Усилитель мощности
Иллюстрации
Реферат
УСШШТЕЛЬ меднОСТИ, содер жащий соединённые последовательно ро постоянному току входной транзистор , включенный по схеме с общим эмиттербм, прямосмещенный диод, вы ходной транзистор, включённый по схе ме с общим коллектором, база которого соединена с коллектором входного транзистора и через резистор смещения с коллектором выходного транзистора , между эмиттером и коллектором которого последовательно включены конденсатор и резистор нагрузки, при этом входной и выходной транзисторы имеют одну структуру, о т л и ч а ю щи и с я тем, что, с целью повьшения КПД, между точкой соединения ко1зденсатора и резистора нагрузки и базой выходного транзистора введены последовательно соединеншле дополнительный резистор и дополнительный транзистор, имеющий другую структуру, включенный по схеме с общей базой.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЩ4АЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН
ГОС)(ДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
По ДЕЛАМ ИЗОН ЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИй
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
II B B TOP COOM V CBIVIBTBCBCTBV
-4 (21) 3376910/18-09 (22) 30. 12-81 (46) 30.03.84. Бюл. 9 12 (72) В.П.Заярный и Л.Ф.Лазарев (53) 621.375.024(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР
В 587599, кл. H 03 F, 1976.
2. "Радио", 1977, Р 1 ° с. 40, Т10 и Т9 (прототип). (54)(57) УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ, содержащий соединенные последовательно по постоянному току входной транзистор, включенный но схеме с общим эмиттербм, прямосмещенный диод, выходной транзистор, включенный по ewe ме с общим коллектором, база которо„„SU„„1083340 А
3(5g Н 03 F 3/42; Н 03 F 3/20 го соединена с коллектором входного транзистора и через резистор смещения с коллектором выходного транзис« тора, между эмиттером и коллектором которого последовательно включены конденсатор и резистор нагрузки, при этом входной и выходной транзисторы имеют одну структуру, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повваиения КПД, между точкой соединения конденсатора и резистора нагрузки и. базой выходного транзистора введены последовательно соединенные дополнительный резистор и дополнительный транзистор, имеющий другую структуру, включенный по схеме с общей базой.
1083340
Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в импульсных усилителях.
Известен усилитель мощности, содержащий два последовательно соединенных через диод транзистора одной структуры, база одного из которых соединена с коллектором другого транзистора и через резистор смещения с источником питания (1 . lO
Однако усилитель имеет сравнитель но малый КПД,, вследствие рассеивания мощности на резисторе смещения одного транзистора в моменты насьпцеиия другого. 15
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является усилитель.мощности, содержащий соединенные последовательно по постоянному току входной тразистор, включенный 20 па схеме с общим эмиттером, прямосмещенный диод, выходной транзистор, включенный по схеме с общим коллектором, база которого соединена с коллектором входного транзистора и че- р5 рез резистор смещения с коллектором выходного транзистора, между эмиттером и коллектором которого последо вательно включены конденсатор и резистор нагрузки, при этом входной и выходной транзисторы имеют одну структуру (21.
Однако известный усилитель мощ.ности имеет также малый ЕПД, так как потери выходного транзистора как по напряжению, так и по мощности в иа35 сыщении определяются напряжением коллектор — эмиттер, которое равно сумме напряжения база - эмиттер выходного транзистора и падению напря.жения на резисторе смещения. Для уменьшения потерь необходимо уменьшить, величину резистора смещения, однако s этом случае возрастает мощность рассеивания на этом резисторе в моменты насьицения входного транзистора (в нерабочий полупериод для выходного транзистора ).
Цель изобретения - sosaaaesme KIQ.
Поставленная цель: достигается тем, что усилитель мощности, содержащий соедйненные последовательно по постоянному току входной транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, прямосмещенный диод, выходной И транзистор, включенный по схеме с общим коллектором, база которого соединена с коллектором входного транзистора и через резистор смещения с коллектором выходного транзистора, между змнттером и коллектором которого последовательно включены конденсатор и резистор нагрузки, при этом входной и выходной транзисторы имеют одну структуру, между точкой соединения конденсатора и резистора нагрузки н базой выходного транзистора sseдены последовательно соединенные дополнительно резистор и дополнительный транзистор, имеющий другую структуру-; включенный по схеме с общей базой.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема усилителя мощности..
Усилитель мощности содержит входной транзистор 1, выходной транзистор 2, диод 3, дополнительный транзистор 4, резистор 5 смещения, резистор 6 нагрузки, конденсатор 7, дополнительный резистор 8, источник питания с шинами 9 и 10.
Усилитель мощности работает сле дующим образом..
В управляющий полупериод входного сигнала входной транзистор 1 насыщен и от шины 9 источника питания через резистор 6 нагрузки, конденса-. тор.7, диод 3 и входной транзистор 1 протекает ток — происходит заряд конденсатора 7, а на резисторе 6 нагрузки появляется напряжение. Под действием напряжения на резисторе 6 нагрузки и диоде 3 дополнительвый и выходной транзисторы 4 и 2 закрыты. В этот момент времени напряжение на резисторе 5 смещения равно напряжению источника питания.
В следующий полупериод входного сигнала входной транзистор 1 закрыт и конденсатор 7 начинает разряжаться.. через резистор 6 нагрузки, резистор 5 смещения и переход база - эмит-, тер выходного транзистора 2. Под действием тока разряда выходной транзистор 2 начинает открываться и конденсатор 7 дополнительно разряжается через выходной транзистор 2 и резистор 6 нагрузки. В результате на резисторе 6 нагрузки появляется напряжение обратной полярности, дополнительный транзистор 4 открывается и через дополнительный резистор 8, дополнительный транзистор 4 и переход база — эмиттер выходного транзистора 2 также начинает протекать ток з 1083340 4
1 разряда — выходной транзистор 2 на- транзистора 2). Так как ток через сыщается и все напряжение на конден- резистор 5 смещения обеспечивает саторе 7 прикладывается к резисто- . только начальное отпирание выходного . ру 6 нагрузки. Напряжение на ре- транзистора 2, то величина его созисторе 5 смещения в этот момент вре- g противления может быть взята на помени равйо разности напряжения откры- рядок больше сопротивления дополнитого перехода база — эмиттер, а на- тельного резистора 8. пряжение коллектор - эмиттер насыщен- Таким образом, введение в предланого выходного транзистора 2 близко гаемое устройство дополнительного к нулю. транзистора 4 и дополнительного ре,зистора 8 позволило уменьшить потери
Величина сопротивления дополнитель - в выходном транзисторе 2 и значительного резистора 8 выбирается из усло- но снизить рассеиваемую мощность на вия обеспечения насыщения выходного резисторе 5 смещения, а также повытранзистора. 2 по соотношению 98
Составитель И.Водяхина
Редактор А.Курах Техред П.Коцюбняк Корректор А.Дзятко,Заказ 1773/50 Тйраж 862 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", r.Óàãîðîä, ул.Проектная, 4