Способ получения носителей информации испарением в вакууме аморфного селена на электропроводящую подложку

Способ получения носителей информации испарением в вакууме аморфного селена на электропроводящую подложку

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ИНФОРМАЦИИ ИСПАРЕНИЕМ В ВАКУУМЕ АМОРФНОГО СЕЛЕНА НА ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩУЮ ПОДЛОЖКУ, отличающийс я тем, что, с целью повышения качества изображения путем увеличения .чувствительности, ис ictpeHHe селена проводят ,при давлении 5-lO-s 8-10 ммрт . ст., температуре поД-; ложки 18 - 25°С, скорости испарения 4-12 мкм/мин и скорости движения подложки 3-16 м/мин.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

NIIMOl

РЕСПУБЛИК (19) (И) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОЧНРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕ ГЕЛЬСТВУ (21) 3393767/28-12 (22) 08. О l. 82 (46) 07.02,84. Бюл. Р 5 (72) Л.И. Зеленина, A.A. Постников и Д.Г.Табатадзе (71) Всесоюзный государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский и проектный институт химико-фотографической промышленности (53) 772.93(088.8) (56) 1, Авторское свидетельство СССР

9 345837, кл.(03 G 5/08, 1969.

3(5)) С 03 Й 5/082; 03 6 5 14 (54) (57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НОСИТЕЛЕЙ

ИНФОРМАЦИИ ИСПАРЕНИЕМ В ВАКУУМЕ

АМОРФНОГО СЕЛЕНА HA ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩУЮ ПОДЛОЖКУ, о т л и ч а ю щ и и с я тем,, что,,с целью повышения ка" чества изображения путем увеличения .чувствительности, испарение селена проводят прн давлении 5"10-з

8 .10 мм рт ст, температуре йод- ложки 18 - 25 С, скорости испарения

4 - 12 мкм/мин и скорости движения подложки 3-16 м/мин.

Изобретение относится к способу получения неорганических фотопроводниковых слоев, а именно к способу получения инжекционного слоя аморфного селена, применяемого для повышения электрофотографической чувствительности фототермопластических (ФТП) пленок.

Известен способ пелучения нрсителей информации испарением в вакууме аморфного селеиа на электропроводяющую подложку Г13 °

Однако на носителях, полученных известным способом, нельзя получать изображения высокого качества»

Цель изобретения - повышение качества изображения путем увеличения чувствительности носителей.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения носителей информации испарением в вакууме аморфного селена на электропроводящую подложку испарение селена проводят при давлении 5 *10 —

8 10 мм рт. ст., температуре подложки 18 - 25 С, скорости испарения 4-12 мкм/мин и скорости движения подложки 3 — 16 м/мин.

П р и и е р 1. Термическим испарением в вакууме 5 ° 10 > им рт. ст. наносят слой аморфного селена со скоростью 4 мкм/мин на рулонную полиэтилентерефталатную подложку с проводящим слоем никеля, ско" рость движения подложки 16 и/ мин, при этом толщина напыляемого слоя 35 селена 0,03 мкм. Сверху из раствора в толуоле наносят фототермопластическую композицию, содержащую поли8-винилкарбазол и сополимер стирола с бутадиеном в соотношении 1: 1. 40

Толщина фототермопластического слоя 2 мкм. Материал высушивают в вакуумном шкафу прн комнатной температуре в течение 2 ч.

Пример 2. Образец фотатермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 1, с той лишь разницей, что давление остаточного газа при получении слоя селена составляет 1 ° 10 5 мм рт. ст., скорость движения подложки 5 м/мин, толщина слоя селена 0,12 мкм.

Пример 3. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 2, с той лишь разницей, что скорость движения подложки составляет 7 и/мин, Пример 4. Термическим испарением в вакууме 8 10- мм рт.ст. наносится слой аморфного селена со скоростью 12 мкм/мин на рулонную полиэтилентерефталонную подложку с проводящим слоем хрома. Скорость движения подложки 12 м/мин, температура подложки 25 С, толщина наносимого слоя селена 0,12 мкм.

Сверху иэ раствора в толуоле наносят фототермопластическую композицию, содержащую поли-М-винилкарбазол и сополимер спирола с бутадиеном в соотношении l:1. Толщина фототермопластической композиции составляет 2 мкм.

Материал высушивают в вакуумном шкафу при комнатной температуре в течение 2 ч. . Пример 5. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 3, с той лишь разницей, что толщина слоя селена составляет 0,2 мкм, а скорость движения подложки — б м/мин. ..Пример б. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 5, с той лишь разницей, что материалом проводящего слоя является титан, скорость нанесения слоя селена

10 мкм/мин, скорость движения подложки 7 м/мин, температура подложки 25 С.

Пример 7. Образец фототермопластической пленки приготавливают аналогично примеру 5, с тсй лишь разницей, что толщина слоя селена составляет 0,50 мкм, скорость нанесения слоя 12 мкм/мин, сксрость . движения подложки 3 м/мин, температура подложки 25 С.

Результаты имерений по примерам 1 — 7 сведены в таблицу.

1071993!

1

1 х и е

I

1нЪ

Ю (Ч н — — х

1

1 оцхо4

65 О н хин эцоои хохово

0 е хи х

О\ О\ с с

О О

Ю О

Ol Ch с с

О О

1О Ю

0 Ch Ch с с, с

О О О

Ю Ю

СЧ <Ч с

О О

N !Ч с с

О О

1О

N с

<Ч с

О. с

In

C) ч

Ill в иь

1 О О в н н

III О

Г 4

Ю

Г.4 ч н ю4 OQ

C0 lA

Ч N! с- <Ч

О N ч

eL х v

Х с

8oxz

z5qg

Сх) 4Ч

О Ч с с

О Ю

1 е

9 х х х о е х

Б

М дР

Е с

И ж

N н и ео о х х д

М Ц ц э е н х я

ИН 1И

OO I Е ххах! Е н;х х

pwх1Ф нг

О9ЮХИ аахаои! нцинх хоэимЕ Н Р III

1:ОХ Э:С! !!! б «0

I I

IC I

he

Х I II!WC!

Е! ОуО

1 а

I V.

О\ 9 ° 1 с! ewй!. и! хИo н н — — — — -.

Э 1 I

1 9 1 1 о!а хи! а! 9 оо

I Их! а ц с

Х! 9 ОХ I о нных а

1Ахх!

9 I ÍÌÕ х! ихм

el О9ОХ а! акции!

Ia l ОХЦЫ!

Х!!! О I

I UagZ I

М 1

Х l К 1

Гч1AХ .OI НХ -Х! Ц! O99Х

O I ОИХ х! аеэ,! х! охал;! а О О О О О

О О О О О О

N N ч н СЧ СЧ Д с с с с с

О О Ю О Ю

« Ч Е З р и О

1071993

Составитель A Íîcûpåâà

Редактор О,Бугир Техред C.ÌHãóíoâà Корректор Г.Решетник

Заказ 120/38 Тираж 464 Подписное

ВНИИПИ Расударственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035р Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

Как видно из таблицы предлагаемый способ получения инжекционных селеновых слоев на рулоннай 1 одложке обеспечивает повышение чустви-1 тельности пленки по сравнению с

1 известным способом в 5- 13 раз и сохраняемость в 3,5 раза, а следовательно, повышается качество изображения, получаемого на данной пленке.