Генератор синусоидальных колебаний

Генератор синусоидальных колебаний

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ГЕНЕРАТОР СИНУСОИДАЛЬНЫХ КОЛЕБАНИЙг содержащий источник постоянного нсшряжения и три транзистора одного типа структуры, причем коллектор первого транзистора соединен с базой второго транзистора и с параллельным колебательным контуром, вторс вывод которого соединен через соответствующие конденсаторы с общей шиной и с базой первого транзистора, между эмиттером второго.транзистора и эмиттерсям первого транзистора включён лервый резистивный делитель на- . пряжения, отвод которого соединен с базой третье1 о транзистора, при этом база первого транзистс а через резистор Соединена с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединён с общей шиной, а коллектор второго транзистора является выходом генератора синусоидальных колебаний, о т л и ч а ющи и с ятем, что, с целью повышения стабильности частоты и амплитуды синусоидальных колебаний/ R него введен дополнительный транзйстйр того же типа структуры, коллектор и эмиттер которого соединены соответственно с эмиттером первого транзистора и с общей шиной, выход источника постоянного напряжения соединен с вторым выводом колебательного контура , и между точкой их соединения S и общей шиной введен второй резистив (Л ный делитель напряжения, при этсчл коллектор третьего транзистора и база дополнительного транзистора соединены соответственно с первым и /вторым отводами второго резистивного s делителя напряжения, которые через соответствукяцие введенные конденсаторы соединены с общей щиной.

u9l (П) COOS СОВЕТСНИХ СОЦ)4АЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕ ГЕЛЬСТВУ (21) 3509951/18-09 резистор соединена с эмиттером второ(22): 01,1 1 ° .82 ro транзистора, эмиттер третьего (4б) 07.02.34. Бюл. М 5, транзистора соединен с общей шиной, (72). A.A ° Кулик и Л.A. Кулик . а коллектор второго транзистора яв(53) 621.373.42(088..8) ляется выходом генератора синусои "(5б ) 1. Патент С Ю М 4160953, . дальных колебаний, о т л и ч а юкл. 325/440., опублик. 1979. шийся тем, что, с целью повыше2.. Авторское свидетельство СССР . ния стабильности частоты и амплитуды

9 427447, кл..Н 03 .L 1/00, 1972 . синусоидальных колебаний, в. него

:(прототип). . . . . введен дополнительный транзистор то .(54)(57) :РВЙВРАТОР".СННУСОИДЪЛЬНЬЗХ . .- го же типа структуры, коллектор и

КОЛЕБАНИЙ, .содержащий источник по- . эмиттер которого соединены соответстстоянного напряжения и три транзисто- . венио с . эмиттером первого транзисра одного типа структуры, причем ..тора и с ббщей шиной, выход источниколлектор первого транзистора соеди- . ка постоянного напряжения соединен нен с базой ВтороГо транзистора и с : с вторым выводом колебательного конпараллельным колебательным контуром,, тура, и между точкой их соединения ф втоРой- вывод которого соединен через .:. и общей шиной введен второй резистивсоответствующие конденсаторы с общей . : ный делитель напряжения, при этом шиной и с базой itepsoro транзистора,: коллектор третьего транзистора и . между эмиттфром второго. транзистора . база дополнительного транзистора coe- и эмиттером первого транэнстора,вклв-:: дйнены соответственно с первым и чен первый реэистнвный делитель на-.. .:,.вторым отводами второго резистивного р пряжения, отвод которого соединен делителя напряжения, которые через с базой третьего транзистора, при .: соответству ицие введенные конденса- М этом база первого транзистора через торы соединены с общей шиной.

«3

М

Ю

4ь

1072241. Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться для генерирования синусоидальных колебаний, например, в.радиоприемных устройствах.

Известен генератор синусоидальных колебаний на транзисторах с подключенными к ним колебательным контуром и источниками питания 11 .

Однако в спектре сигнала данного генератора синусоидальных колебаний велик уровень высших гармонических составляющих.

Наиболее близким к предлагаемому является генератор синусоидальных колебаний, содержащий источник постоянного напряжения и три транзистора одного типа структуры, причем коллектор первого транзистора соеди-нен с базой второго транзистора и с параллельным колебательным контуром, второй вывод которого соединен через соответствующие конденсаторы с общей шиной и с базой первого транзистора, между эмиттером второго транзистора и эмиттером первого транзистора вклю25 чен первый резистивный делитель напряжения, отвод которого соединен с базой третьего транзистора., при этом база первого транзистора через резистор соединена с эмиттером второго ЗО транзистора, эмиттер третьего.тран- . зистора соединен с общей шиной, а коллектор второго транзистора является выходом генератора синусоидальных колебаний, при этом эмиттер первого 35 транзистора соединен через соответствующий резистор с общей шиной, а коллектор третьего транзистора соединен с вторым выводом колебательного контура Г23. 40

