Раствор для размерного травления железа
Иллюстрации
Показать всеРеферат
РАСТВОР ДЛЯ РАЗМЕРНОГО ТРАВЛЕНИЯ ЖЕЛЕЗА, преимущественно прецизионного, содержащий хлорное железо, органическую кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью повьшения стабильности раствора при высокой воспроизводимости результатов, в качестве органической кислоты содержит многоосновную оксикарбоновую кислоту, выбранную из группы: яблочная, винная, лимонная , и дополнительно содержит этилендиаминтетрауксусную кислоту или её диаммонийную соль при следуквдем соотношении компонентов, г/л: Хлорное железо 2Q-50 Многоосновная, оксикарбоновая кислота/выбранная из группы: яблочная , винная, лимонная- 5-10 Этилендиаминтетрауксусная кислота или ее диаммонийная соль 5-20 i ВодаДо 1 л (О , su 3tSD с 23 F 1/04;.С 23 9 1/06 cta «ftnf.ii , iAffiViHs 13 ..- «л Т1- .С .J J «.J . л- -, . ., . f ТЕНИЯ JiKkJJHOlti. ,
09) (И) СОО3 СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
3Ц)) С 23 F 1/04;.С 23 6 1/06
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ..-64ФФЭ М !
)А ЫЮ%)ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
5-20 I (21) 3337734/22-02 (22) 17.09.81 (46) 30.01.84. Бюл. Р 4 (72) В.И. Мякиненков, М.А ° Никитина и А.Б. Абатуров (53) 621.794.42(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР
Р 239755, кл. С 23 F 1/02, 1967.
2. Авторское свидетельство СССР
Р 339437, кл. С 23 F 1/00, 1970.
3. Авторское свидетельство СССР
Р 761605, кл. С 23 F 1/04, 1978. (54)(57) РАСТВОР ДЛЯ РАЗМЕРНОГО
ТРАВЛЕНИЯ ЖЕЛЕЗА, преимущественно прецизионного, содержащий хлорное железо, органическую кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности раствора при высокой воспроизводимости результатов, в качестве органической кислоты содержит многоосновную оксикарбоновую кислоту, выбранную из группы: яблочная, винная, лимонная, и дополнительно содержит этилендиаминтетрауксусную кислоту или ее диаммонийную соль при следующем соотношении компонентов, г/л:
Хлорное железо 20,-50
Многоосновная.оксикарбоновая кислота, выбранная из группы: яблочная, винная, лимонная. 5-10
Этилендиаминтетрауксусная кислота или ее диаммонийная соль
Вода До 1 л
1070210
Наиболее близким к предлагаемому является раствор для размерного травления железа, содержащий хлорное железо, щавелевую кислоту, гидро. окись щелочного металла и воду при 45 следующем соотношении компонентов, вес.В:
Хлорное железо 30-38
Кислота щавелевая. 25-30
Гидроокись щелочного металла 2-3
Вода Остальное
Травление проводят при рН 0,3-1 со скоростями 30-40 мкм/мин L3$ .
Однако такой травитель пригоден только при травлении толстых слоев железа или железных покрытий, при травлении тонких слоев результаты размерного травления плохо воспроизводимы из-за больших растравов рисунка. Простое разбавление указанного 60 состава водой резко снижает скорости травления, однако при этом ухудшается воспроизводимость результатов размерного травления tкачество рисунка), так как появляются локальные Q5
Изобретение относится к химической обработке металлов, в частности к технологии прецизионного жидкостного травления рисунка в тонких слоях железа, нанесенных на инородную, подложку, и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС при травлении промежуточных маскирующих покрытий.
Известен раствор для травления железных покрытий, содержащий смесь щавелевой кислоты и перекиси водорода, который используют для избирательного травления стальных пластин, при изготовлении масок для кинескопа.
Травитель имеет высокие скорости )5 травлений и позволяет быстро и качественно проводить сквозное травление толстых .слоев П1 .
Однако использование известного раствора для размерного травления 7О тонких железных покрытий (до 5 мкм) неэффективно, так как при этом получаются плохое качество рисунка и маловоспроизводимые результаты из-за больших (30-80 мкм/мин ) скоростей травления.
Известен также раствор для размерного травления железа, содержащий водный раствор хлорного железа
1 (150-200 г/л ) и защитную ингибирую30 щую добавку, в качестве которой. используются производные фосфороорганических соединений, например о,о-диалкилтиофосфондисульфит в количестве 0,1-0,23 С2 1.
