Преобразователь уровней

Преобразователь уровней

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УРОВНЕЙ, содержащий входной МДП-транзистор, затвор которого подключен к входу преобразователя, исток - к общей шине и эмиттеру выходного транзистора типа п-р-п, коллектор которого подключен к выходу преобразователя, первый вывод резистора подключен к шине питания, отличающийс я тем, что, с целью увеличения стабильности, в него введены два транзистора типа р-п-р, коллектор первого транзистора подключен к второму выводу резистора, база - к стоку входного МДП-транзистора, эмиттер - к коллектору второго транзистора , база которого подключена к S общей шине, а эмиттер - к базе вы (Л ходного транзистора. :о 4 СП

(1Е (11) СОЮЗ СОВЕТСНИХ

И.О .Ю

РЕСПУБЛИН

3(50 Н 03 К 19 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3559270/18-21 (22) 02.03.83 (46) 23.05.84. Бюл. 9 19 (72) Д.В. Игумнов, В.А. Масловский, Б.И. Лапшин, Г.П. Костюнина и И.С. Громов (71) Московский институт радиотехники„ электроники и автоматики (53) 621.375.083(008.8) (56) 1. Алексеенко А.Г., Иагури И.И.

Микросхемотехника. М,, "Радио и связь, 1982, с. 94, рис. 2.33:(а), 2. Мкртчян С.О. Преобразователи уровней логических сигналов. М.; Радио и связь, 1982, с. 61,. рис. 47 (прототип) °, (54) (57) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УРОВНЕЯ, содержащий входной МДП-транзистор, затвор которого подключен к входу преобразователя, исток — к общей шине и эмиттеру выходного транзистора типа п-р-п, коллектор которого подключен к выходу преобразователя, первый вывод резистора подключен к шине питания, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью увеличения стабильности, в него введены два транзистора типа р-п-р, коллектор первого транзистора подключен к второму выводу резистора, база - к стоку входного МДП-транзистора, эмиттер - к коллектору второго транзистора, база которого подключена к щ общей шине, а эмиттер — к базе вы ходного транзистора.

1094150

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для согласования уровней,логических сигналов различных элементов со схемами интегральной инжекционной логики (И Л).

Известен преобразователь уровней логических сигналов, содержащий многоколлекторный транзистор, база которого подключена к выходу делителя из двух резисторов (1).

Недостатками данного преобразова-. теля уровней являются наличие больших погрешностей в уровнях выходных сигналов при изменении напряжений источников питания из-за пульсаций напря- 15 жения источника питания и высокие требования к точности номиналов резисторов, так как для нормальной работы преобразователей необходимо выбирать резисторы больших номиналов,y0 что непросто выполнить достаточно точно в интегральном исполнении.

Наиболее близким к изобретению . по технической сущности является преобразователь уровней, содержащий 25 входиой МДП-транзистор, затвор которого подключен к входу преобразователя, исток — к общей шине и эмиттеру выходного транзистора типа и-р-п коллектор которого подключен к выходу преобразователя, первый вывод резистора подключен к шине питания, второй вывод — к истоку входного МДНтранзистора и базе выходного транзис. тора f23.

Недостатком известного устройства Ç5 является малая стабильность уровней логических .сигналов, вызванная измеt нениями напряжения источника питания и разбросом номинала резистора.

Пель изобретения - увеличение стабильности уровней логических сигналов преобразователя.

Поставленная цель достигается тем, что в преобразователь уровней, содер-4g жащий входной МДП-транзистор, затвор которого подключен к входу преобразователя, исток — к общей шине и эмиттеру выходного транзистора типа п-р-п, коллектор которого подключен 50 к. выходу преобразователя, первый вывод резистора подключен к шине питания, введены два транзистора типа р-п-р, коллектор первого транзистора подключен к второму выводу резистора, база — к стоку входного МДП-тран- зистора, эмиттер — к коллектору второго транзистора, база которого подключена к общей шине, а эмиттер — к базе выходного транзистора.

На чертеже представлена принципи- 60 альная схема преобразователя уровней.

Преобразователь уровней содержит входной МДП-транзистор 1, затвор которого подключен к входу 2 преобразователя, исток — к общей шине и эмит- Я теру выходного транзистора 3 типа п-р-п, коллектор которого подключен к выходу 4 преобразователя, первый вывод резистора 5 подключен к шине б питания, коллектор первого транзистора 7 типа р-и-р подключен к второму выводу резистора 5, баэа — к стоку входного МДП-транзистора 1, эмиттер — к коллектору второго транзистора 8 типа р-п-р, база которого под" ключена к общей шине, а эмиттер — к базе выходного транзистора 3.

Преобразователь работает следующим образом.

При низком уровне сигнала на входе 2 преобразователя входной МДПтранзистор 1 заперт.

При запертом входном МДП-транзисторе 1 ток его стока не протекает, поэтому и ток в цепи базы выходного транзистора 3 равен нулю. При открытом входном МДП-транзисторе 1 в цепи

его стока протекает ток Ic,, который является и током коллектора первого транзистора 7. Преобразуясь первым 7 и вторым 8 транзисторами, работающими в инжекционном режиме, этОт ток уменьшится (за счет рекомбинационных процессов в базах транзисторов) и в качестве тока I базы транзистора 3 может быть определен как

1И = 1с, 0 541 где c(1 - инверсный коэффициент передачи по току первого 7 и второго 8 .транзисторов для рассматриваемого. включения. Например, при Ic„ — 5 мА и К1 = 0,1 ток I )g = 25 мкА, что вполне достаточйо для управления выходным транзистором 3, являющимся . элементом И Л. В зависимости от конкретных технических требования Можно изменять величины и количество согласующих р-и-р транзисторов.

Поскольку предложенный преобразователь уровней предназначен для реализации в интегральном исполнении, изменение технологических режимов при его изготовлении будет однонаправленно изменять параметры всех входящих в нее транзисторов, не нарушая, уровней согласования, Аналогичное явление наблюдается и при изменении рабочей температуры при эксплуатации преобразователя уровней. Колебания напряжения источника питания и разброс номинала резистора 5 в меньшей. степени могут повлиять на значения логических уровней, поскольку напряжение на прямосмещен". ных р-и переходах первого 7 и второго 8 транзисторов практически постоянно

1094150

Составитель А.Янов

Техред A.Ач Корректор Г.Огар

Редактор С.Саенко

Тираж 862 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж- 35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 3456/45

Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул. Проектная,4

Технико-экономический эффект изоб.ретения заключается в увеличении стабильности уровней его логических аигналов, что увеличивает качество работы и надежность преобразователя тмвней.