. 1 (с ослабленны- 65 ми винтами); на фиг. 3 — разрез Б-Б на фиг. 1 (c поджатыми винтами) .

Контак тн ое устройство содержит диэлектрическое основание 1 из эластичного материала выводов 2 микросхемы 3, прижим в виде диэлектрической планки 4 с ограничительными упорами 5 и с выемками б. Диэлектрическая планка 4 снабжена эластичной прокладкой 7 с установочным пазом

8 под микросхему 3 и с токовыми контактами в виде токовых дорожек 9 с выводами 10. Основание 1 крепится на торце 11 ударного стержня 12 известным способом.

Корпус микросхемы 3 устанавливают в выемки б также, чтобы планарные выводы 2 легли на токовые дорожки 9.

Эатем диэлектрическую планку 4 вместе с микросхемой 3 устанавливают на торец 11 ударного стержня 12. Планарные выводы 2 ложатся на эластичное основание 1. Таким образом, планарные выводы 2 верхней поверхностью контактируют с токовыми дорожками 9, а ни><ней поверхностью — с эластичным основанием 1, жесткость которого в 2-3 раза больше жесткости эластичной прокладки 7. Между верхней поверхностью корпуса микросхемы

3 и поверхностью эластичной прокладки 7 в пазу 8 имеется зазор 13, а также имеется зазор (не показан) больший зазора 13 ме»<ду ограничительными упорами 5 и торцом 11.

С помощью двух винтов 14 и диэлектрической планки 4 сжимается эластичная прокладка 7, обеспечивая необходимое давление на токовые дорожки 9 и на корпус микросхемы 3. В первую очередь прижимаются токовые дорожки 9 к планарным выводам 2, а последние в свою очередь — к эластичному основанию 1, затем по мере затя><ки винтов 14 .выбирается зазор 13, и эластичная прокладка 7 плотно прижимает корпус микросхемы

3 к торцу 11 ударного стержня 12.

В последнюю очередь выбирается зазор между торцом 11 и ограничительными упорами 5, обеспечивая необходимое давление на корпус микросхемы.

После этого диэлектрическая планка

4 плотно прижата к торцу 11 ударного стержня 12, обеспечивая постоянное давление токовых дорожек на планарные выводы микросхемы, а также на корпус микросхемы 3.

Так как жесткость эластичного основания больше жесткости эластичной прокладки 7, то сжатию подвергается в основном эластичная прокладка 7, а сжатие эластичного основания 1 незначительно, в противном случае наблюдается значительное перемещение выводов 2 относительно корпуса микросхемы 3 в результате вдав1061300 ливания выводов 2 в эластичное осно= вание 1.

Выводы 10 контактного устройства известным способом соединяют электрически с проверочным. электронным устройством (не показано).

При генерировании ударной волны в ударном стержне 12 корпус микросхемы

3, прижатый к торцу 11 ударного стержня 12, подвергается ударной нагрузке, в то время как планарные 10 выводы 2 и токовые дорожки 9, контактирующие друг с другом, защищены механическими фильтрами эластичного основания 1 и эластичной прокладкой

7, которые гасят ударную волну, 15 воздействующую на корпус микросхемы

3. Это предотвращает возникновение колебательного процесса выводов 2 и токовых дорожек 9, в результате которых может быть нарушение контак- >0 тирования. Кроме того, диэлектрический корпус в виде эластичного основания, диэлектрическая планка с элас. тичной прокладкой могут подвергаться высокоинтенсивным ударньм перегрузкам (порядка 10 м/c ) без видимых нарушений целостности контактного устройства, что выгодно отличает его от известных.

В предлагаемом устройстве деформация выводов микросхем исключена даже при воздействии ударных нагрузок за счет того, что выводы расположены между эластичными материалами, а токовая дорожка на эластичной прокладке выполнена либо методом напыления, либо приклеиванием дорожек из фольги с подпаянными вертикальными выводами. Кроме того, ограничительные упоры диэлектрической планки исключают ее переме- 40 щение в процессе ударных нагрузок, сохраняя постоянное давление на выводы микросхемы, чего нет в известных устройствах.

Таким образом, в отличие от из- 45 вестных в предлагаемом устройстве сключены деформация и колебательный процесс выводов испытуемых микрс схем, что повышает надежность контактирования и позволяет проводить испытания интегральных микросхем

50 на ударные нагрузки большой интенсивности (до 10 м/с ) с объемом информации (под электрической нагрузкой) в процессе воздействия импульса ударного ускорения. Все это рагширяет эксплуатационные возможности предлагаемого устройства, так как позволяет проводить испытания интегральных микросхем не только в статике, но и в динамике.

Применение устройства в космических аппаратах, в радиоэлектронных приборах и устройствах различного азначения приводит к необходимости овышения их потенциальной надежности, так как в реальных условиях эксплуатации они подвергаются воздействию интенсивньх ударных нагру зок. Воздействие удара на интегральных микросхемах проявляется либо в нарушении механической прочности интегральных микросхем, либо в функциональном отклонении его эксплуатационных характеристик, поэтому конструкция ИМС должна быть достаточно ударопрочной, чтобы выдерживать заданный уровень ударного воздействия, и удароустойчивой, т.е. нормально функционировать во время и после воздействия ударной нагрузки. ударопрочность и удароустойчивость определяют основные виды ударных испытаний, проводимых на стадиях проектирования, отработки, промышленного освоения и эксплуата-:ции интегральных микросхем.

Предлагаемое контактное устройство по з вол яе т проводить испытан и я интегральных микросхем на ударные воздействия под электрической нагрузкой, т.е. позволяет производить съем информации в процессе воздействия импульса ударного ускорения, Такие испытаний ИМС наиболее информативны, так как они приближены к реальным условиям эксплуатации ИМС.

Кроме того, испытания ИМС на ударные нагрузки со съемом информации на стадии их проектирования повышают надежность НМС, а следовательно, их качество, и сокращают технологические потери.

) Об 1 ЗО(1

Ф 4

Р

*. . м

42

ЦРиг. 2

11

Составитель Е. Гаврилова

Редактор И. 81выдкая Техред Л1.Тепер Корректор и, Зрцсии

Заказ 10()62/59 Тираж 845 Подписное

1111ИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1130 35, Москва, 1(-35, Раушскря наб., д. 4/5

1 инна ч 1И1(1 "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4