Регистр сдвига
Иллюстрации
Показать всеРеферат
РЕГИСТР СДВИГА, содержащий стеклянную подложку, на которой расположена доменосодержащая пленка, основную магнитожесткую аппликацию, над которой расположена изолированная от нее токовая шина, выполненная в виде последовательно соединенных клинообразных участков, отличающийся тем, что, с целью повьшения его быстродействия, он содержит дополнительные магнитожесткие аппликации , расположенные между домеиосо,;держащей пленкой к основной магнитожесткой аппликацией, изолированные от них и выполненные в виде чередующихся полос, размещенных под основаниями клинообраных участков шины, а основная магнитожесткая аппликация выполнена в форме сплошной прямоугольной полосы.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН (191 (11) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н АВЧ ОРСКОМУ СВИДЕ П:ЛИТВУ
ЬН; АЫ ;1 ": Ф
21) 3499993/18-24
° °
22) 14.10.82
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР пО делАм изОБРетений и ОтнРытий (46) 07.04.84. Бюл. М- 13 (72) Н.П. Васильева, В.И. Малютин и А,А. Факторович (71) Специальное конструкторское бюро вычислительных машин и Ордена
Ленина институт проблем управления (53) 681.327.66(088.8) (56) 1.Авторское свидетельство СССР
Ф 809385,кл. G 11 С 19/00, 1979.
2. Малютин В.И. и др. Градиенгное управление перемещением ЦМД. — Тезисы докл. IV Всесоюзной школы-семинара по доменным и магнитооптическим ЗУ. Тбилиси, 1981 (прототип). (54)(57) РЕГИСТР СДВИГА, содержащий стеклянную подложку, на которой расЗШ G 11 С 19/00 G 11 С 11/14 положена доменосодержащая пленка, основную магнитожесткую аппликацию, над которой расположена изолированная от нее токовая шина, выполненная в виде последовательно соединенных клинообразных участков, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения его быстродействия, он содержит дополнительные магнитожесткие аппликации, расположенные между домеяосо;,держащей пленкой и основной магнитожесткой аппликацией, изолированные от них и выполненные в виде чередующихся полос, размещенных под основаниями клинообраных участков шины, а основная магнитожесткая аппликация выполнена в форме сплошной прямоугольной полосы.
84895 1!
О
Цель изобретения — повышение быст-40 родействия регистра сдвига на ПИД.
Поставленная цель достигаетея тем, что регистр сдвига, содержащий стеклянную подложку, на которой расположена доменосодержащая пленка, 45 основную магнитожесткую аппликацию, над которой расположена изолированная от нее токовая шина, выполненная в виде последовательно соединенных клинообразных участков, содержит 50 дополнительные магнитожесткие аппликации, расположенные между доменосодержащей пленкой и основной магнитожесткой аппликацией, изолированные от них и выполненные в виде чередУю- 55 щихся полсс, размещенных под основаниями клинообразных участков шины, а основная: магнитожесткая апплика1 10
Изобретение относится к автоматике и вычислительной техние и может быть использовано в запоминающих устройствах на плоских магнит- . ных доменах (ПМД).
Известен регистр сдвига, содержащий низкокоэрцитивные каналы продвижения ПМД, окруженные высококоэрци- тивнь м массивом, шину удержания доменов, расположенную над укаэанными каналами продвижения магнитных доменов и составляющую с ними прямой угол, и стсп-шину зигзагообразной формы, расп.оложенную под углом к каналам продвижения ПИД (1 ).
Недостатками такого регистра являются невысокая плотность хранения информации, связанная с наличием нелокализованных полей от стоп-шины и шины удержания, и сложность обслуживающей электроники из-за большого количества управляющих полей., Наиболее близким по технической сущности к изобретению является регистр сдвига, содержащий стеклянную подложку, на которой расположена доменосодержащая пленка, основную магнитожесткув аппликацию, над которой расположена изолированная от нее токовая шина,, выполненная в виде последовательно соединенных клинообразных участков 523.
Недостатком известного регистра сдвига является относительно невысокое быстродействие, обусловленные недостаточной величиной составляющей градиента магнитных полей по оси трудного намагничивания (ОТН), создаваемых магнитожесткой аппликацией. ция выполнена в форме сплошной прямоугольной полосы.
На фиг. 1 изображена конструкция регистра сдвига; на фиг. 2 — распреде.ление магнитных полей; на фиг.3 процесс сдвига ПИД.
Регистр сдвига (фиг. 1) содержит стеклянную подложку 1, на которой расположена доменосодержащая пленка 2, основную магнитожесткую аппликацию 3, над которой расположена изолированная от нее токовая шина 4, выполненная в виде последовательно соединенных клинообразных участков, дополнительные магнитожесткие аппликации 5, шину 6 записи и диэлектрические слои 7.
Дополнительные магнитожесткие аппликации 5 расположены между доменосодержащей пленкой 2 и основной магнитожесткой аппликацией 3 и изолированы от них. Магнитожесткие аппликации выполнены в виде чередующихся полос, размещенных под основаниями клинообразных участков шины, Основная магнитожесткая аппликация выполнена в форме сплошной прямоугольной полосы, Устройство работает следующим образом.
В исходном состоянии доменосодержащая пленка 2 (фиг. 1а) намаг— ничена до насыщения вдоль оси легкого намагничивания (ОЛН).
Основная магнитожесткая аппликация
3 и дополнительные магнитожесткие аппликации 5 намагничены таким образом, что постоянное локальное поле на их краях ("+" и "-") совпадает с направлением намагниченности ПМД и имеет величину, изменяющуюся на полупериоде структуры Т/2 от Н до Н + Н. °
При подаче импульса тока записи поле, создаваемое по оси трудного намагничивания (OTB) шиной записи 6, совместно с полем основной магнитожесткой аппликации 3 создает в выбранном участке пленки домен обратной намагниченности (фиг. За).Этот домен под действием составляющей градиента поля дополнительных магнитожестких аппликаций по ОТН сдвигается в магнитостатическую ловушку под магнитожесткой аппликацией
5 (фиг. Зб),где и хранится в состоянии устойчивого равновесия под действием поля Но + Н„ .Рост домена вдоль
ОЛН ограничен наличием поля стабилизации доменов. Для дополнительного игииы г к conn.
3 10848 ограничителя роста ПМД по ОЛН, а также для создания замкнутых регистров возможно использование в структуре низкокоэрцитивных каналов для сдвига
ПМД, окруженных высококоэрцитивным массивом.
При подаче кратковременного однополярного импульса токовая шина 4 создает периодическое поле, имеющее компоненту градиента по ОТН, под щ действием которой домен сдвигается в позицию промежуточного хранения б — ц (фиг. Зв). Затем домен под дей95 4 ствием компоненты градиента, поля по
ОТН, создаваемой локальными полями дополнительных магнитожестких аппликаций, сдвигается в следующую позицию устойчивого хранения cf 1 — < (фиг. Зв). Дальнейший сдвиг доменов происходит аналогично описанному.
Использование предложенного регистра сдвига позволяет при сохранении высокой плотности записи информации увеличить быстродействие (рабочую частоту) устройства.
1084895
Составитель 10. Розенталь
Техред О.Неае Корректор А . Ил ьнн
Редактор С. Саенко
Заказ 2024/49 Тирж 575 Подписное
ВНИИПИ Государстненно: о комитета СССР по делам изобретений и открытий
1I3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная„ 4