Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на натяжении технологических струн, последовательном вплетении в них проводников адресных обмоток путем прокладывания провода вместе с ограничительной прокладкой в аев, образсюанный технологическими струнами, регулировании зева, извлечении ограничительной прокладки, перенесении сформсяаанных проводник к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технолотических , отличающийся тем, что, с целью псюьпиения наде ююсти изготовления запоминающих матриц путем устранения офывов адресных обмоток, увеличивахуг зев в начале зоны формовки каждого проводника, перемешают провод к вплетенным прсюодникам до зажатия его крайними разведенными струнами в начале зоны формовки со стороны, противоположной свободному концу провода, формируют возрастающий угол обратного зевообразсшания в нешравлении свободного Кчаа провода поочередно каждой разведеннсА технологичес (Л . кой струной, а перемещение сфсфмованных: проводников к адресным обмапсам производят при фиксированном обратном зеве. о 00 СХ) о О) UD

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

COUN

РЕСПУБЛИН

„.SU„„1088069 А

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

« °

° «В

° ° г г

rocyl xee ssA Ho arm cccp по дкл м изот=ткний и отнятий (21) 3535001/18-24 . (22) 06.01.83 (46) 23.04.84. Бюл.-34 15 (72) Н.В. Косинов и В.М. Кузьменко (53) 681.327.66 (088.8) (56) 1. Авторское свидетельсвто СССР

Ж 474842, кл. 6 11 С 5/02, 1973, 2. Авторское свидетельство СССР

М 566267, кл. (j 11 С 11/14, 1975 (прототип). (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ЗАПОМИНАЮЩИХ MATPHU НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на натяжении технологических струн, последовательном вплетении в них проводников адресных обмоток путем прокладывания провода вместе с ограничитежной прокладкой в ээв, образованный технологическими струнами, регулировании зева, извлечении ограничительной прокладки, перенесении сформованных проводников к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн1 О т л и ч & ю ш и и с я тем, что, с пелью повыщения надежности изготовления запоминающих матрип путем устранения обрывов адресных обмоток, увеличивают эев в начале зоны формовки каждого проводника, перемещают провод к вплетенным проводникам до зажатия его крайними разведенными струнами в начале зоны формовки со стороны, противоположной свободному концу провода, формируют возрастающий угол обратного эевообразования в направлении свободного к чпа провода пооче- Я редно каждой разведенной технологической струной, а перемещение сформованных проводников к адресным обмоткам производят при фиксированном обратном зеве.

1 1088

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при .построении запоминающих устройств на пилиндрических магнитных пленках.

Известен способ изготовления заломинающих матриц на цилиндрических маг5 нитных пленках, основанный на натяжении технологических струн, последовательном вплетении в них проводников адресных обмоток путем прокладывания их в зев под углом к технологическим стру= нам, перемещения технологических струн, перемещении сформованного проводника к адресным обмоткам при закрытом зе=ве, заливке компаундом и извлечении технологических струн 1 ) .

Однако при закрытии зева в его нейтральное положение провод зажимается одновременно несколькими соседними смрунами, которые препятствуют егo свободному перемещению к месту формов.

20 ки. В результате этого придание проводу волнообразной формы происходит за счет его деформации и растяжения, что приводит к обрывам проводников адресных обмоток. Кроме того, подбивка сформо25 ванных проводников к адресным обмоткам при нейтральном зеве приводит к их изгибам и деформациям, нарушению формы витков, что также вызывает обрывы проводников адресных обмоток. зо

Наиболее близким к изобретению является способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках, который основан на натяжении технологическихструн,последовательном вплетении в них проводников обмоток путем прокладывания провода вместе с ограничительной прокладкой в зев, образованный технологическими струнами, под углом z ним, регулировании зева, извлечении технологической прокладки, перемещении сформованного проводника, заливке компаундом и извлечении технологических струн f23 .

Однако изготовление запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках известным способом приводит к неравномерной глубине формовки нровода по его длине в направлении от опуш- 5 5 ки полотна в сторону свободного конца щювода, причем вследствие различной величины отстояния участков провода от сплетенных обмоток у опушки полотна г происходит неполная формовка провода, а в сторону свободного конца провода происходит увеличенная глубина формовки провода. Кроме того, изготовление матриц из069 2 вестным способом приводит к образованию значительных петель по краям полотна и к неплотному охвату проводом крайних струн, что нарушает геометрические

I размеры изготавливаемых матриц.

