Способ получения растрированного электрографического фотоносителя

Способ получения растрированного электрографического фотоносителя

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РАСТРИ РОВАННОГО ЭЛЕКТРОГРАФИЧЕСКОГО ФОТСи (НОСИТЕЛЯ, содержащего слой фоточзпвствительного полупроводника, заключающийся в образовании в фо очувст I a««,.lk..; вительном слое периодической электрической неоднородности, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности получения носителя , периодическую электрическую неоднородность формируют путем экспонирования на носитель оптической растровой картины при величине экспозиции , достаточной для образования , фазовых превращений в слое, причем в качестве материала фоточувстительного слоя исяользую.т стеклообразный халькогенид мышьяка.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК аа 08

3(Я) 6 03 6 5И26

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И m KPbfAO

7 ° Р

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН,fl

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3415704/28-12 (22) 3 1. 03.82 (46) 23.03.84. Бюл. В 11 (72) Л.M.Ïàíàñþê, Ю .M.Ñóõà÷åâ, В.И.Аникин и Ю.Д.Славов (53) 772.93(088.8) (56) 1. Заявка Японии, кл. 55-35701, . 1980. (54)(57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РАСТРИ.-

РОВАННОГО ЭЛЕКТРОГРАФИЧЕСКОГО O)T ,НОСИТЕЛЯ, содержащего слой фоточувствительного полупроводника, заключающийся в образовании в фоточувствительном слое периодической электрической неоднородности, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения экономичности получения носителя, периодическую электрическую неоднородность формируют путем экспонирования на носитель оптической растровой картины при величине экспозиции, достаточной для образования фазовых превращений в слое, причем в качестве материала фоточувстительного слоя используют стеклообразный хапькогенид мышьяка.

1081619

Изобретение относится к электрофотографии, в частности касается технологии изготовления растрированного носителя информации, применяемого в системах записи и обработки информации.

Известен способ получения растрированного электрографического фотоносителя, содержащего слой фоточувствительного полупроводника, заключающийся в образовании в фоточувствительном слое периодической электрической неоднородности (1 3.

Создание растра с высоким разре15 шением в виде периодической электрической неоднородности путем диспергирования в высокоомном фотопроводящем слое однородно распределенных низкоомных участков в виде точек или ли20 нии вызывает значительные технологические трудности и требует больших экономических затрат.

Целью изобретения является повышение экономичности получения раст25 рированного электрографического фотоносителя.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения растрированного электрографического фотоносителя, содержащего слой фоточувствительного полупроводника, заключающемуся в образовании в фоточувствительном слое периодической электрической неоднородности, последнюю формируют путем экспонирования на носитель оптической растровой картины при величине экспозиции, достаточной для образования фазовых превращений в слое, причем в качест-. ве материала фоточувствительного 4О слоя используют стеклообразный халькогенид мьппьяка.

Для создания оптической растровой картины используют когерентное излучение с длиной волны в области актив-45 ного поглощения, которое при экспонировании вызывает увеличение электропроводиости освещенных мест фотополупроводникового слоя и в нем образуется линейный растр поперечной 50 электропроводности в виде модуляции последней в соответствии с распределением интенсивности в проецируемой интерференционной картине. Укаэанные необратимые изменения электропровод- 55 ности вызываются фотоструктурными превращениями в полупроводниковом слое, возникающими под действием когерентного излучения, что и приво- дит к образованию растра в виде модуляции электропроводности фотополупроводника.

Запись растровых изображений в соответствии с предлагаемым способом осуществляют следующим образом.

Для получения линейнорастрированного иэображения на фототермопластнческий носитель, содержащий подложку из полиэтилентерефталата, проводящий слой, фоточувствительный слой из стеклообразного халькогенида мышьяка, термопластический слой, проеци руют интерференционную картину, об1 разованную двумя сходящимися когерентными лучами. Длину волны излучения выбирают из интервала значений 0,4-0,7 мкм, соответствующих области активного поглощения фотополупроводника; а экспозицию—

О, 1-1 Дж/см, достаточную для появ2 ления фотоструктурных превращений в фотополупроводнике, приводящих в свою очередь к изменению поперечной электропроводности последнего в местах засветки. Вследствие того, что при интерференции сходящихся волн проецируемое световое поле промадулировано по интенсивности в виде растра, то и распределение областей с пониженной (повышенной) электропроводностью в фотополупроводниковом слое будет представлять собой линейный растр.

Полученный образец фототермопластического носителя с модулированным по электропроводности полупроводниковым слоем можно применять для записи оптического изображения, используя последовательный или одновременный способ фототермопластической записи, причем в отличие от обычной записи, когда изображение формируется за счет хаотической "морозной" или "луночной" деформации свободной поверхности термопластического слоя, деформирование. поверхности термопластика в соответствии с предлагаемым способом начинается в местах повышенной электропроводности фотополупровадника, отвечающих "впечатанному". ранее растру.

Пример. Запись растрового изображения проводят на носителе, основой которого служит модифицированный полиэтилентерефталат, толщиной 60 мкм. На основу наносят прово-,;

10816

Составитель В.Аксенов

Редактор Н.Лазаренко Техред Л.Коцюбняк Корректор. И.Муска

Заказ 1548/43 Тираж 464 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1 13035, Москва, Ж-35, Раушская наб ., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,, 4 дящее хромовое покрытие проводимостью

5 102 Ом/см . Фоточувствительный

2 слой выполнен из материала, содержащего 70X As>Se>n 307 As>Se> <,Ав2ЯЗ и имеет удельное сопротивлейне

7,6 10" Ом см, толщину 2, 1 мкм и кратность фотоответа К=24. Термопластический слой сополимера БМК-50 выполнен толщиной 1,8 мкм. На пленку проецируют интерференционную карти-. ну, образованную когерентными лучами, сходящимися под Q =5 30, что со- о ответствует пространственной частоте линий порядка 300 мин/мм. Величина экспозиции составляет 1 Дж/см . За- 15

1 тем одновременным способом на пленку записывают изображение объекта.

При этом напряжение короны выбирают равным 5 кВ, температура образца о при записи 75 С. 20

Наряду с линейчатым растром описываемый способ позволяет также производить точечное растрирование изображения. Для этого фототермопластический .носитель помещают в область 25 интерференции двух сходящихся лазерных лучей и подвергают действию экспозиции, равной половине величины. экспбзиции, необходимой для получения .1

19 4 линейчатого растра. Затем образец фототермопластического носителя (или проецируемая интерференционная картина) поворачивают в своей плоскости на некоторый угол of, и вторично подвергают такой же экспозиции.

В результате в слое полупроводника образуется два наложенных линейчатых растра электропроводности со взаимной ориентацией, определяемой углом

o(,. Если на таком образце последова- . тельным или одновременным способом осуществить фототермопластическую запись оптического изображения, то последнее будет сформировано деформацией поверхности термопластика

"луночного" типа, причем центры лунок, формирующих изображения, располагаются в точках пересечения засвеченных участков двух упомянутых линейных растров. Меняя взаимную ориентацию "впечатанных" линейных растров, можно получить регулярную деформацию термопластического слоя различной геометрии.

Таким, образом, предлагаемым способом создается экономичная технология получения растрированного фотоносителя при высоком разрешении.