Формирователь импульсов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ по авт.св. 788361, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, в него введены дополнительный транзистор р-р-п-типа, конденсатор и резистор, причем коллекторно-эмиттерный переход дополнительного транзистора включен между эмиттером третьего транзистора и положительной шиной источника питания, а .база его подключена через .форсирующую цепь к второму входу устройства, дополнительный резистор включен между базой дополнительного транзистора и общей шиной, дополнительный конденсатор подключен между первым входом устройст1ва и базой первого транзистора. Hl о f.1S Вь(хо -о -

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (l9) (П) 3(50 0

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ks 1i5:,аг

Р С

° °

° °

Ъ

Ферри

8 op

Нщорой

0kecr4

8baod (61) 788361 (21) 3307110/18-21 (22) 23.06.81 (46) 23.03.84. Бюл. 9 11 (72) A.A.×àéêêí и С.M.Ðîìàíîâ (53) 621.373.43(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

9 788361, кл. Н 03 К 5/01, 1979 (прототип). (54)(57) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ по авт.св. 9 788361, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения быстродействия, в него введены дополнительный транзистор п-р-п-типа, конденсатор и резистор, причем коллекторно-эмиттерный переход дополнительного транзистора включен между эмиттером третьего транзистора и .положительной шиной источника питания, а .база его подключена через форсирующую цепь к второму входу устройства, дополнительный резистор включен между базой дополнительного транзистора и общей шиной, дополнительный конденсатор подключен между первым входом устройства и базой первого транзистора.

1081781

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве формирователя импульсов с крутыми фронтами для питания емкостной нагрузки, в частности для преобразователей уровней импульсных сигналов.

По основному авт.св. 9. 788361 известен формирователь импульсов, содержащий первый транзистор и-р-итипа, эмиттер которого непосредственно, а база через резистор соединены с отрицательным источником питания, база первого транзистора и-р-п типа соединена с анодом диода и с коллектором второго тран зистора р-п-р-типа, база которого соединена с общей шиной, а змиттер через форсирующую цепь в виде соединенных параллельно резистора и конденсатора — c первым входом устройства, коллектор первого транзистора п р-и-типа соединен с катодом диода и с коллектором третьего транзистора р-п-р-типа, база которого соединена с общей шиной, а эмиттер через форсирующую цепь — с вторым входом устройства (1 .

Недостатком известного формирователя импульсов является значительно большая по сравнению с передним длительность заднего фронта, что сужает область его применения.

Целью изобретения является повышение быстродействия.

Поставленная цель достигается тем, что в формирователь импульсов введены дополнительный транзистор п-р-п-типа, конденсатор и резистор„ причем коллекторно-эмиттерный пере.ход дополнительного транзистора включен между эмиттером третьего транзистора и положительной шиной лсточника питания, а база его подключена через форсирующую цепь к второму входу устройства, дополнительный резистор включен между базой дополнительного транзистора и общей шиной, дополнительный конденсатор подключен между первым входом устройства и базой первого транзистора.

На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого формиро- . вателя импульсов.

Устройство содержит первый транзистор 1 п-р-п-типа, база и коллектор которого соответственно соединены с коллектором второго транзистора 2 р-п-р-типа и с коллектором третьего транзистора 3 р-п-р-типа, дополнительный транзистор 4 и-р-итипа, эмиттер которого соединен с эмиттером транзистора 3, первый вход 5 устройства, который через введенный конденсатор 6 и резистор 7

1р соединен с транзисторами 1 и 2, вто-. рой вход 8 устройства, который через конденсатор 9 и резистор 10 форсирующей цепи соединен с транзисторами 3 и 4. База транзистора 4 соединена через введенный резистор 11 с общей шиной 12. Позициями 13 и 14 обозначены соответственно отрицательная и положительная шин@ питания. Транзистор 1 с диодом 15 образуют ключ с нелинейной диодной обратной связью.

Устройство работает следующим образом.

Управляющие импульсы положитель15 ной полярности От TTJI или КМОП ло гических элементов подаются на входы 5 и 8 устройства. При подаче на вход 5 высокого уровня логической 1 вне зависимости от потенциала, установленного на входе 8, на выходе формируется отрицательный фронт напряжения эа счет открывания ключа на транзисторе 1. Форсирование фронта осуществляется конденсатором

6, а поддержание низкого уровня на выходе — за счет тока базы транзистора 1, протекающего через резистор 7 и транзистор 2.

При подаче на первый вход низкого уровня логического 0 и переЗр ключении второго входа из состояния логического 0 в состояние логической l. на выходе формируетея положительный фронт напряжения. Форсирование тока эмиттера транэисто35 ра 3 осуществляется с помощью цепи на конденсаторе 9, резисторе 11 и транзисторе 4. Поддержание высокого уровня на выходе осуществляется с помощью тока, протекающего .через ре4р зистор 10 и открытый транзистор 3.

Формирователь предназначен для работы на емкостную нагрузку. Статическое потребление устройства может быть сведено к величине, пре45 небрежимо малой по сравнению с динамическим потреблением, т.е. вся энергия источников питания будет расходоваться на перезаряд емкостей нагрузки и собственных емкостей транзисторов °

Для обеспечения работы на значительную емкостную нагрузку формирователь может быть дополнен выходным пушпульным каскадом, не имеющим статического потребления.

Повышение быстродействия по заднему фронту отрицательного выходного.импульса по сравнению с прототипом достигается усилением форсирующего тока, протекающего через конденсатор 9, транзистором 4, включенным по схеме с общим коллектором. Этот усиленный ток форсируюцих емкостей и производит быстрый переэаряд емкости нагрузки и собст65

1081781

Составитель Ш.Шаряпов

Редактор Аг.Шандор . ТехредЛ.Мартяшова Корректор B. Бутяга

Заказ 1564/51 Тираж 862 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 венных емкостей транзисторов. форми- " рователей. B известном формирователе этот перезаряд производился током форсирующей цепи, прошедшим через каскад с общей базой, который усиления по току не производит.

Типичное быстродействие данных формирователей, которое может быть получено с применением современных биполярных транзисторов,следующее длительности фронтов на нагрузке

100 пФ при размахе выходного напряжения 15 В составляют менее 15 нс.