Устройство подключения транзисторов с однонаправленными выводами к измерительному блоку

Устройство подключения транзисторов с однонаправленными выводами к измерительному блоку

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

УСТРОЙСТВО ПОДКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ С ОДНОНАПРАВЛЕННЫМИ ВЫВОДАМИ К ИЗМЕРИТЕЛЬНОМУ БЛОКУ,, содержащее контактный модуль с взаимосимметричнымк э иттерными коллекторным контактами, выполненными в виде экранированньгх вводов, и с базовокорпусной контактной группой, подключакщую головку, выполненную в виде Ш-образной подпружиненной колодки с подпружиненными клавишами, установленными в ней симметрично относительно ее средней полки-экрана, элек1 эически соединенного с опорноконтактной пластиной для базового вывода транзистора и базово-корпусной /контактной группы, и крышек с окнами, в которых размещены элранированные вводы эмиттерного и коллекторного контактов, отличающ е ее я тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей за счет повышения верхнего предела его сверхвысокочастотного диапазона, каждый экран эмиттерного и коллекторного контактов снабжен пружинной .изогнутой пластиной,которая электрически соединена с ним с возможностью контактирования со средней полкойэкраном Ш-образной колодки, a базовокорпусная контактная группа выполнена в виде П-образной скобы с контактными площадкаю на ее вертикальных полках, которая установлена в плоскости, перпендикулярной средней полке-экрану Ш-образной колодки, симметрично относительно нее и упругого контакта, расположенного между контактнйми площадками П-образной скобы. О5 4ib 00 00

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

««««««««

РЕСПУБЛИК (19) (И) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

«

flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ «" " «« «

П-, И ««

ТЕХЬ." --.

ВИ«, .Л ; . ;. .:. .. (21 ) 34 16 758/18-2 1

: (22) 26.03.82 ,(46}30.12.83. Бкл. Ф 48 . (72) A.Ã. Кузнецов и В.A. Борщ (53)621.317.752.002.5(088 ° 8) (56)1. Авторское свидетельство СССР Р 557436, кл. Н 01 L 21/66,04.03.75.

2. Авторское свидетельство СССР (1 572862, кп. Н 01 L 21/00,05.09.75 (прототип). (54)(57) УСТРОЙСТВО ПОДКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ С ОДНОНАПРАВЛЕННЫМИ ВЫВОДАИИ К ИЗМЕРИТЕЛЬНОМУ БЛОКУ,. содержащее контактный модуль с взаимосим: метричными эмиттерйым и коллекторным контактами, выполненными в виде экранированньис вводов, и с базовокорпусной контактной группой, подключакщую головку, выполненную в виде Ш-образной подпружиненной колодки с подпружиненными клавишами, установленными в ней симметрично относительно ее средней полки-экрана, электрически соединенного с опорноконтактной пластиной для базового

3(5пН 05 К 1/11; Н 01 L 21/00 вывода транзистора н базово-корпус-. ной «контактной группы, и крышек с окнами, в которых размещены экранированные вводы эмнттерного и коллекторного контактов, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей .за счет повышения верхнего предела его сверхвысокочастотного диапазона, каждый экран эмиттерного и коллекторного контактов снабжен пружинной, изогнутой пластиной, которая электрически соединена с ним с возможностью контактирования со средней полкойэкраном Ш-образной колодки, а базовокорпусная контактная группа выполнена в виде П-образной скобы с кон- Е тактными площадками на ее вертикаль- ных полках, которая установлена в плоскости, перпендикулярной средней полке-экрану Ш-образной колодки, симметрично относительно нее и упругого контакта, расположенного между контактными площадками П-образной скобы.

1064488

Цель изобретения - расширение эксплуатационных возможностей устройства за счет повышения верхнего предела его сверхвысокочастотного диапазона.

Изобретение относится к электронной и радиотехнической промышленности и.может быть использовано в автоматических устройствах контроля транзисторов на рабочих частотах до

1 ГГц.

Известно устройство - автоматический классификатор транзисторов, содержащий транспортно-подключающее устройство с контактами и измеритель параметров (1) .

Однако данное устройство не обеспечивает измерение параметров транзисторов на сверхвысоких частотах

Выше 0,3 ГГц.