Раствор используют при травлении типографических печатных плат.Введение в состав травителя ингибирующей добавки уменьшает боковое стравливание печатных элементов. ! непротравы. Этот недостаток в известной мере удается устранить при использовании ультразвукового перемешивания раствора. Однако наличие в составе травителя катионов щелочного металла не позволяет его использовать в технологии полупроводниковых материалов, так как при травлении загрязняется обрабатываемая поверхность и необходимо введение дополнительных операций отмывки поверхности от ионов щелочных металлов.
Кроме того, наблюдается плохая воспроизводимость результатов при прецизионном травлении топологии рисунка на тонких слоях железа (железных покрытий ) вследствие больших (15-20 мкм/мин ) скоростей травления и изменение свойств травителя при его хранении. Раствор можно использовать только свежеприготовленный, после 2-3 ч его активность существенно изменяется.
Цель изобретения — повышение времени стабильности раствора при высокой воспроизводимости результатов.
Поставленная цель достигается тем, что раствор для размерного травления железа, включающий хлорное железо, органическую кислоту и воду, в качестве органической содержит" многоосновную оксикарбоновую кислоту, выбранную из группы: яблоч".ая, винная, лимонная, и дополнительно содержит этилендиаминтетраук сусную кислоту (ЭДТУ) или ее диаммонийную соль при следующем соотношении компонентов, г/л:
Хлорное железо 20-50
Многоосновная оксикарбоновая кислота, выбранная из группы: яблочная, винная, лимонная 5-10
Этилендиаминтетрауксусная кислота или ее диаммонийная соль 5-20
Вода До1л
Травление проводят при рН 1-3.
Основным травящим компонентом в травителе является хлорное железо, которое взаимодействует с железом йо реакции
2Fe + FeC1 ., 3FeCl>
Введение в состав раствора многоосновной оксикарбоновой кислоты несколько увеличивает скорость травления и при этом стабилизирует свойства травителя, позволяет его использовать практически с теми же результатами по скоростям травления даже после длительного хранения в течение
2-3 недель.
Наличие этилендиаминтетрауксусной кислоты или ее диаммонийной соли поэ1070210 воляет резко уменьшить растравы рисунка и поверхности полупроводников и обеспечивает хорошую прорабатываемость мелких деталей топологии рисунка, по-видимому, вследствие образования промежуточных комплексов.
Концентрация хлорного железа
20-50 г/л позволяет варьировать .скорость травления в необходимых пределах (от нескольких десятков нанометров в минуту до 2-3 мкм/мин).
При содержании оксикарбоновой кислоты менее 5 г/л свойства раствора начинают изменяться при его хранении, при содержании более 20 г/л происходит увеличение скоростей трав-15 ления за счет вклада самой оксикислоты, при этом. качество проработки рисунка, как правило, ухудшается и возможно подтравливание полупроводниковых материалов. 20
Содержание этилендиаминтетрауксусной кислоты или ее диаммонийной соли в количестве менее 5 г/л ухудшает разрешающую способность при размерном травлении мелких рисунков, а увеличение свыше 20 г/л не дает никаких дополнительных преимуществ. Оптимальным количеством ЭДТУ является 5-10 г/л, так как четкость прорабатываемого рисунка при этом наилучшая.
Травлению подвергают слои железа различной толщины, нанесенные на поверхность полупроводниковых структур. Si-SiO, GaAs — SiOg, оптических стекол К-8 размером 7бх76 и фотоситалл СТ-50.
На структуры со слоями железа наносят центрифугированием слои фоторезиста ФН-383 толщиной 0,3 мкм
- и фотолитографией формируют тестовые 40 элементы — окна размерами 2х20,5х20 и 10х20 мкм, а на рабочих пластинах рабочий рисунок транзистора.
Составы растворов приведены в табл. 1. 45
Раствор приготовляют следующим образом.