Бель изобретения - повышение надежности изготовления запоминающих матриц путем устранения обрывов адресных обмоток.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления запоминающих матриц на цилиндрических;магнитных пленках, основанном на натяжении технологических струн, последовательном вппетении в них проводников обмоток . путем прокладывания провода вместе с ограничительной прокладкой в зев, образованный технологическими струнами, регулировании зева, извлечении orраничительной прокладки, перенесении сформованных проводников к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн, увеличивают зев в начале зоны формовки каждого проводника, перемещают провод к„вплетенным проводникам до зажатия его крайними разведенными струнами в начале зоны формовки со стороны, противоположной свободноь.у концу провода, формируют возрастающий угол обратного зевообразования в направлении свободного конца провода поочередно каждой разведенной технологической струной, а перемещение сформованных проводников к адрес:ным обмоткам щюизводят при фиксированном обратном зеве.

Плетение обмоток матриц осуществляют на любом приспособлении, специальном устройстве или ткацком станке, имеющем эевообразующий механизм.

На фиг. 1 схематически показана операция увеличения зева в начале зоны формовки провода:, на фиг. 2 - сформованный провод технологическими струнами после извлечения технологической прокладки с возрастающими углами обратного зевообразования в с горону свободного конца провода, на фиг. 3 - вид А на фиг. 2.

Изготовление запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках в соответствии с предложенным способом осуществляют следующим образом.

На ткацком станке в качестве основы натягивают четные 1 и нечетные 2 технологические струны, обеспечивая уменьшение степени натяжения струн от средних к крайним, Струны 1 и 2 разводят для образования зева. В зев вводят про3 1088 водник 3 совместно с ограничительной прокладкой 4 под углом K технологичес

«им струнам. Путем перемещения ограничительной прокладки 4 к сформованнь м щхн одникам увеличивают зев В начале зоны формовки провода 3 у «рая матрицы. После этого проводник 3 перемещают к сформованным виткам до зажатия его крайними разведенными струнами 1 и 2 при увеличенном зеве в начале зо- щ ны формовки со стороны, противоположной свободному концу провода, и располагают его по линии формовки.

Это дает возможность уменьшить общую длину проводника, приходящуюся на один виток и тем самым уменьшить раз-.. мер петли по краям матрицы. Уменьше . ние петель на краях матрицы создает условия для плотного охвата витками крайних струн, что сохраняет геометрические размеры матрицы и улучшает магнитные характеристики крайних каналов матрицы.

После укладки проводника 3 производят регулирование зева. Для этого пере > мешают струны 1 и 2 навстречу друг другу в сторону закрывания зева. При этом струны 1 и и встречают на своем пути ограничительную прокладку 4, котоРая задерживает в открытом зеве с ЗО ки струн 1 и 2 от вершины углов зева до мест, касания с прокладкой 4. Другие участки струн 1 и 2 от мест касания с прокладкой 4. сводят в плоскость нейтрального положения и, не меняя на-35 правления их движения, разводят в направлении открывания очередного зева. Sa«« тем извлекают ограничительпую прокладку 4 в сторону свободного конца прово да. Технологические струны 1 и 2 нри сходе с кромки прокладки 4 последова40 тельно образуют возрастающий обратный

069 4 зев в направлении свободного конца провода и производят формовку провода 3.

Необходимая глубина формовки дРовода 3 у,края матрицы, противоположного свободному концу прово„динка, обеспечивается за счет увеличенного зева в данной зоне, что создает увеличенную амп» литуду движения крайних струн при cxoge с кромки прокладки 4. Необходимая гЛ бина формовки провода 3 от середины матриша к краю в направлении свободного конца проводника обеспечивается воз-, растающим углом обратного зевообразования струн в направлении свободного кониа провода. Струны 1 и 2 опираются на форму- .

:емые участки провода 3, причем за счет ;возрастающего угла обратного зевообразования, чем ближе к свободному концу провода, тем больший участок струны опирается на него. Однако вследствие уменьшения степени натяжения струн от середины матрицы к ее краю не проис ходит черезмерной гдубины формовки участков провода в данной зоне. Этим обеспечивается Равномерная глубина формовки провода по всей длине витка. к

Перемещение сформованных проводников к адресным обмоткам производится . при фиксированном обратном зеве. При этом сформованный проводник сходит с разведенных струн 1 и 2 к адресным обмоткам к вершине зева, освобождая струны. Сформованный проводник из напряженного состояния переходит s свободное, поскольку HpH cRolla co струи, образующих обратный зев, давление на проводник струнами уменьшается по мере приближения его к адресным обмоткам.

Это сохраняет форму витков и исключает обрывы адресных обмоток матрицы, что повышает надежность ее изготовления.

1088069

Составитель Ю. Розенталь

Редактор П. Коссей Техред 0.Неце Корректор Г. Orap

Заказ 2681/49 Тираж 575 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по дедам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Финиаа ППП Патент" r. Ужгород, ул. Проектная, 4