Обостритель импульсов

Обостритель импульсов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОБОСТРИТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ, содержащий оболочку, положительный и отрицательный электроды и размещенную в межэлектродном промежутке диэ- , лектрическую вставку, прилегающую к электродам, отличающийс я тем, что, с целью уменьшения времени коммутации и нестабильности в воздушной среде при атмосферном давлении, диэлектрическая вставка выполнена составной из двух прокладок с отношением диэлектрических проницаемостей 80 - 300,. причем прокладка с большей диэлектрической проницаемостью прилегает к отрицательному электроду. gj - . , - S

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

Ц

РЕСПУБЛИН (19) (И) 3(50 Н 03 К 4 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВЪГ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3457864/18-21 (22) 18 ° 06. 82 (46) .15.01.84. Бюл. Р 2 (72) В.П.Селезнев; В.Б.Лебедев и Б.И.Степанов (53) 621.373(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

Р 186033, кл. Н 03 К 4/00, 1966.

2. Бугаев С.П., Месяц Г.A. ВакуумнЫе искровые обострители . Труды

l.-ой Всесоюзной конференции по газоразрядным приборам. Искровые разрядники, Рязань, 1966, с.12. (54)(57) ОБОСТРИТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ, содержащий оболочку, положительный и отрицательный электроды и размещенную в межэлектродном промежутке диэлектрическую вставку, прилегакщую к электродам, о т л н ч а ю щ и йс я тем, что, с целью уменьшения времени коммутации н нестабильности в воздушной среде при атмосферном давлении, диэлектрическая вставка выполнена составной из двух прокладок с отношением диэлектрических проницаемостей 80 — 300, причем прокладка с большей диэлектрической проницаемостью прилегает к отрицательному электроду.

1067593

Составитель .В.Казаков

Редактор И.Дылын Техред м.Тепер Корректор A.Ïîâõ юеюеаепаапаааввв

Заказ 11228/57 ..ТДраж 868 Подпи сное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москвау Ж35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП Патент, Изобретение относится к устройствам высоковольтной импульсной техники и может быть использовано в генераторах высоковольтных наносекундных импульсов.

Известен обостритель импульсов с использованием разряда но поверхности диэлектрика в среде вакуума и газа С1 J.

Недостатками этого обострителя напряжения являются невысокэе быстро-10 действие и низкая стабильность.

Наиболее, близким техническим решением к изобретению является обостритель импульсов, содержащий обо,лочку, положительный и отрицательный 15 электроды и размещенную в межэлектродном промежутке диэлектрическую вставку, прилегающую к упомянутым электродам С23.

Недостатками известного обостри- 2() теля напряжения являются невозмож- ность получения наносекундного времени коммутации и низкая стабильность при атмосферном давлении. Это объясняется тем, что при малой длине 25 разрядного промежутка задержка срабатывания мала, поэтому обостряется только часть фронта исходного импульса и фронт выходного импульса получается довольно большим. При увеличе-. нии разрядного .промежутка задержка срабативания увеличивается, но при этом растет индуктивность искрового канала, так что фронт выходного импульса либо не сокращается, либо при больших разрядных промежутках>., увеличивается, а амплитуда выходного импульса снижаетсяиз-за увеличения

@адения напряжения на длинной искре.

В силу указанных условий в обострителе напряжений известной конструкции40 в отсутствии вакуума не может быть получено время коммутации ниже 5,10 с.

В отсутствии вакуума величина пере— г напряжения на разрядном промежутке недостаточна для обеспечения высокой 45 стабильности задержки срабатывания.

Цель изобретения — уменьшение времени коммутации и нестабильности при работе в воздушной среде при атмосферном давлении. 50

Поставленная цель достигается тем, что в обострителе импульсов напряжения, содержащем оболочку, положительный и отрицательный электроды и размещенную в межэлектродном промежутке диэлектрическую вставку, прилегающую к электродам, диэлектрическая вставка выполнена составной из двух прокладок с отношением диэлектрических проницаемостей 80 — 300, причем прокладка с большей диэлектрической проницаемостью прилегает к отрицательному электроду.

На чертеже представлено устройство обострителя напряжения.

Обостритель напряжения выполнен в виде симметричной полосковой линии.

Электроды 1 и 2 выполняют роль среднего проводника. Отрицательный электрод 1 касается изолирующей прокладки 3 с большей диэлектрической проницаемостью, например из титаната бария (P 1400) . Положительный электрод 2 расположен на изолирукщей прокладке 4 с малой диэлектрической проницаемостью (E. 5 - 10), например из слюды или керамики. Зазор между изолирующей прокладкой 4 и острием электрода 1 по поверхности прокладки

3 равен 25-100 мкм. Толщина изолирую щей прокладки 4 равна 200-400 .мкм.

В обострителе напряжения используется скользящий разряд по поверхности диэлектрика. Разряд возникает с острия электрода 1, расположенного на поверхности прокладки 3 с большой проницаемостью, позволяя получить импульсы с высокой временной стабильностью за счет. усиления напряженности электрического поля в месте соприкосновения электрода с керамикой, имеющей большую диэлектрическую проницаемость. Дальнейшее развитие разряда по поверхности диэлектрика с малой проницаемостью позволяет обеспечить при малой длине разрядного промежутка оптимальную задержку срабатывания,. тем самым обеспечивая субнаносекундные времена коммутации.

Сочетание двух прокладок в разрядном промежутке при большом различии диэлектрических проницаемостей (более чем в сто раз) позволяет получить обостритель с субнаносекундным временем коммутации, равным 0,4 нс, и субнаносекундной нестабильностью задержки срабатывания, равной 0,1 нс. г. Ужгород, ул. Проектная, 4