Фотопроводящий материал электрофотографического носителя (его варианты)

Патент 1076866

Авторы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

1. ФОТОПРОВОДЯЩИЙ материал электрофотографического носителя на основе сплава, содержащего As, Se, Tt, отлич ающийся тем, что, с целью смещения спектральной области чувствительности в инфракрасную область спектра при сохранении высокого темнового сопротивления, сплав дополнительно содержит Си при следующем соотношении компонентов, ат.% s: As 37-39 S6 57-59 Си1-3 Tl1-5 2. ФОТОПРОВОДЯЩИЙ материал электрофотографического носителя на основе сплава, содержащего As, Se, т€, о тл и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью смещения спектральной области чувствительности в инфракрасную об.-г ласть спектра при сохранении высокого темнового сопротивления, сплав дополнительно содержит Sn при следующем соотношении компонентов, ат.%: As34-39 Se52-58 Sn2-8 TZ1-5 3.ФОТОПРОВОДЯЩИЙ материал электро- «g фотографического носителя на основе сплава, содержащего As, Sfe, ТВ, о тличающийся тем, что, с целью смещения спектральной области чувствительности в инфракрасную область спектра при сохранении высокого темнового сопротивления, сплав дополнительно содержит Sb к Бп при следующем соотнесении компонентов, ат.%: As29-37 Be52-58 Sb2-6 Sn2-8 at) Те.1-5 00 O5 O5

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

3(50 G 03 С 5/08;G 03 С 1/72

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21)3401600/28-12 (22)23.02.82 .(46)28.02.84. Бюл. 9 8 (72)В.П. Пинзеник и .А.А. Кикинеши (71)ужгородский государственный университет (53)772.93(088 ° 8) (56)1. Неорганические фотопроводящие материалы для носителей фототермопластической записи. Обзорная информация HHH T3XHN, М,, 1980 °

2. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. И., "Мир", 1982, с. 529 °

3. Патент ФРГ Р 1522602, кл. Ц 03 С 5/08, 1972 (прототип). (54 ) ФОТОПРОВОДЯЩИЙ ИАТЕРИАЛ ЭЛЕКТРО

ФОТОГРАФИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ (ЕГО ВАРИАНТЫ). (57)1. Фотопроводящий материал электрофотографического носителя на основе сплава, содержащего Ав, Se, отличающийся тем, что, с целью смещения спектральной области чувствительности в инфракрасную область спектра при сохранении высокого темнового сопротивления, сплав дополнительно содержит Си при следующем соотношении компонентов, ат.В :

As 37-39

БЬ 57-59

„„Su„„1076866 д

Си 1-3

ТЪ 1-5

2. Фотопроводящий материал электрофотографического носителя на основе сплава, содержащего Аs Se ТЯ, о тл и ч а ю щ- и и с я тем, что, с целью смещения спектральной области чувствительности в инфракрасную об.".: ласть спектра при сохранении высокого темнового сопротивления, сплав дополнительно содержит Sn при следую-.: щем соотношении компонентов, ат.Ъ:

As 34-39

Se 52-58

Бп . 2-8

ТХ 1-5

3,Фотопроводящий материал электро- е

С фотографического носителя на основе сплава, содержащего As, $Э, ТЕ, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью смещения спектральной области С чувствительности в инфракрасную область спектра при сохранении высо- Я кого темнового сопротивления, сплав дополнительно содержит Sb u Sn npu следующем соотношении ксмпонентов, ат.%:

Т6

1076866

Изобретение относится к бессеребряной фотографии, а именно к получению фотопроводящего материала электрофотографического носителя для записи изображений, и может быть при- 5 менено в электрофотографии.

Известны высокоомные неорганические фотопроводники, применяемые в электрофотографии, из которых наибо- ) p лее широко распространены селен и его сплавы, в том числе халь когенидные стекла. Это обусловлено хорошими электрофизическими характеристиками, технологичностью изготовления этих материалов(высокое темновое сопротивление, которое для обычных режимов работы электрофотографического носителя не должно быть меньше 10

10 0 Ом.сМ, чувствительность н видимой области спектра, простота и технологичность приготовления равномерных слоев с гладкой поверхностью ).

Недостатком указанных материалов является потеря чувствительности при переходе от красной к близкой инфракрасной области спектра.

