Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел - полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел - полупроводник

Реферат

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел - полупроводник, основанный на травлении окисла и регистрации электронограмм на отражение, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и снижения трудоемкости, травление окисла производят на клин со скоростью 3-4 Å/с, после чего производят дополнительное травление при температуре 1150-1180°С в течение 30-60 с в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород.