Способ изготовления гетеролазерных структур на основе gaas- algaas

Способ изготовления гетеролазерных структур на основе gaas- algaas

Реферат

Способ изготовления гетеролазерных структур на основе GaAs - AlGaAs жидкофазной эпитаксией на подложках GaAs, включающий приготовление первого раствора-расплава для наращивания слоев AlGaAs, содержащего алюминий, галлий и мышьяк, и второго раствора-расплава для наращивания слоев GaAs, содержащего металл-растворитель и материал насыщения - арсенид галлия, и последующее наращивание эпитаксиальных слоев, отличающийся тем, что, с целью снижения деградации структур, улучшения их электрооптических характеристик и увеличения срока службы, в первый раствор-расплав дополнительно вводят 3-6 ат.% индия, а в качестве металла растворителя во втором растворе-расплаве используют висмут.