Способ изготовления многоэлементных полупроводниковых приборов

Способ изготовления многоэлементных полупроводниковых приборов

Реферат

Способ изготовления многоэлементных полупроводниковых приборов, включающий разделение р-n-структур большой площади пазами с двух сторон на элементы и приварку металлических выводов путем приложения давления и температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности и улучшения электрофизических параметров многоэлементных приборов, перед разделением структуры на элементы из металлической проволоки, образующей эвтектический сплав с полупроводниковым материалом, изготавливают группы контактных шин, которые прикладывают к полупроводниковым структурам и устанавливают в пакет последовательно с прижимным элементом, помещаемым в раму, выполненную из материала, отличного от материала прижимного элемента, толщину которого подбирают из условия H = A(nd+h), где - соответственно температурные коэффициенты линейного расширения материалов прижимного элемента и рамы пресса; n - число групп контактных шин; = 0,3 - 0,4 - коэффициент, учитывающий деформацию проволочной шины = (_L-T)^-1, Т - температура вплавления материала проволоки в полупроводник (К); d - диаметр проволоки; h - суммарная толщина пакета, составленного из полупроводниковых пластин, контактных групп, установочных диэлектрических пластин, причем величина составляет 1,2 - 2,0.