Способ получения фотоэлектрически чувствительного материала

Способ получения фотоэлектрически чувствительного материала

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

I. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА , включающий нанесение на подложку слоя оксида свинца (П) с последующим обжигом в атмосфере кислорода, отлнч ающийся тем, что, с цепью улучшения фотодиэлектрических характеристик материала, на слой оксида свинца (П) дополнительно наносят слой смеси сурика с 5-15 мас.% полимерного связующего и высушивают. 2. Способ по п. I, отличающийся тем, что высушивание ведут при 80-120°С. О) с:

СОЮЗ СОВЕТСКИМ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1089051

gyp С 01 G 21/10

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЭОБРЕТЕНИЙ И OTHPbfTMA

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3470374/23-26 (22) 08.07.82 (46) 30.04.84. Бюл. У !6 (72) В. А. Извозчиков, В. Т. Аванесян и !О. Х. Паландузяи (71) Ленинградский ордена Трудового

Красного Знамени государственный педагогический институт им. А. И. Герцена (53) 667.622.115.13(088.8) (56) 1. Кишмария С. P. Канд. дис.

ЛГПИ им. А. И. Герцена, Л., 1972, с. 167.

2. Авторское свидетельство СССР

У 513936, кл. С 01 G 21/10, !973 (прототип) . (54) (57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА, включающий нанесение на подложку слоя оксида свинца (П) с последующим обжигом в атмосфере кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения фотодиэлектрических характеристик материала, на слой оксида свинца (П) дополнительно наносят слой смеси сурика с 5-15 мас.X полимерного связующего и высушивают.

2. Способ по п. 1, о т л и ч аю шийся тем, что высушивание дут ри 8О-!20 С.

Изобретение относится к способу получения фотоэлектрически чувствительного материала и может быть использовано в производстве оптического стекла (флинтгласса), в лакокра- 5 сочном производстве для создания антикоррозийных покрытий, в электротехнической промышленности.

Известен способ .получения фотоэлектрически чувствительного матерна-10 ла, заключающийся в окислительном обжиге пленок оксида свинца (П) при

475-485 C t 1j.

Недостатком данного способа являетсЯ то, что полУчаемые слои имеют 15 нестабильные фотодиэлектрические параметры, низкие значения фотоемкости и высокие величины диэлектрических потерь.

Наиболее близким по технической 20 сущности и достигаемому результату к предлагаемому является способ получения фотоэлектрически чувствительного материала, включающий нанесение на подложку слоя оксида свинца (П) с 25 последующим нагревом и обжигом в атмосфере кислорода при 475-481оС со скоростью подъема температуры 7-13 С/

/мин, начиная с 95-105 С $23.

Недостатком способа является то, что получают материал с нестабильными диэлектрическими параметрами, низкими значениями диэлектрической проницаемости Х (14,6-2)) и фотоемкости (темновое значение емкости С состав-З ляет 110-130 пФ) и высокими величинами тангенса диэлектрических т отерь (0,061-0,12), Ыель изобретения — улучшение фотодиэлектрических характеристик матери- о ала.

Поставленная цель достигается способом, включающим нанесение на подложку слоя оксида свинца (П) с последующим обжигом в атмосфере кислорода,, и нанесение слоя смеси сурика с 5 15 мас, полимерного связующего с последующим высушиванием при 80-120 С. о

При содержании в смеси полимерного связующего в количестве менее 57 и более 157 не имеет места повьппение диэлектрической проницаемости и снижение тангенса диэлектрических потерь, причем указанные характеристики материала являются нестабильными, 55

При температуре высушивания ниже

80 С резко возрастает продолжительо ность процесса, а увеличение темпе51 2 ратуры выше 120 С приводит к потере связующим пластических свойств.