Так, при введении в селен малых добавок теллура и некоторых других добавок можно сдвинуть длинноволновой край чувствительности с видимой в начало ИК-области спектра (до 0,8 мкм ) 13 при сохранении приемлемого темнового сопротивления материала.

В случае сильного.Хтегирования се- 35 ленсодержащего сплава теллуром можно получить полупроводниковый материал с узкой запрещенной зоной, обладающей фоточувствительностью н ЙК-области спектра, и с резко пониженным 40 удельным сопротивлением (2), что делает ненозможным применение такого фотопроводника в электрофотографическом носителе. В то же время разработка систем записи оптической 45 информации в ИК-области спектра требует создания материалов с соответствующими параметрами. . Наиболее близким к предлагаемому является фОтОпрОвОдящий материал, 50 состоящий из сплава селена, мышьяка и таллия (3).

Однако спектр чувствительности известного материала расширен только до 0,85 мкм. Большое количество таллия резко понижает темновое сопротивление фотопроводника, что ведет к быстрой регрессии, скрытого изображения на злектрофотографическом носи".. теле.

Цель изобретения - смещение спект- 60 ральной области чувствительности стеклообразного фотопроводящего материала в инфракрасную область спектра при сохранении высокого темнового сопротивления.

Поставленная цель достигается тем, что фотопроводящий материал электрофотографического носителя на основе сплава, As, Se, Tt, сплав дополнительно содержит Сы при следующем соотношении компонентов, ат.t:

As 37-39

C, 57-59

Си 1-3

T I. 1-5

Поставленная цель достигается тем, что фотопроводящий материал электрофотографического носителя на основе сплава, содержащего As, Se, ТМ, сплав дополнительно содержит Sn npu следующем соотношении компонентов, ат.Ъ:

As 34-39

Se 52-58

Sn 2-8

ТУ 1-5

Поставленная цель достигается тем, что фотопроводяший материал электрофотографического носителя на основе сплава, содержащего As, Se, TE, сплав дополнительно содержит Sb u Sn npu следующем соотношении компонентов, ат.Ъ:

Б Ь

Введение в сплав селен-мышьяк добавок меди, сурьмы и олова способствует смещению спектра фоточунствительности в ИК-область, причем

B случае введения олова одновременно имеем расширение ее на значительную область длин волн. Совместное введение таллия служит цели увеличения чувствительности и удельного сопротивления.

Предлагаемые материалы получают путем прямого синтеза в откачанных кварцевых ампулах в режиме нагренания смеси компонент до 1000 К со скоростью приблизительно 200 K/÷, выдержки при этой температуре в течение

3 ч с последующей закалкой гомогенизированного расплава путем охлаждения в выключенной печи.

В результате получают высокоомные материалы с выраженным максимумом

HK-фоточувствительности или широкой полосой чувствительности От видимой до ИК-области спектра. Изобретение иллюстрируется примерами, приведенными в таблице.

1076866

Содержание, ат. %

Состав

Удельное темновое сопротивление, Ом.см

Бе

$п

1010

0,6-1,2

2 -10

0,6-1,2

0,6-1,1

10 10

0,6-1, 1

2 10

5-10

0,6-1,4

0,6-1,5

4 10 0,6-1,2

0,7-1,1

5 10 0,7-1,2

2 10 0,7-1,4

О, 8-1,4

5 10 1,0-1,6

13 прототип

0,6-0,85

Предлагаемые материалы могут применяться в электрофотографических носителях, пригодных для работы в инфракрасной области спектра, в частности в системах с инфракрасным лазерным излучением, с сохранением основных преимуществ применяемых для видимой области спектра селеновых сплавов по простоте,экономичности изготовления.

Как видно из приведенных в таблице данных, изменением состава сплава на основе селена и мьнаьяка с совместным добавлением компонент меди или 45 олова, сурьмы и таллия возможно получение материалов, спектр фоточув ствительности которых значительно смещен в ИК-область и удельное сопро,тивление которых вЂ” высокое. 50

Составитель В. Шиманская

Техред Т.Дубинчак Корректор М. Шарохин

Редактор A. Лежнина

Тираж 464 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Эаказ 744/44

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

10 37

11 29

12 30

Спектральная область чувстви- тельно сти мкм