Резистивный материал
Иллюстрации
Показать всеРеферат
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ,содержа1ций токопроводящую композицию на основе углеродсодержащей фазы с металлической добавкой, отличающий с я тем, что, с целью уменьшения величины температурного коэффициента сопротивления резистивного материала , в качестве углеродсодержащей фазы с меташшческой добавкой использовано слоистое соединение пиролитического гра4н1та с цезием с концентрацией цезия в пнрдлитическом графите, соответствующей фазовому составу . (Л 00 Ю О 2-S TfStfSit
4 (1Ю (11) СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОЧНРЫТИЙ
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ н лвто скомм евидитальствм
-10 (21) 2901413/18-21 (25) 3352143/IS-21 (22) 26.03.80 (46) 15.04.84. Бюл. II - 14 (72) И. Г. Гвердцители, А. Г. Каландаришвили, Ш. Ш. Шартава и В. П. Зайцев (53) 621,396.69 (088.8) (56)1. Иартюшов К.И., Зайцев 10.В.
Технология производства резисторов.
И., "Высшая школа", 1972, с. 141
2. Заявка Франции У 2389984 ° кл. Н 01 С 7/06, опублик. 1979 (прототип), (54) (57) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, содержащий токопроводящую композицию на основе углеродсодержащей фазы с металлической добавкой, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью уменьше" ния величины температурного коэффициента сопротивления резистивного материала, в качестве углеродсодержащей фазы с металлической добавкой использовано слоистое соединение пиролитического графи а с цезием с концентрацией цезия в пиролитическом графите, соответствующей фазовому составу
С Cs, f 1086
Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для изготовления резисторов.
Известен реэистивный материал,проводящий слой которого выполнен на ос1" нс ве .пиролитического углерода, полученного разложением углеводородов при высокой температуре в вакууме или в среде инертного газа fl).
Недостатком этого реэистивного ма- 10 териала является высокий температурный коэффициент сопротив. .ения, Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является резистивный материал, проводящая компо-15 зиция которого состоит иэ полупроводникового вещества, полученного пиро-.. лизом углеродсодержащего соединения, легированного элементами третьей— пятой групп периодической системы 1 2).
Недостатком данного резистивного материала также. является высокий теипературный коэффициент сопротивления.
Цель изобретения — уменьшение величины температурного коэффициента сопротивления резистивного материала.
Поставленная цель достигается тем, .-:то в резистивком материале, содержащем гокопроводящую композицию íà ос"
30 нове угперодсодержащей фазы с металлической добавкой, в качестве угле" родсодержащей фазы с металлической добавкой использонако слоистое соединение пиролитического графита с цезием с концентрацией цезия в пиролитическом графите, соответствующей фазовом составу С Сз
Пример. Изготовление слоистых соединений пиролитического графита со щелочными металлами заключается
40 во взаимодействии образца пирографкта с параии щелочкого металла при давлении 133,3 Па и температуре образца
300 С в предварительно вакуумироканном объеме. При этом происходит внед45 рение щелочного металла в пирографит, Контроль за качеством внедренного щелочного металла осуществляется по изменению линейного размера образца пирографита вдоль кристаллографичес50 кой оси С.
Величину электросопротивлекия, а . также ТКС получаемого при этом резистивного материала можно регулировать изменением количества добавки цезия. Например, отношение удельных электросопротивлекий пирографита и.. соединения С Сз.при 50 С равно 260, 466 1 а температурный коэффициент сопро" тивления соответственно равен -1< . 10 град и +1,7.10 град ".
На фиг. 1 представлена кривая за" висимости температурного коэффициента сопротивления от удельного содержания цезия в пиролитическом графите (при
m = 0,3 m температурный коэффициент сопротивлейия образующегося соединения близок к нулю); на фиг. 2 — кривые зависимости удельного электросопро- тивления пи роли тиче с ко го графит а и е го соединений с цезием от температуры для различных удельных содержаний цезия в графите (кривая 1 соответствует пирографиту, кривые 2, 3, 4 и 5 соответствуют резистивному материалу с содержанием цезия в соотношении m щ „ 0,32„ 0,65; 0,98;
1 07 соответственно.
Как видно из фиг. 2, кривые 2 и 4, соответствующие удельным содержаниям цезия в. графйте 0,32 и 0,98 практически не зависят от температуры в интервале 50-300 С. о
Применение резистивкого материала на основе пиролитического графита с щелочными металлами в качестве проводящей композиции позволяет создавать резисторы с очень низким (близ" ккм к О) значением температурного коэффициента сопротивления.
Физическое состояние системы "щелочной металл - графит" — твердый раствор внедрения, а геометрическая
1 форма может быть произвольной при сохранении предлагаемого условия.Агрессивность системы "щелочной металл— графит" значительно меньше,чем жидкого щелочного металла, а в случае не-,. обходимости полного исключения кон-. такта с атмосферой резистивный материал можно герметизировать. Предлагаеиый резистивкый материал может найти применение в тех же областях, где прииеняются стандартные прецизионные резисторы. Что касается предельной концентрации щелочкого металла, при которой величина ТКС отвечает заданной конечной величине, то измекение концентрации цезия в пкрографите на + ЗХ не приводит к изменению ТКС предлагаемого резистивного материала
Применение резистивкого материала на основе пиролитического графита с цезиеи s качестве проводящей композиции позволяет создавать резисторы с высокой териостабильностью.
1086466
0N
0025
У
Составитель Н, Кондратов
Техред В.,далекорей Корректор И. демчик—
Редактор N. Петрова
Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4
Заказ 2259/48 Тираж 683 Подписное
ВНКИПИ Государственного ко11нтета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5