Пример 1, Берут 200 мг nopom кообразного химически чи(того оксида свинца (II) и засыпают в платиновую лодочку испарителя вакуумной установки для напыления. При вакууме

10 мм рт.ст. прогревают подложку в течение 1 ч при 60 С. Затем в подколпачное устройство вводят кислород до давления 5 ° 10 З мм рт.ст. При заданном давлении кислорода распгавляют оксид свинца (II) и производят напыление его на установленную на расстоянии

50 мм от испарителя подложку.

Полученный слой оксида свинца (II) обжигают в муфельной печи или в атмосфере кислорода при 100-480 С со о скоростью 10 С/мин. IIp» соблюдении этих условий на подложке получа|от слой сурика толщино" 10 мкм.

Затем порошок химически чистого сурика измельчают и прокаливают для вьп1аривания из него влаги при 350400 С в течение 45-60 мин и засыпают в стеклянный стакан с органическим связующим — полибутилметакрилатом в соотношении, мас.7.:

Порошок зО 85

Полибутилметакрилат 15

В стакан помешают несколько агатовых или стеклянных шариков (применекие для этой цели металлических ша риков исключено во избежание попадания металлических включений в слой), закрывают герметично стеклянной крышкой, размещают его на центрифуге так, чтобы ось вращения совпадала с осью симметрии „стакана и вращают его co скоростью 40 об/мин в течение 3 ч.

После диспергирования образовавшуюся смесь сурика с полимерным связующим наносят с помощью пульверизатора на полученный слой сурика толщиной

10 мкм до достижения общей толщины структуры 50 мкм. Полученную структуо ру высушивают пои 80 С в течение 5 ч.

1.

Фотодиэлектрические характеристики материала при этом следующие: диэлектрическая проницаемость составляет

29,5, тангенс диэлектрических потерь

tg6 2 -10, темновое значение емкости Со 250 пф, фотоемкость при освещении белым светом 10 лк Сф 320 пФ, 2

Отклонения от значений перечисленных фотодиэлектрических характеристик материала после хранения в течение

10890

Составитель Н. Строганова

Редактор Т. Портная Техред В,далекорей Корректор В.Синицкая

Тираж 464 Подписное

ВНИИПИ Государственного комит та СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 2856/19

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

;2 мес. на воздухе по сравнению с начальными не превышают 2-3%.

Пример 2. Условия получения и обжига слоя оксида свинца (II) для образования слоя сурика такие же, как и в примере I. При загрузке ших" ты весом 500 мг получаемый слой сурика имеет толщину 40 мкм.

Смесь сурика и полимерного связу- 0 ющего получают, как в примере 1. Соотношение порошка сурика и связующего составляет, мас.%:

Порошок PC 0 90

Сополимер стирола 15 с дивинилом 10

Толщину структуры доводят после полива до 70 мкм и проводят сушку при 100 С в течение 4 ч.

Фотодиэлектрические характеристики 30 материала при этом следующие: Е 32, 8 д 5 10 ч Со 270 пФ, С, =

= 372 пФ. После хранения в течение

2 мес.на воздухе фотодиэлектрические характеристики материала по сравне- 25 нию с их начальными значениями практически остаются неизмененными.

Hp и м е р 3. Условия получения и обжига слоя оксида свинца (II) для образования слоя сурика такие же, как в примере 1. При загрузке шихты весом 900 мг получаемый слой сурика имеет толщину 60 мкм.

Смесь сурика и полимерного связующего получают, как в примере 1. Соот. ношение порошка сурика и связующего составляет, мас.%:

Порошок РЕ 0 .

Кремнийорганйческий лак КО-815 5

Толщину структуры доводят после полива до 90 мкм и проводят сушку при 120 С в течение 3 ч.

Фотодиэлектрические характеристики материала при этом следующие;

E = 30, tpд" = 6.10, Ст= 260 пФ, С = 360 пФ и после хранения на воздухе в течение 2 мес,разброс значений указанных характеристик не превышает

3%.

Таким образом, предложенный способ позволяет повысить стабильность фотодиэлектрических характеристик, значительно уменьшить диэлектрические потери, а также увеличить диэлектрическую проницаемость и фотоемкость фотоэлектрически чувствительного материала..