Наиболее близким техническим ре- 15 шением к предлагаемому является устройство для подключения транзисторов с однонаправленными выводами к. измерительному блоку, содержащее, контактный модуль с взаимосимметричными эмиттерным и коллекторным кон тактами, выполненными в виде экранированных вводов и с базово-корпусной контактной группой, подклкчакицую головку, выполненную в виде Ш-образ- 25 ной подпружиненной колодки с подпружиненными клавишами, установленными в ней симметрично относительно ее средней полки-экрана, электрически соединенного с опорно-контактной пластиной для базового .вывода транзистора, базово-корпусной контактной группы, и крышек с окнами, в которых размещены экранированные вводы эмиттерного и коллекторного контактов 2).

Недостаток данного устройстванеработоспособность его иа частотах . выше 0,1 ГГц из-за невыполнения основных требований к сверхвысокочастотному устройству по надежности экранирования и качеству контактирования. В частчости: наличие щелей в экране между тремя выводами приводит к плохому экранированию входной и выходной цепей, отсутствие 45 специальных соединителей разделительных экранов контактного модуля с корпусом Ш-образной колодки, обеспечивающих их подключение совместно с соответствующими выводными контак- 5р таьа как сверхвысокочастотных двухпроводных линий приводит к несогласованному подключению транзистора к модулю и к. плохому экранированию выаеуказанных цепейl произвольность взаимного расположения контактов и соединений экранирующих деталей колодки и модуля, не гарантирует эффективного экранироваиия, а: также качества контактирования.

Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для подключения транзисторов с однонаправленными выводами к измерительному блоку, содержащем контактный модуль с взаимосимметричными эмиттерным н йоллекторным контактами, выполненными в виде экранированных вводов, и с базово»корпусной контактной группой, подключающую головку, выполненную в виде Ш-образной подпружиненной колодки с подпружиненными клавишами, установленными в ней симметрично относительно ее средней полки-экрана, электрически соединенного с опорно-контактной пластиной для базового вывода транзистора н базовокорпусной контактной группы, н кры-.. шек с окнами, в которых размещены экранированные вводы эмиттерного и коллекторного контактов, каждый экран эмнттерного и коллекторного контактов снабжен пружинной изогнутой пластиной, которая электрически соединена с ним с возможностью контактирования со средней полкой-экраном

Ш-образной колодки, а базово-корпусная контактная группа выполнена в виде П-образной скобы с контактными площадками на ее вертикальных полках, которая установлена в плоскости, перпендикулярной средней полке-экрану

Ш-образной колодки, симметрично от- носительно нее и упругого контакта, расположенного между контактными площадками П-образной скобы.

На фиг. 1 и 2 изображено устройство в двух взаимно перпендикулярных сечениях; на фнг. 3-5 - подключающая головка; на фиг. 6 — контактный модуль, вид в плане со стороны контактов.

Устройство состоит из подключающей головки 1 и контактного модуля 2.

Подключающая головка устройства состоит из Ш-образной подпружиненной колодки 3, средняя полка 4 которой является высокочастотным экраном, собранным из следукщих деталей: и-образного экрана 5, согнутого из ме-.. таллической пластины, распорной про . кладки б, и-образной обоймы 7, поперечного фланца 8 с клиновидным высту ом 9, в верхней части которого выполнено гнездо 10 для корпусного вывода 11 транзистора 12 и гнездо

13 для шарика 14, прижимакщего этот вывод к верхней части поверхности гне зда 10 для осуществления электрического контактирования вывода с фланцем 8 тарироваиным (регулируеьцям винтом 15) усилием от действия пружины 16 через шток 17, стоек 18, пластины 19 с выступакицей передней частью, снабженной желобом 20 для направления ивового вывода 21, диэлектрического вкладькиа 22, поджато1064488 го к клиновидному выступу 9 пластиной 19, удерживаемого от выпадания наружной поверхностью желоба 20 и снабженного с боков аналогичнымй желобами для направления коллекторного

23 и эмиттерного 24 выводов.

