Способ поточного формирования растилен для проращивания семян

Способ поточного формирования растилен для проращивания семян

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ПОТОЧНОГО ФОРМИРбВАНИЯ РАСТИЛЕН ДЛЯ ПРОРАЩИВАНИЯ СЕМЯН, включающий перемещение растилен , дозирование субстрата, послойное нанесение субстрата в растильни. послойное выравнивание его, увлаж .-нение струйным душированием и высев семян перед нанесением верхнего .слоя субстрата, отличающийс я тем, что, с целью его упрощения с возможностью упорядочения высева семян по шагу при селекционной работе, перемещение растилен осуществляют дискретно, послойное нанесе1ние субстрата осуществляют с толщиной каждого слоя субстрата, крат-. ной толщине верхнего слоя его, а на поверхности предпоследнего слоя образуют лунки для семян струйным .душированием.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ соцИАлистичесних

РЕСПУБЛИК

И50. A ...G 9/08

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3329826/30-15 (22) 27.07 81 (46) 30..12. 83 ° Бюл. М 48 (72) - В. М ..Болотин, A °П,ЗИнченко, Ю,.С Люперсольский и Н. Г. Финкель" берг (53) 633. 33 (088 8) (56) 1.Заявка на Патент Японии 9 49-6923, кл. A Ol С, 9/08, 1974 (54) (57) СПОСОБ ПОТОЧНОГО ФОРМИРОВАНИЯ PACTHJIEH ДЛЯ ПРОРАЦИВАНИЯ

СЕМЯН, включающий перемещение растилен, дозирование субстрата, послойное нанесение субстрата в растильни, „„SU„„063330 А послойное выравнивание его, увлаж..нение струйным душированием и нысев семян перед нанесением верхнего слоя субстрата, î .т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью его упрощения с воэможностью упорядочения высева семян по шагу при селекционной работе, перемещение растилен осуществляют дискретно, послойное нанесе ние субстрата осуществляют с толиной каждого слоя субстрата, крат-. ной толщине верхнего слоя его, а на поверхности предпоследнего слоя образуют лунки для семян струйным ,душнрованием.

1063330, 10

Составитель Л.Лебедев

Редактор И,Ковальчук Техред М.Кузьма Корректор Л,Патай

БЬказ 10389/2 Тираж 721 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская иаб °, д 4/5

Филиал ППП Патент,;г, Ужгород, ул, Проектная, 4

Изобретение относится к подготов. ке и укладке субстрата в растильни для проращивания семян, например хлопчатника, в лабораторных условиях.

Известен способ поточноro формирования растилен для проращивания семян, включающий перемещение растилен, дозирование субстрата, послойное нанесение субстрата в растиль° ни, послойное выравнивание его, увлажнение струйным душированием и высев семян перед нанесением верхнего слоя субстрата 11 ).

Недостатком известного способа являются сложность его технологии и невозможность использования для селекционных работ.

Цель изобретения — упрощение с возможностью упорядочения высева семян по шагу при селекционной ра,боте» укаэанная цель достигается тем, что перемещение растилен осуществляют дискретно, послойное нанесение субстрата осуществляют с толщиной каждого слоя субстрата, кратной толщине верхнего слоя его, а на поверхности предпоследнего слоя образуют лунки для семян струйным душиров анием °

Способ осуществляют следующим об- 30 разом.

Субстрат из весового или объемного доэатора поступает порциями в приемник-распределитель, Каждая порция равна по массе М/ь где М вЂ” вся масса субстрата, подлежащая укладке в растильню, à h — количество слоев, каждый из которых по величине равен массе верхнего слоя, укладываемого. над семенами, Например, для проращивания семян хлопчатника в растильне n = 3-слоям, иэ которых два слоя укладываются под семенами, а один над семенами, Затем перемещают растильню вдоль ее длинной стороны .

При этом из.приемника-распределителя субстрата (для хлопчатника сухой песок) поступает в растильню и одновременно формируется слой субстрата с выравненной поверхностью и заданной толщиной, затем растильня со сфэрмирэванным слоем субстрата устанавливается под душирующим устройством дозатора воды, где производится равномерное увлажнение по всей поверхности слоя одновременно при давлении струй 3,0-5,0 атм, При этом на один слой субстрата выдается масса воды, равная 1/и части общей массы при заданной влажности субстрата. При указанном да": влении на поверхности слоев образуются хорошо заметные лунки, в которые перед укладкой верхнего слоя производят высев семян °

В предлагаемом способе упрощается технология путем проведения большей механизации работ.