Резистивная паста

Резистивная паста

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

РЕЭИСТИВНАЯ ПАСТА, содержащая токопроводящую фазу на основе соединений рутения, стеклофритту и органическое связывающее, о т л ичающаяся тем, что, с целью расширения диапазона удельного сопротивления в высокоомную область и снижения температурного коэффициента сопротивления, она дополнительно содержит оксиды никеля и медИ, а в качестве соединений рутения токопроводящая фаза содержит диоксид рутения при следующем соотношении компонентов, масо% . Диоксид рутения 6,27-9,11 Оксид никеля2,22-4,63Оксид меди . 2,26-6,44 Стеклофритта6170-65,34 Органическое связующее22 ,0-23,0

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН ()9) (И) 3(59 Н 01 С 7 00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

22,0-23,0

8 (21) 3449277/18-21 (22) 03.06 ° 82 (46) 15.02.84 Бюл. Р 6 (72) M.Ï.Äóáèíèíà, В.И.Безруков, М.Е.Голоденко, А.В.Писляков, A.Ã.Воропаев, A.Н.Бронников и 3.Е.Батура (53) 621.316.8(088.8) (56) 1. Патент С01А Р 3776772, кл. Н 01 С 7/00, 1973.

2 ° Авторское свидетельство СССР

9 491161, кл..Н 01 C 7/00, 1974. (54)(57) РЕЗИСТИВНАЯ ПАСТА, содеРжащая токопроводящую фазу на основе соединений рутенйя, стеклофритту и органическое связывающее, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью расширения диапазона .удельного сопротивления в высокоомную область и снижения температурного коэффициента сопротивления, она дополнительно содержит оксиды никеля и меди, а в качестве соединений р,тения .токопроводящая фаза содержит диоксид рутения при следующем соотношении компонентов, мас.Ъг

Диоксид рутения 6,27-9,11

Оксид никеля 2,22-4,63

Оксид меди 2,26-6,44

Стеклофритта 61,0-65,34

Органическое связующее

1073806

6; 27-9, 11

2,22-4,63

2.,26-6,44

61,0-65,34

В качестве стеклофритты использовано стекло марки Ru - 16 (ПБАО027.003.ТУ), а в качестве органического связующего — смесь, состоящая из, вес.ч.: ланолина 15, вазелиИзобретение относится к электрон ной технике и может быть искользова« но, например в микроэлектронике, в технологии изготовления толстопленоч ных резисторов и микросхем.

Известка резистквная паста, cq.держащая диоксид рутения, стеклоФритту и .органическое связующее).1Т.

Недостатки известной рЕэистивной . пасты состоят в относительно высоком температурном коэффициенте сопротивления (ТКС) и узком диапазоне удельного сойротивления.

Наиболее близкой к изобретению является резистивная паста, содер-,. жащая гидрооксихлоркд рутения, стек- 15 лофрктту, и органическое связующее (2).

Недостатки этой резистивной пасты заключаются в относительно высоком температурном коэффициенте сопротивления (+0,35х10 41/@C) и узком 20 диапазоне удельного сопротивления (0,05-1000 кОм/Q).

Цель изобретения - pacaaipewe диапазона удельного поверхностного сопротивления в высокоомной области 25 и снижение температурного коэффициента сопротивления.

Цель достигается тем, что реэистивная паста, содержащая токопрово дящую фазу на основе соединений 30 рутения, стеклофритту и органическое связующее, дополнительно содержит оксиды никеля и меди, а в качестве соединений рутения токопроводящая фаза содержит диоксид рутения при следующем соотношении компонентов, мас.Ъ:

Диоксид рутения

Оксид. никеля

Оксид меди

Стеклофритта

Органическое связующее 22,0-23,0 нового масла 3 и циклогексанола (ЕТО.035.304.ТУ ) 1.

Для получения реэистивной пасты составляют порошковую композицию из диоксида рутения, оксида никеля, окси) а меди и стеклофритты.

Композицию перемешивают в агатовой ступке с пестиком 4 0 ми н, э атем вводят органическую связку и перемешивают со связкой.erne 20 мнн.Пасту выгружают в плотно закрывающуюся стеклянную банку из темного стекла с резьбовой или притертой пробкой, крышку оклеивают полиэтиленовой лентой с липким слоем. Приготовленную пасту наносят на керамические подложки из 22хС методом трафаретной печати на установке

ДЕК-1202 по 20 резисторов размером °

2х2 мм на каждую подложку,подсушивают при 300+10 С 10 мин и вжнгают в конвейерной печи ДЕК 840 в следующем режиме: скорость подъема температуры при вжигании 2525 град/мин, скорость охлаждения 30+5 град/мин, пиковая температура для пасты 650, 700, 750 и 800 С, длительность выдержки при пиковой температуре 15 + 1 мин, относительная влажность при вжигании 60-80%, средняя толщина резисторов 19»22 мкм.

Электросопротивление резисторов измеряется универсальным вольтметром

В7-23 с относительной погрешностью не более 0,151. Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) измеряется по методике ЕТО.032.546 Ту в интервале температур 20-125 С.

Составы реэистивной пасты и характеристики изготовленных из нее резисторов представлены в таблице.

Изобретение позволяет снизить температурный коэффициент сопротив« ления толстопленочных резисторов, расширить диапазон удельного сопротивления, повысить стабильность удельного сопротивления и уменьшить расход дефицитного диоксида рутения в технологии изготовления толстопленочных резисторов.

1073806

»»»

° » «»»»»»»»»»»»»

Тип пасты

Состав резистивной пасты, мас.Ф

Диоксид Оксид Оксид Стеклорутения никеля меди фритта

Температура, С

Органическое связующее

4ю gggl »»

22 0

»»»»»Ф

ПР Д-55 6,27 2,22 4,51 65,0

650

700

750

800

650

2,22 6,44 61, 0

23,0

ПР-Д-56 7,34

700

750

800

4,01 3,22 61,0

ПР-Д-59 8 77

650

23,0

700

750

800

4,63 2,26 62,0

22,0

ПР-Д-60 9 11

650

700

750

800

650

22,0

HP-Д-68 7,11

2,22 3,33 65,34

700

750

800

Пррдолжение таблицы

TKC 10 при температуре 20-125 С

Тип пасты, ЯБ " 0

1200

ПР-Д-55

-0,5

-0,8

14,9

246 1

19,8

11 6

0,3 19, 2

9,2

ПР-Д-56

5492,9

67,2

-2,8

0,2.

19

27,9

15,0

1,4

20

14,2

11,9

2,3

Удельное сопротивление, 56.4

39,5

Изменение удельного сопротивления, %, 6Ре

» »

Средняя толщина резисторов, мкм

1073806

° Продолжение таблицы асты

-0,83

9,9

ПР-Д-59

0,2,) 6,4

9,9

1,6

1,4

12,7

9,4

14,8

ПР-Д-60

9,5

18

4,9

32,3

19,7

1,2

11,6

10,7

8065

ПР-Д-68

194,5

11,5

2,2

26,1

2,7

12,5

15,81

Составитель И. Герасичкин

Редактор А. Гулько Техред Т.Маточка Корректор О. Билак

Эакаэ 339/49 Тираж 683 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий.113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д ° 4/5

Филиал ППП "Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 удельное сопротивление, /А, кОм/

403,3

47,1

12,1

2792,4

167,3

Изменение удельного сопротивления, ° в

TKC 10 при температуре 20-125 С

-1,3

-,0,6

-1,6

-0,3

Средняя толшина резисторов, мкм