Фотогальванический элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ на основе безметального фталоцианина, размещенного в слое связующего диэлектрика , с барьерным и оптическими электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования энергии, барьерный электрод выполнен в виде слоя, содержащего металл с работой выхода ниже 4,7 эВ, а его окисел - с электрическим сопротивлением менее 200 Ом/оО ) с

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

3(51) Н 01 31/04!

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ПАТЕНТУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 2787394/18-25 (22) 02.07.79 (31) 921289 (32) 03.07.78 (33) США (46) 15.05.84. Бюл. ¹ 18 (72) Рафик О. Лофти (Канада), Чен-Куо Хсиао (КНР) и Джеймс Х.Шарп (Канада) (71) Ксерокс Корпорейшн (США) (53) 621.382(088.8) (56) 1. Патент США - 3844843, кл. 136-206, опублик. 29.10.79.

2. Патент США №- 3789216, кл. 250-21 1, опублик. 29.01.74 (прототип) .,SU „„1 093265 А (54) (57) ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ на основе безметального фталоцианина, размещенного в слое связующего диэлектрика, с барьерным и оптическими электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования энергии, барьерный электрод выполнен в виде слоя, содержащего металл с работой выхода ниже 4,7 эВ, а его окисел — с электрическим сопротивлением менее 200 Ом/р.

1093265

Составитель В. Манагаров

Редактор М, Дылын Техред Т.дубинчак

Корректор В, Синицкая

Заказ 3301/47

Тираж 683 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к оптоэлектронике, а именно к полупро1водннковым фотоэлементам, и может быть использовано при конструировании 5 недорогих и простых в изготовлении преобразователей энергии.

Известны солнечные элементы, в которых испощьзуются органические полупроводники, диспергированные в геле,1О дешевые простые в изготовлении 517.

Недостаткрм данных солнечньас элементов является крайне низкая эффективность преобразования энергии.

Яанболее близким техническим решением к изобретению является фотогальванический элемент ка основе безметального фталоцианина, размещенного в слое связующего диэлектрика с барьерным и оптическим электродом 23.

Однако такие элементы отличаются очень низкой эффективностью преобразования энергии.

Целью изобретения является повышение эффективности преобразования энер 5 гии.

Указанная цель достигается тем, что в фотогальваническом элементе на основе безметального фталоцианина, размещенного в слое связующего диэлектрике, с барьерным и оптическими электродами, барьерный электрод выполнен в виде слоя, содержащего металл с работой выхода ниже 4,7 эВ, а его окисел с электрическим сопро- З5 тиалением менее 200 Ом/и.

Такое сочетание работы выхода металпа н электрического сопротивления его окисла обеспечивает повышение эффективности преобразования энергии.

Так как безметальный фталоцианин, является полупроводником р --типа, используемый в качестве барьерного электрода металл должен характеризоваться низкой работой выхода. Известно, что оптимальная величина работы выхода находится в диапазоне от 3,8 до 4,5 эВ. В процессе изготовления для большинства металлов невозможно предотвратить окисление металла, образующего барьерный электрод. Однако при электрическом сопротивлении окисла, не превышающем 200 Ом/ш, подобное окисление не оказывает влияния на характеристики фотогальваннческого элемента. Типичными такими металлами являются индий н олово.

На чертеже показан фотогальванический элемент.

Слой безметального фталоцианина, размещенного в связующем диэлектрике, нанесен на оптический электрод 1, выполненный иэ золота, и образует фотоактивный слой 2, на котором сформи" рован барьерный электрод 3.

Фотогальванический элемент может быть легко изготовлен извес тными техно- логическимиметодами с использованием обычного оборудования и обеспечивает эффективность преобразования энергии, превышающую эффективность преобразования других фотоэлементов на основе недорогих органических фотоактивных материалов.