Способ записи скрытого изображения на галогеносеребряном фотоносителе

Способ записи скрытого изображения на галогеносеребряном фотоносителе

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ЗАПИСИ СКРЫТОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ГАЛОГЕНОСЕРББРЯИОМ (О1;0 {ОСИТЕЛЕ, включакикий его экспонирован ё В импульсном электрическом поле, о т л и ч а ю щи и с я тем, чтр, с целью повышения чувствительности и надежности записи время нарастания переднего фронта импульсов поля ВЕлбйрают не менее чем в два раза меньшим времени электрической поляри зации фотоносителя при амплитудном значении поля 2,-4-10°В/см. i 10 so so tfff 30 20 to (Л с ,HC

(l9I 01).

СОЮЗ СООЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЦНИХ

РЕСПУБЛИН

Зар а-03 С 42

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 1

N.

ЮСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР..:

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТЙРЬП ИЙ

Н ASTOPCHOMV CSNQETEflbCT9V (21 I 3406817/28-12

j22) 01 .03 ° 82 (46) 30 ° 12 .83. Бюл. В 48 (72) А.Я Дющенко, Н.П.Калащвиков, .S.Ä.Лемешево и .М.В.Тужиков .

-(71). Московскйй ордена Трудового Красного Знамени инженерно-физический институт (53) 772.93(088,8). (56) 1.,Беляев I .È.;. Ковтун A.Ä., Макаров Ю.И. и др .: "Измерение свето- . чувствительности фотографических слоев в электрическом поле", ИНПФиК, 1972,. 24, В 4, с. 241-245. (54)(57) СПОСОБ ЗАПИСИ СКРЫТОГО

ИЗОБРАЖЕНИЯ HA ГЬЛОГЕНОСЕРЕБРЯНОИ

ФОТОНОСИТЕЛЕ, включающий его экспонирование в импульсном электрическом поле,, от л.и ч а ю ц и и с я тем, что, с целью повышения чувст-.. вительности и надежности записи время нарастания переднего фронта импульсов поля выбирают не менее чем в два раза меньшим времени электрической. поляризации фотоносителя при амплитудном значении поля 2«4 10 В/см.

1064265

Изобретение относится к фотографии и может быть применено для регистрации информации, например для фоторегис рации сигналов быстропро« текающих процессов с экранов осциллографов.

Известен способ записи скрытого иэображения на галогеносеребряном, фотоносителе, включающий его экспонирование в импульсном электрическом поле, Скрытое изображение получают на крупнозернистой фотопленке,расположенной.между двумя электродами, один as которых прозрачен. В момент экспонирования импульсным источником света на электроды подают импульс- 15 ное напряжение, создающее электрическое ноле между электродами до

6 10 В/см (1) .

Недостатками известного способа являются нестабильность эффекта поля,2й что снижает качество фотографического иэображения, и большое амплитудное значение напряженности поля, которое может вызвать электрический про ой фотопленки и в результате за« светку кадра и выход из строя стеклянного электрода.

Цель изобретения - повышение чувствительности и надежности записи при регистрации световых сигналов ма.Лой длительности и яркости.

Поставленная цель достигается тем,- что согласно способу записи скрытого изображения, на галогеносеребряном фотоносителе, включающему его экспонирование в импульсном электрическом поле, время нарастания переднего фронта импульсов поля выбирают не менее чем в два раза меньшим времени электрической по- 40 ляризации фотоносителя при амплитудном значении поля 2-4 106В/см.

Сущность изобретения заключается в .установлении дополнительного опре,деляю его параметра электрическогс импульса, а именно длительности пе45 реднего фронта или скорости нараста«ния напряженности поля.

На чертеже изображена зависимость коэффициента увеличения чувствительности 5 5 для различных фотоматериалов от длительности переднего фронта cq . при фиксированном значении амплитуды импульса.

С ростом величины Р эффект поля уменьшае=ся и полностью исче- 55 зает при > 200 нс. Получить

<20 нс затруднительно, так как эта величина близка к теоретическоф

Му пределу для современных генераторов импульсов высокого напряже-, 6p

/\ ния у 4 Lc где С - емкость системы электродов с расположеннсй внутри фотопленкой (С 10 пФ, л индуктивность линии(410 Hf), Длительность заднего фронта составляет величину порядка 1 мкс.

Физическую основу явления, на котором строится предлагаемый способ, составляет лавинное размножение электронов в кристаллах галогенида серебра под действием электрического поля. Развитие электронной лавины в веществе имеет пороговый характер. Пороговое значение напряженнос-. ти Е может быть определено из соотношения где bU - энергия связи электрона, - длина-свободного пробега .электрона в галогениде, E - относительная диэлектрическая проницаемость галогенида и желатины, 8. - заряд электрона.

В реальных случаях В 2 ° 10 см, E 4, АО- = 1-3 эЕ (меньшее значение - энергия связи электрона в серебряном кластере, большее — ширина запрещенной зоны галогенида). Это дает для пороговой напряженности зна- чение Е = 2 — 6 ° 106В/см.

Повышение чувствительности сенсибилизированных эмульсий наблюдается при напряженности, превышающей

2 - 106 В/см, хотя эта величина зависит от ряда параметров эмульсии, напри мер от размеров микрокристаллов. Однако повышать амплитудное значение поля вьнае 4 10 В/см нецелесообразно, так как процесс усиления изображения в этом случае сопровождается резким ростом фотографической вуали, что снижает качество изображения. Если микрокристалл галогенида серебра поместить во внешнее электрическое поле постоянной величины, то внутреннее поле релаксирует до нуля. Это связано с движением междуузельных ионов серебра, концентрация которых довольно. высока. Перемещение ионов приводит к образовании на краях микрокристалла поляризационных заря-. дов, полностью компенсирующих во внутренней области микрокристалла приложенное внешнее поле. !

Опережение электрическим импульсом светового на 0,2 мкс полностью убирает эффект поля, т.е. внутреннее поле релаксирует в течение

0,2-0,3 мкс. Одна и та же амплитуда напряженности внутреннего поля может быть достигнута при различных амплитудах внешнего поля путем изменения длительности фронта, Оптимальным представляется использование электрических импульсов с 10б4265

Составитель В.Аксенов

ТехредИ.Гергель Корректор о.Билак

»»»»»»»»»»»»»»»»»»»»»»» »» »»

Тираж 473 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

: по делам изобретений и открытий

113035, Москва,, й-35, Раушская наб., д. 4/5

»»»»»»»»»»»»»»»»»»»»в»»»»»»»»

Филиал ППП "Патент", r, Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор A.Огар

»»»»»»»»»

Эаказ 10529/49 амплитудой напряженности íà 30-50% ,ниже.вызывающих прсбой Е, 2-4 1УВ/см и передним фронтом а30-50 нс, достигаеваим современнымн генераторами импульсов высокого напряжения, что примерно в два-три раза. меньше вре+.. мени ионной поляризации кристаллов галогенида серебра . .Способ осуществляют следукщим образом.

Фотопленку помещают между даумя, электродами, один as которых прозрачен, экспонируют через прозрачный: электрод и подвергают эоздейстзив электрического импульса указанных параметров Точная синхронизация световой вспыики и электрического импульса не требуется, фотоматериал "помнит" о воздействии света в течение 10 с, что упрощает работу устройства, реализукицего способ.

Воздействие .электрического поля приводит к повышению плотности ..почернения негатиэа, соответствукщей увеличению,чунствительностн крупно- зернистых сенсибилизированных фотоматериалов в 20-30 раз а мелкозер нистых s 5-6 раз..