Одновибратор

Одновибратор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОДНОВИБРАТОР, содержащий первый транзистор, коллектор которого соединен с первым выводом первого резистора, а эмиттер через второй резистор - с шиной первого источника питания, второй транзистор противоположного типа проводимости, база которого соединена с коллектором первого транзистора, а эмиттер через третий резистор - с шиной второго источника питания и через конденсатор - с эмиттером первого транзистора , отличающийся тем, что, с целью повьшюния чувствительности и быстродействия, в него введены третий транзистор, база которого соединена с общей гаиной, а эмиттер и коллектор через четвертый и пятый резисторы - с тинами первого и второго источников питания соответственно ,, и тестой резистор, включенный между коллектором второго транзисто§ ра и общей гаиной, причем база первого транзистора соединена с змит (Я Тером, а второй вывод первого резистора - с коллектором третьего транзистора .

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

Н 03 K 3/284

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ll3 " " - ц

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3286732/! 8-21 (22) 13.05.81 (46) 07.05.84. Бюл, 17 (72) М.Н.Омельяненко и А.А.Омельяненко (71) Московский институт радиотехники, электроники и автоматики и Объединенный институт ядерных исследований (53) 621.374.5(088.8) (56) 1. Справочник по импульсной технике. Под ред. З.Н.Яковлева. "Техника", 1972, с.238, рис.6,7 (прототип). (54)(57) ОДНОВИБРАТОР, содержащий первый транзистор, коллектор которого соединен с первым выводом первого резистора, а эмиттер через второй резистор — с ниной первого источника питания, второй транзистор противоположного типа проводимости, база

„.SU„„1091314 А которого соединена с коллектором первого транзистора, а эмиттер через третий резистор — с шиной второго источника питания и через конденсатор — с эмиттером первого транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности н быстродействия, в него введены третий транзистор, база которого соединена с общей шиной, а эмиттер и коллектор через четвертый и пятый резисторы — с шинами первого и второго источников питания соответственно, и шестой резистор, включенный между коллектором второго транзистора и общей шиной, причем база первого транзистора соединена с эми-,— тером, а второй вывод первого резистора — с коллектором третьего транзистора..1091314

30

Изобретение относится к импульсной технике и может найти применение в формирователях импульсов с детектором ядерного излучения и других устройствах для формирования импульсов короткой длительности.

Известен одновибратор, содержащий первый транзистор, коллектор которого через первый резистор соединен с шиной второго источника питания, эмиттер через второй резистор — с шиной первого источника питания, а база — с общей шиной, второй транзистор противоположного типа проводимости, база которого соединена с коллектором первого транзистора, эмиттер через третий резистор — с шиной второго источника питания и через конденсатор с эмиттером пер-вого транзистора, а коллектор — с общей шиной 11 .1.

Основными недостатками данного устройства являются относительно малая чувствительность и низкое быстродействие. Малая чувстви Рель— ность связана с ограниченной возможностью известного устрбйства по усилению запускающих сигналов ° Отно— сительно низкое быстродействие обу<ловлено необходимостью заряда емкостей коллекторно-ба.зовbPc переходов обоих транзисторов как в момент запуска, так и в регенеративном процес. се, Прн этом под увеличением быстродействия одновибраторов подразумевается минимизация времени задержки достижения выходного импульса одновибратора определенной амплитуды, способной запустить последующее регистрирующее устройство.

Цель изобретения — одновременное повышение чувствительности и быстродействия одновибратора.

Поставленная цель достигается тем, что в одновибратор, содержащий первый транзистор, коллектор которого соединен с первым выводом первого резистора„ а эмиттер через второй резистор — с ниной первого источника питания, второй транзистор противоположного тина проводимости, база которого соединена с коллектором первого транзистора, а эмиттер через третий резистор — с шиной второго источника питания и через конденса— тор — с эмиттером первого транзисто-ра,введены третий транзистор, база которого соединена с общей ниной, а эмиттер и коллектор через четвертый и пятый резисторы — с шинами первого и второго источников питания соответственно, и шестой резистор, соединяющий коллектор второго транзистора с общей шиной, причем база пергого транзистора соединена с эмиттером, а второй вывод первого резистора — с коллектором третьего транзистора.

На чертеже приведена схема одновибратора. Одновибратор содержит первый, второй и третий транзисторы

1 †;.первый и второй источники питания 4 и 5; резисторы 6-11 и конденсатор 12.

При этом коллектор первого транзистора 1 соединен с первым выводом первого резистора 6, а змиттер че— рез второй резистор 7 — с шиной первого источника 4 питания. Второй тран зистор 2 ба=.îé соединен с коллектором первого транзистора, а эмиттером через третий резистор 6 — с шиной второго источника питания 5 и че— рез конденсатор 12 — с змиттером червон о транзистора 1, Третий транзистор 3 базой соединен с общей шиной, а змиттером и коллектором через четвертый 9 и пятый 1О резисторы - с шинами первого 4 и второго

5 источников питания соответственно.

1Честой резистор 11 подключен между коллектором второго транзистора 2 и общей шиной, база первого тран зистора 1 соединена с эмиттером, а второй вывод гервого резистора 6 с коллектором третьего транзистора 3.

Одновибратор работает следующим образом.

В исходном состоянии транзисторы и 3 находятся в активном режиме, а транзистор 2 — в режиме микротоков, что достигается соответствующим выбором номиналов резисторов

6-10. Запускающий импульс поступает на эмиттер транзистора 3 и, усиливаясь, воздействует на базу транзистора 2, переводя его в активный режим. Цепь положительной обратной связи через конденсатор 12 замыкается„ и начинается релаксационный процесс опрокидывания одновибратора. Важно подчеркнуть, ч fo в ходе этого процесса транзисторы 1 и 3 оказываются включенными Tlo схеме составного транзистора, а в цепях за—

Составитель С,Агеев

Редактор А.Фролова Техред В.Далекорей Корректор JI.Ïèëèïåíêo

Заказ 3098/53 Тираж 862 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4

10913 ряда коллекторно-базовых емкостей транзисторов 1, 3 и 2 оказываются последовательно включенными сопротивлениями %в транзистора З,резисторов 6 и 11 ° Все зто способствует 5 ускорению процесса переключения одновибратора во временное устойчивое состояние. При зтом за счет резистора 11 транзистор 2 входит в насьпцение раньше транзистора 1, кото- lo рый, как и транзистор 3, остается в активном режиме, По окончании разряда конденсатора 12 заканчивается формирование длительности импульса и происходит обратный релаксационный процесс, скорость которого по те we причинам оказывается более высокой, чем у известного устройства.

Таким образом, введение дополнительнъ|х элементов позволит обеспечить одновременное повышение чувствительностн и быстродействия одновибратора.