Способ получения магнитных пленок
Иллюстрации
Показать всеРеферат
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАГНИТНЫХ .ПЛЕНОК путем электролитического осаждения на подложку пленки магнитного материала и термического отжига полученной пленки в магнитном поле, вектор напряженности которого параллелен плоскости подложки, отличающийся тем, что, с уменьшения неоднородности структуры за счет уменьшения величины дисперсии анизотропии, в процессе термического отжига подложку приводят в колебательное движение в направлении, параллельном вектору напряженности магнитного поля с амплитудой колебания 0,4-1,0 мкм и частотой колебаний 100-200 кГц. с €
(19) (11) СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН
Ц51) 5 11 В 5/84
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ
Н ABTOPGHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3543225/18-10 . (22) 13.12,82 (46) 28.02,84. Бюл. 9 8 (72) В.Ф.Сурганов, Г,Г,Горох и В.Т.Солодков (71) Минский радиотехнический институт (53) 681.846.7(088.8) (56) 1. Патент США М 3817785, кл. 117-237, опублик. 1974.
2, Патент Японии р 52-11210, кл. 102 Е 110.2, опублик. 1977 (прототип), (54)(57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАГНИТНЫХ .ПЛЕНОК путем электролитического осаж дения на подложку пленки магнитного материала и термического отжига полученной пленки в магнитном поле, вектор напряженности которого параллелен плоскости подложки, о т л и ч а ю шийся тем, что, с пулью уменьшения неоднородности структуры за счет уменьшения величины дисперсии анизотропии, в процессе термического отжига подложку приводят в колебательное движение в направлении,. параллельном вектору напряженности магнитного поля с амплитудой колебания 0,4-1,0 мкм и частотой колебаний
100-200 кГц.
1076940
Темпе отжиг
К рад, 420
0,4
1 4
1,2
1,2
0,7
420
420
1f0
1,2
470
Изобретение относится к технике накопления информации, а именно к способам получения магнитных пленок.
Известен способ изготовления магнитного слоя, для повышения однородности которого уплотняют и разглаживают пос""çäèèé действием вибрации ультразвуковой частоты с амплитудой вибраций от 0,0127 до 0,127 мм flj .
Недостатком данного способа является то, что при реализации способа не удается повысить однородность слоя на уровне доменной структуры.
Наиболее близким к предлагаемому является способ получения магнитных пленок путем электролитического осаж- 15 дения на подложку пленки магнитного материала и термического отжига полученной пленки в магHHTHQM поле, вектор напряженности которого параллелен плоскости подложки (2), 20
Однако в известном устройстве концентрация дефектов на поверхности подложки и в толще магнитного материала не позволяет получить необходимую однородность магнитного слоя °
Цель изобретения — уменьшение неоднородности структуры эа счет уменьшения величины дисперсии аниэотроп ии.
Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения магнитных пленок путем электролитического осаждения на подложку пленки магнитного материала и термического отжига полученной пленки в магнитном поле, вектор напряженности которого параллелен плоскости подложки, в процессе термического отжига подложку приводят в колебательное движение в направлении, параллельном вектору напряженности магнитного поля40 с амплитудой колебаний 0,4-1,0 мкм и частотой колебаний 100-200 кГц.
При введении ультразвуковых колебаний, направление которых совпадает с направлением силовых линий магнит- 45 ного поля, происходит более полная ликвидация кристаллографических деффектов. Кроме того, происходит дополнительная механическая ориентация доменов и вытягивание их вдоль силовых линий магнитного поля.
При введении в подложку ультразвуковых колебаний амплитудой выше
1 мкм происходят механические нарушения поверхности подложки, что ведет к ухудшению качества магнитной пленки. При колебаниях с амплитудой менее 0,4 мкм заметных изменений в пленке не происходит, Частота колебаний выбрана практическим путем по минимуму величины дисперсии анизотропии, при этом направление ультразвуковых колебаний устанавливают в направлении, параллельном плоскости подложки и вектору напряженности магнитного поля.
Пример 1. При реализации способа в качестве подложки используют ситаловые пластины. Магнитные пленки толщиной 1 мкм получали электролитическим осаждением иэ электролита следующего состава, г/л:
NiSO4 7Н О 280
Рея04 7Н,О 10
NiC 0 ° бН О 10
Н Во 25
Сахарин 0,5
Предваритель но на подложки осаждают катодный подслой Cr — Cu толщиной 2000 А методом термического испарения, Осаждение магнитной пленки производят при плотности тока 12 мА/
/см, Напряженность магнитного поля во время отжига поддерживают равной
lб 10 A/ì, температуру варьируют от 420 К до 520 K. Амплитуду ультразвуковых колебаний варьируют от 0,4 до 1,0 мкм при частоте колебаний
100 кГц. Измерения дисйерсии анизотропии производят с помощью петлескопа.
Пример 2 ° Частота ультразвуковых колебаний 150 кГц, остальные условия те же, что и в примере 1, Пример 3 ..Частота ультразвуковых колебаний 200 кГц, остальные условия те же, что и в приоре 1, Результаты измерений сведены в габлицу.
Дисперсия анизотропии в приведенных примерах не превышает 2, в то время как известные способы облада- о ют дисперсией анизотропии 4-6
1g76940
Продолжение таблицы
Температура отжига, К
Амплитуда колебаний, мкм
1 0
1,0
1,0
0,7
470
470
1,0
1,0
1,0
1,2
0,4
520
1i0
1,0
0,7
520
1 0
1,0
520
Заказ 757/47 Тираж 575 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная, 4
Составитель Г, Эагубный
Редак вор Н. Ковалева Техред Л. Уикеш Корректор А.Тяско