Способ нанесения тонкого слоя металлического таллия на поверхность селена

Способ нанесения тонкого слоя металлического таллия на поверхность селена

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

;гi 10737

К, !асс 21(1-, 11.2

Сг1ОСОБ НАНЕСЕНЫЯ TOHjKOlI"O СЛОЯ ГДЕТАЛЛБЧЕСИОГО

Ъ АЛЛИЯ НА РОВЕРХНОС РЬ СЕЛЕИА

За!! влево 7 яш.зря 1957 г. за М 564б98 и Комитет !!о;!елач изобретений ll открытии нри Совете Яннис !10!! ССС!

1jpeдмет изобретения

3 1

Электрические параметры селенового выпрямительного элемента в сильной степени зависят от толщины и от равномернос.! и распределения электронного полупроводника по селену.

l1звестные способы нанесения таллия нг поверхность селена в виде солей таллия, растворенных в воле, в спирте или в других растворителях. а также путем конденсации металлического таллия из его паров по:! вакуумом не ооеспечива!от !!еобходимой для высоковольтных элемс!ггов точности дозировки и степени раьчюмерностн распределения таллия по поверхности селена.

То:нцина слоя электронного полупроводника составляет, как известно, сотые доли микрона, и поэтому не поддается измерению и I QIITpoлю р,ü Ioмерности рйcopcäo. lo!III!I обь! -н!ь!1!!! о;!ами.

1lpP;I!!3I àåìûé способ позволяет обеспечить непрерывный контроль толщины и равномерности распределения получаемого поверхностного слоя селенида талли,l в процессе его нанесения.

Это дос!игается щ!осе!гисм в пары таллия, наносимого на селен под вакуумом, радиоак явного изотопа.

На III I!Ie pa;II oa,"I IIa!!oi o изотопа в наносимом металле создает возможность с помощью счетчиков радиоактивного излучения определить сколь угодно малую толщину селенида таллия и обеспеч!ггь - тем самым требуемую толщину запирающего слоя. Кроме того, применяя мето,,ы радиографии, можно получить карт.н<у распределения таллия на селене и обнаруж>гп, все дефек !я его нанесения.

Способ нанесения тонкого слоя металлическогo та",ëèÿ на поверхность селена путем конденсации таллия из его паров под вакуумом прн изготовлсщн! селеповь:х «ыпрям!г!елей, о т л н «:I ишийся тсм, что, с целью обеспечения возмож!юсти осуществления непрерывного контроля толщины н равномерности получаемого при этом поверхностного c:Io:I селсннда таллия, в пары тал:пгя вводят 1 :, !поактнвный изотоп.