U-образный экран 5 в передней торцовой части имеет вертикальные отгибы 25, в которых выполнены окна для ввода коллекторного и эмиттерного выводов внутрь подключающей головки и дополнительные нижние отгибы 26 с крепежными отверстиями, расположенными под стойками 18. Таким образом, винтами 27 осуществляется одновременное электропроводное 15 крепление деталей 5, 18 и 19 к фланцу 8, Крепление обоймы 7 к экрану

5 осуществлено пайкой. Все металлические детали за исключением прокладки 6 имеют для лучшей поверхно- 2О стной электрорроводности гальваническое серебряное покрытие.

Корпусный 11 и базовый 21 выводы большей частью своей длины находятся внутри и-образного экрана 5 в 25 полости над прокладкой 6. Их произвольное контактирование с боковыми поверхностями этого экрана не вносит погрешностей в измерения, так как весь сверхвысокочастотный ТоК в силу 30 своих свойств устремляется на наружную поверхность экрана от первых, строго заданных конструкцией устройства точек их контактирования с экраном, т.е. для корпусного вывода от поверхности гнезда 10 над шариком

14, для базового вывода — от поверхности пластины 19 в районе желоба 20.

Вся собранная конструкция экрана точно фиксируется в Ш-образной колодке винтами 28 и системой направ- 4О ляющих пазов и поверхностей. меньше усилия контактирования корпусПо обе стороны средней полки-экрана 4 колодки размещены подпружиненные пружинами 29 диэлектрические

Г-образные клавиши 30 и 31 и вкладьыи 32 и 33. Клавиши могут поворачиваться на осях-винтах 34, которые прижимают вкладыши 32 и 33 к средней полке-экрану 4. Во вкладышах выполнены закрываемые сверху диэлектрическими пластинами 35 направляющие пазы 36 для дополнительного (совместно..с желобами вкладыша 22) направления коллекторного 23 и эмиттерного 55

24 выводов. Длина пазов ьыбрана по максимальной длине выводов, с которыми может работать устройство. Для сочетания износоустойчивости и прочности с необходимыми диэлектрическими6О свойствами клавиши 30 и 31, вкладыши

32 и 33 и пластины 35 изготовлены из высокочастотной керамики, а быстросъемный вкладыш 22 — из капролактама (капрона или капролона) .

Ш-образная колодка 3 закрыта сверху крышкой 37, а также двумя взаимосимметричными экранирующими крышками

3S и 39, электрически соединенными с экраном 5 с помощью натянутой нао экран фольги 40, прижатой к крышкам диэлектрическими пластинами 35. Усилие поджатия пластин и фольги к крымскам обеспечивается плоскими пружинами 41 (через вкладыши 32 и 33) .

Крышки 38 и 39 совместно с деталями средней полки-экрана колодки образуют два окна 42 и 43 ввода эмиттерного и коллекторного контактов.

К эмиттерным и коллекторным контактам относятся вводы 44 и 45 контактного -модуля 2, коаксиально экранированные запрессованными в корпус модуля втулками 46 и 47 (наружные поверхности которых в зоне захода в подключающую головку срезаны по форме окон 42 и 43) и снабженные контактными наконечниками 48 и 49, зафиксированными в пазах изоляторов

50 и 51, а также корпусные упругие контактные пластины 52 и 53, которые совместно с обоймой 7 средней полки Ш образной колодки образуют врубное контактное соединение (фиг.1) и электрически соединяющее по коротКому пути экраьирующие втулки 46 и 47 с экраном 5.

К контактам базово-корпусной груйпы относятся жесткий П-образный корпусный контакт 54 контактного. модуля, снабженный двумя расположенными в одной плоскости контактируюшими площадками 55 и 56 и размещенный между ними упругий пластинчатый контакт 57 с контактным наконечником

58, закрепленные на корпусе контактного модуля общим винтом 59 ° При работе устройства контактирующие площадки 55 и 56 корпусного контакта лежат на пластине 19 подключакщей головки симметрично базовому выводу

21, а сама головка прижата к этому контакту с большим усилием, создаваемым поджимной тарированной пружиной 60 устройства подключения.Следовательно, пластина 19 в этом случае является контактирующей и опорной для базового вывода 21 и корпусного контакта 54 одновременно. При этом упругий контакт 57 контактирует своим наконечником 58 с базовым выводом.