В литровую емкость наливают 0 5 л деионизованной воды и при перемешивании последовательно растворяют необходимые количества ингредиентов, входящих в состав травителя: железо хлор. ное (ГОСТ 4147-65 rra) одну из много, основных карбоновых оксикислот или лимонную кислоту (2 оксипропан 1,2,3-55
-трикарбоновая) (ГОСТ вЂ” 3652-69хг), или винную (виннокаменная)(ГОСТ—
5817-69 гда) или яблочную (ДК-оксиянтарная)(МРТУ-6-09-3302-66 ч).После полного растворения в указанную мер- 60 ную емкость добавляют этилендиамин((-N,N,N,N -тетрауксусную кислоту, (этилендинитрило)-тетрауксусную кисло ту (ИРТУ-б-09-2356-65-гда) или этилендиамин-N.И Н N -тетрауксусной кис- 65 лоты диаммонийную соль,(ТУ 11П-161-70 гда) и доводят готовый раствор до метки. Раствор хранят в закрытых полиэтиленовых емкостях и используют его периодически в течение 1 мес со дня приготовления.
Травление проводят в кварцевых кюветах при осторожном перемешивании. Одновременно обрабатывают 1 пластину в порции травителя 100 мп (в каждой порции травителя обрабатывают не более 10 пластин).
Предварительно на пластине-спутнике определяют время полного стравливания слоя. Время травления на тестовых рабочих пластинах контролируют по секундомеру. После выдержки в течение заданного времени в травителе пластину вынимают и быстро переносят в стакан с деионизованной водой,ополаскивают и помещают в кювету с деионизованной водой.
Параллельно с этим проводят травление в известном растворе, содержащем сопоставимое количество травящей компоненты, т.е. такое же количество хлорного железа. Проводят контроль результатов травления.
Результаты травления приведены .в табл. 2.
Результаты травления контролируют при обследовании в каждой партии
4-6 пластин в пяти местах при увели- чении х 200 на микроскопе МБИ-6 по отклонению размеров рисунка, неровности края.
Кроме того, визуально контролируют общий вид поверхности подложки, после травления на отсутствие вуали, разводов, растравов.
Пример 1.На подложки КЭФ-7,5 (III), GaAS, ZnAs, фотоситалл СТ-50 и стеклянные заготовки из стекла К-8 наносят иэ газовой фазы при 250 С слой железа толщиной 0,2 мкм, затем (на осажденный слой наносят слой фоторезиста ФН-383 толщиной 0,3 мкм, методом фотолитографии вскрывают в слое фоторезиста тестовые элементыокна размером 2х20, 5х20 и 20х20 мкм и проводят травление в травителе следующего состава, г/л:
Железо хлорное 20
Кислота винная 5
Этилендиамин
Тетрауксусная кислота .5
Время травления 1 мин 10 с + Зс (для партии из 6 пластин), Проработка топологии рисунка хоро» шая, растравы отсутствуют. Вуали и налета нет. Уход размеров менее
0,2 мкм. Качество поверхности пластин GaAs после фотолитографии рисунка остается на прежнем уровне.
Различие во времени проработки рисунка 3 с обусловлено неравномер1070210
При травлении в базовом растворе, содержащем хлорное железо (20 г/л)
40 .и о,о-дибутилтиофосфондисульфид (2 г/л), рисунок 2х20 полностью раст45
55
65 ностью нанесения слоя железа по площади пластины.
Пример 2. Так же, как и в примере 1, на подложки наносят слой железа толщиной 0,3 мкм и таким же образом формируют тестовые элементы, травление проводят в травителе следующего состава, г/л:
Железо хлорное 25
Кислота лимонная 20
Этилендиамин тетрауксусная кислота 5
Время травления. 1 мин 15 с + 5 с (для травления партии иэ 6 пластин).
Качество рисунка хорошее. Уход размеров не более 0,2 мкм. Вуали и налета нет. Поверхность образцов, в том числе и GaAs и 1пЩ, без изменений.
Пример 3. Наносят слой железа 0,1 мкм. Формирование тестовых элементов проводят аналогично примеру 1. Травление проводят в травите» ле следующего состава, г/л:
Железо хлорное 20
Кислота яблочная 10
Этилендиамин тетрауксусной кислоты диаммонийная соль 20
Время травления 45 < 3 с (для пар тии иэ 4 пластин).
Качество проработки рисунков хорошее. Уход размеров менее 0,1 мкм.
Вуали и налета нет.Поверхность образцов, в том числе и GaAs и Хплв, беэ изменений.
Пример 4. Наносят слой железа 1 мкм. Проводят формирование тестовых элементов так же, как в примере 1. Травление проводят в травителе следующего состава, г/л:
ЖеЛезо хлорное 50
Кислота лимонная. 10
Этилендиамин тетрауксусная кислота 10
Время травления 1 мин 40 с + 10 с (при травлении партии из 4 пластин), Результаты такие же, как в приме ре 2, но наблюдается уход размеров ,0,4-0,6 мкм. Анизотропию при травлении можно, по-видимому, отнести к изменению плотности слоя железа и его состава по толщине.