Однако известный генератор синусоидальных колебаний не обеспечивает. достаточной стабильности частоты и амплитуды синусоидальных колебаний 45 вследствие того, что стабилизация амплитуды производится за счет изменения напряжения питания частотозадающего транзистора, коллекторная емкость которого (С„) в значительной степени и нелинейно зависит от напряжения, прикладываемого к промежутку коллектор-база (П„g) . Крутизна этой зависимости является наиболее высокой при малых значениях U 5, что имеет место в известном генераторе синусоидальных колебаний. Поэтому с изменением температуры окружающей среды или параметров транзистора от воздействия других факторов схема стабилизации амплиту- 60 ды вносит дополнительное изменение частоты колебаний. Коэффициент стабилизации амплитуды колебаний при этом равен коэффициенту усиления третьего транзистора. 65

Цель изобретения — повышение стабильности частоты и амплитуды синусоидальных колебаний.

Поставленная цель достигается тем, что в генератор синусоидальных колебаний, содержащий источник по-. стоянного напряжения и три транзистора одного типа структуры, причем коллектор первого транзистора соединен с базой второго транзистора и с параллельным колебательным контуром, второй вывод которого соединен через соответствующие конденсаторы с общей шиной и с базой первого транзистора, между эмиттером второго, транзистора и эмиттером первого транзистора включен первый резистивный делитель напряжения, отвод которого соединен с базой третьего транзис тора, при этом база первого транзисУ тора через резистор соединена с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с общей шиной, а коллектор второго транзистора является выходом генератора синусоидальных колебаний, введен. дополнительный транзистор того же типа структуры, коллектор и эмиттер которого соединены соответственно с эмиттером первого транзистора и с общей шиной, выход источника постоянного напряжения соединен с вторым выводом колебательного контура, и между точкой их соединения и общей шиной введен второй резистивный делитель напряжения, при этом коллектор третьего транзистора и база дополнительного транзистора соединены соответственно с первым и вторым отводами второго резистивного делителя напряжения, которые через соответствующие введенные конденсаторы соединены с общей шиной.

На чертеже представлена структурная электрическая схема генератора синусоидальных колебаний.

Генератор синусоидальиых колебаний содержит первый, второй, третий и дополнительный транзисторы 1, 2, 3, 4, конденсаторы 5 — 8, первый и второй резистивные делители 9 и 10 напряжения, параллельный колебательный контур 11, резистор 12, источник

13 постоянного напряжения.

Генератор синусоидальных колебаний работает следующим образом.

Резисторы резистивного делителя

9 выбраны таким образом, что при отсутствии колебаний третий транзис-. тор 3 закрыт и не влияет на условия самовозбуждения автогенератора с внутренней связью, выполненного на транзисторах 1, 2 и 4. При отпира- нии третьего транзистора 3 увеличение амплитуды колебаний автогенератора приводит к возрастанию тока третьего транзистора 3, что приводит

1072241 Составитель Г. Захарченко

РЕдактор H Стащишина Техред Ж.Кастелевич Корректор M. немчик

Заказ 144/51

Тираж .86Z . . Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, X-35, Раущская наб., д.,4/5

Филиал ППП Патент, r. ужгород, ул. Проектная, 4 к увеличению падения напряжения на резисторе 14 второго реэистивного делителя напряжения 10 и, как результат, к уменьшению постоянного напряжения на базе дополнительного транзистора 4. Вследствие этого 5 уменьшается ток первого и второго транзисторов 1 и 2 и амплитуда коле.баний автогенератора до наступления равновесия ° В установившемся режиме автогенератора напряжение смещения !О третьего транзистора 3 выбирается таким, что амплитуда переменной составляющей токов первого и второго транзисторов 1 и 2 не превышает . постоянной составляющей и не проис- )5 ходит их насыщение. Коэффициент стабилизации амплитуды колебаний будет равен

С 2 5 Ф 46/ 45 где К4,К,К,K» — коэффициенты. усиления транзисторов .1,2,3,4;

R<5, Rt6 . - Величины резисторов 15, 16.

При этом стабилизация амплитуды колебаний осуществляется за счет изменения напряжения смещения (U z) перво" го и второго транзисторов 1 и 2,что не вызывает изменения частоты генерации.

Относительная нестабильность частоты выходных колебаний при этом не превысит 1 ° 10, а коэффициент стабилизации амплитуды колебаний увели- чится по сравнению с прототипом в

10 †. 10 раэ.

Таким образом, в предлагаемом генераторе синусоидальных колебаний значительно повьааается стабильность частоты и амплитуды синусоидальных колебаний.