Усилие контактирования ограничивается условием недопустимости нарушения внешнего вида базового вывода (расплющивание, нарушения гальванического покрытия) и оно значительно ного контакта 54.

Для улучшения электропроводности все металлические детали контактного модуля имеют гальваническое серебряное покрытие, а контактные наконеч1064488 ники выполнены из износоустойчивого высокопроводного серебряного сплава.

Изоляторы 50 и 51 для уменьшения высокочастотных потерь выполнены as фторопласта.

Для обеспечения необходимой точности измерений сверхвысокочастотных параметров за счет контактирования, согласованного по фазе для всех контактов, они сгруппированы так, что проекции их контактирующих поверхностей на основании Ш-образной колодки не выступают за пределы зоны,... ограниченной симметричной средней полке окружностью диаметром 2,5% от рабочей длины волны устройства (для частоты 1 ГГц диаметр не должен превышать 6 мм ).

Перед загрузкой транзистора 12 в подключающую головку 1 устройства к клавишам 30 и 31 прикладывают на- 29 жимные усилия с помощью приспособления, вводимого в окна 42 и 43, и отжимают их вниз от крышек 38 и 39, а саму головку этим же приспособлением, нажимающим на пластину 19, 25 опускают вниз на уровень загрузки, т.е. базируют относительно автомата . загрузки транзисторов в устройство.

При загрузке транзистора корпус- . ный вывод 11 проходит в гнездо 13, 3п отжимает шарик 14 и располагается далее в и-образном экране 5, контак тируя с внутренней поверхностью гнезда 13, базовый вывод 21 заходит в желоб 20 пластины 19 и выходит на ее верхнюю поверхность и далее тоже располагается в и-образном экране, а коллекторный 23 и эмиттериый 24 выводы направляются боковыми пелобами вкладка 22 через окна в отги- 4О бах 25 экрана 5 внутрь головки s направляющие пазы 36 соответствующих вкладышей 32 и 33. При этом транзистор загружают так, чтобы между

его корпусом и выступающей частью пластины 19 оставался небольшой за-.. 45 зор 8 (фиг. 4), исключающий непосредственное контактирование корпуса транзистора с подключающей головкой.

ГГосле загрузки приспособление убирают из окон 42 и 43 и с пластины 19, при этом выводы 23 и 24 оказываются прижатыми клавишами 30 и 31 к диэлектрическим пластинам 35.

При подключении транзистора к измерительному блоку подключающая головка 1 с помощью пружины 60 прижимается пластиной 19 к площадкам 55 и 56 П-образного корпусного контакта

54 контактного модуля 2, образуя электрическое корпусное соединение головки с модулем. При этом упругий пластинчатый контакт 57 контактирует своим наконечником 58 с базовым выводом 21 транзистора. Усилие этого. контактирования выбрано максимально возможным из условия недопущения пластических деформаций выводу.

Коаксиально экранированные экранами 46 и 47 вводы .44 и 45 эмиттерного и коллекторного контактов вместе с контактными наконечниками 48 и 49 вводятся в окна 42 и 43 и контактируют на подпружиненных клавишах 30 и 31 с соответствукщимн выводами 23 и 24, а упругие пластины 52 и 53 заклиниваются между соответствую-, щими экранами 46 и 47 и обоймой 7, образуя. врубное контактное соединение этих экранов с экраном 5 головки и обеспечивая этим согласованное по фазе подключение эмиттерных и коллекторных контактов, к соответствующим выводам транзистора как линий с распределенными параметрами. Все зоны контактирования изображены на

Фиг. 4 (выделены штриховкой) .

После измерения параметров подключающая головка разъединяется с кон тактным модулем, а транзистор за корпус выгружается из головки. Устройство готово для приема следующего транзистора.

Таким образом, в предлагаемом устройстве верхний предел сверхвысокочастотного эксплуатацйонного диапазона (1ГГц) в 10 раз превышает аналогичный предел прототипа.

106448д

106 4488

106 4488

ПОЛ М

Составитель Е. Шершавова

Техред Л.Пилипенко Корректор Л.ФеРенц

Редактор Е. Кривина

Тираж 845 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 10364/60

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4