Пример .5. Наносят слой железа толщиной 0,3 мкм. Проводят формирование тестовых элементов аналогично примеру 1. Травление проводят в травителе следующего состава, г/л:
Железо хлорное 25
Кислота винная 15
Этилендиамин тетрауксусная кислота диаммонийная соль 5
Время травления 1 мин 30 с 3 с (при травлении партии иэ 4 пластин).
Результаты такие же, как в примерах 1 -3.
Пример 6. Наносят слой железа толщиной 0,2 мкм. Проводят формирование тестовых элементов аналогично примеру 1. Травление проводят в травителе следующего состава, г/лг
Хлорное железо .20
Кислота лимонная 20
Время травления 52+2 с (в партии из 6 пластин).
После травления на поверхности двух образцов InAs наблюдается появление локальных белых пятен, расположенных по периметру вытравливаемого рисунка на образцах GaAs светлая вуаль.
Уход размеров 0,3-0,4 мкм.
Образцы кремния, стекла К-8 и фотоситалла каких-либо включений, пятен или вуали не имеют. На всех образцах наблюдается локальный растрав рисунка 2х20.
Травление образцов в травителе, содержащем хлорное железо и ингибирующую добавку (состав по прототипу).
При травлении в травителе, содержащем хлорное железо (100 г/л) и о,о-дибутилтиофосфондисульфид (2 г/л), рисунок 2х20 и 5х20 полностью растравлен. Рисунок 20х20 имеет большие растравы и рваный край (уход размеров более 5 мкм). Раствор не пригоден для прецизионного химического травления топологии рисунка. равлен, рисунки 5х20 и 20х20 имеют уход размеров более 1 мкм и волнистый край рисунка. На некоторых образцах кремния и арсенида галлия и индия наблюдается светлая вуаль, которая удаляется с поверхности с большим трудом после дополнительных обработок в органических растворителях.
На основании экспериментальных результатов, приведенных в примерах, можно сделать вывод, что предлагаемый раствор имеет лучшие свойства по сравнению с известным и пригоден для прецизионного травления тонких слоев железа, нанесенных на инород- ную подложку, в том числе и иа полупроводниковые подложки из интерме таллических соединений типа А В", ц обеспечивают малые отклонения разме- ров рисунка при хорошей воспроизводимости результатов °
Кроме тово, предлагаемый раствор можно использовать в течение длительного времени.
1070210 способности при формировании тополо= гии мелких рисунков fqo 2 мкм }при уходе размеров рисунка не более
0,2 мкм, IfoBbBIIeHHH воспроизводимости результатов травления и увеличении выхода годных на операции травления на 10-15% для пластин из интерметаллических материалов типа А В
Таблица 1.
Содержание, г/л bio примерам
Компоненты
1 2 3 4 5 6
20
20 50
Железо хлорное
Кислота лимонная
20
5,0
Кислота винная
Кислота яблочная
Этилендиаминтетрауксусная кислота
5,0 5,0
10,0
Диаммонийная соль этилендиаминтетрауксусной кислоты
Таблица 2
Толщи- Время на травслоя, ления мкм с
Неровность:.Внешний вид поверхности тклонение азмеров исунка, Примечание края,мкм рисунка на тестовых структурах мкм
2х20 0х20 ) 10х20
Норма Норма
0,2
70 (0,2 (0 05.
Норма Проработка рисунка хорошая. Вуали и налеты отсутствуют
0i3
75 «0,2 (0,05 (0,05
И
0,1
45 «0,2
П
1,0
100 0,4-0,6 . 90 «0,2 (О, 1
П
О,З (0,1
П
Растрав
52 0,3-0,4
0,1-0,2
0,2
Рисунок полностью растравлен на тестовых структурах 2х20
Составитель В. Олейниченко
Техред Т.Маточка . . Корректор C. Шекмар
Редактор Н. Безродная
Ю
Заказ 11651/29 Тираж 900 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4
В связи с, отсутствием в отрасли базового процесса травления промежуточных железных масок сравнительный технико-экономический анализ может быть сделан сугубо ориентировочно, на базе имеющегося экспериментального материала.
Технико-экономический эффект выражается в увеличении разрешающей
25 20