Способ получения электрофотографического носителя

Способ получения электрофотографического носителя

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

).СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ, включгиощий вакуумное термическое напыление фотопроводниконого слоя переменного состава из раздельных емкостей для селена и теллура на движущуюся в направлении от емкости для селена к емкости для теллура электропроводящую подложку и нанесение внешнего транспортного слоя из органического материала, отличающийся тем, что, с целью повышения светочувствительности , после нанесения фотопроводникового слоя переменного состава осуществляют повторное вакуумное термическое напыление второго фотопроводникового слоя переменного состава при движении электропроводящей подложки в обратном направлении, причем первый слой фотопроводника напыляют при 35-65°С, а второй - при 20-30°С. 2. Способ по п.1, отличающий с я тем, что концентрацию теллура в конденсирующихся на фотоно (Л сителе парах изменгпот отО,1-2бат.% в направлении от емкости для селена к емкости для теллура.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

П9) (13) ЗСЮ С 03 0 5/082

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУЮ(ГОСУДАРСТБЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР по делАм изоБРетений и ОтнРытий (21 ) 3409363/28-12 (22) 16.03,82 (46) 07.06.84. Бюл. В 21 (72) Э.Ф.Ряннель. Л.В.Каплинская °

В.В.Наумкина и Н.В.Ермолаев (71) Переславский филиал Всесоюзного государственного научно-исследовательского и проектного института химико-Фотографической промышленности (53) 772.93(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

Р 995058, кл. 0 03 0 5/022, 1981. (54)(57.)1.СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОФО-

ТОГРАФИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ, включакщий вакуумное термическое напыление фотопроводникового слоя переменного .состава из раздельных емкостей для селена и теллура на движущуюся в направлении от емкости для селена к емкости для теллура электропроводящую подложку и нанесение внешнего транспортного слоя из органического материала, отличающийся тем, что, с целью повышения светочувствительности, после нанесения фотопроводникового слоя переменного состава осуществляют повторное вакуумное термическое напыление второго фотопроводникового слоя переменного состава при движении электропроводящей подложки в обратном направлении, причем первый слой фотопроводника напыляют при 35-65ОС, а второй — при 20-30ОC.

2. Способ по п.1, о т л и ч а— ю шийся тем, что концентрацию -Е теллура в конденсирующихся на фотоно сителе парах изменяют от 0,1-20 ать в направлении от емкости для селена; к емкости для теллура.

1096 599

Кроме того, концентрацию теллура в конденсирующихся на фотоносителе парах изменяют от 0,01-20 ат, Ъ н направлении от емкости для селена к емкости для теллура.

Толщина каждого слоя составляет

0,05-0,5 мам. Поверх инжекционного слоя наносят транспортирующий слой, содержащий поливинилкарбазол, полиэпоксипропилкарбазол или другие . органические полупроводники с пластифицирующими и сенсибилизирующими

1 но не обязательно) добавками.

Пример 1. В камеру вакуумной установки, содержащую устройство для перемотки подложки в ниде ленты, нагреватель подложки, два . алундовых испарителя, удаленных друг от друга на расстояние 80 мм, а от подложки на 150 мм, помещают ланса55

Изобретение относится к области электроАотографии и может быть использовано в производстве материалов для копировальной техники, микрофильмиронания, голографии, аэрокосмической съемки. 5

Известен способ получения электро,фотографического носителя, включавщий вакуумное термическое напыление фотопроводникового слоя переменного состава из раздельных емкостей для 1О селена и теллура на движущуюся н направлении от емкости для селена к емкости для теллура электропронодящую подложку и нанесение внешнего транспортного слоя из органического материала (13, Надостатком известного способа получения электрофотографического носителя является недостаточно высокая светочувстнительность электрофо- 2О тографического носителя н спектральной области 550-700 нм.

Целью изобретения является повышение светочунствительности электрофотографического носителя. 25

Для достижения поставленной цели согласно способу получения эльктрофотографического носителя, включающему вакуумное термическое напыление фотопроводниконого слоя переменного состава из раздельных емкостей для селена и теллура на движущуюся н направлении от емкости для селена к емкости для теллура электропроводящую подложку и нанесение внешнего транспортного слоя из органического материала, после нанесения фотопроводникового слоя перемен,ного состава осуществляют повторное вакуумное термическое напыление второго фотопроводникового слоя переменного состава при движении электропроводящей подложки в обратном направлении, причем первый слой фотопроводника напыляют при 35-65 С, а второй — при 20-30 С. 45 новую ленту — подложку, покрытую слоем никеля, н один из испарителей помещают селен,н другой — теллур.

Между испарителями размещают экран, предотвращающий их от взаимного загрязнения. Зону конденсации ограничивают с помощью подвижных экранов на расстоянии 30 мм по отношению к нормали от источника селена и теллура к подложке так, что ее длина составляет 140 мм.

Камеру откачинают до 510 мм рт.ст., подложку нагревают до 45 С, испаритель селена нагревают до 340 С, испаритель теллура до 460 С. При этом содержание теллура в конденсирующихся на подложку парах изменяется от 0,01 до 20 ат, Ъ в направлении от источника селена к источнику теллура и наносят поверх слоя никеля первый слой Se-Te толщиной

0,1 мкм. Затем подложку охлаждают до 20-30 С и при перемещении ее н направлении от источника теллура к источнику селена наносят второй слой Ве-Те, при этом содержание теллура н конденсирующихся парах в направлении движения изменяют от

20 до 0,01%. Поверх нанесенных слоев методом полива из раствора наносят слой полиэпоксипропилкарбазола. После высыхания на воздухе его толщина составляет 2 мкм.

Поверхность изготовленного образца заряжают н темноте до отрицательного потенциала 200 В. Скорость фотоиндуцированногэ спада потенциала измеряют при экспонировании монохроматическим светом в спектральном диапазоне 550-700 нм. Снеточувстнительность оценивается по величине экспозиции, которая приводит к снижению потенциала да 0,9 начальной величины.

Пример 2. Экран со стороны селена, ограничивающий зону напыления, смещают B сторону источника теллура на 50 мм, а экран со стороны теллура — в сторону источника селена на 40 мм.

В условиях примера 1 изготавливают и испытывают образец материала с содержанием теллура, изменяющимся от 3 до 5 ат. Ъ н первом слое и от

5 до 3 ат. Ъ во втором.

Пример 3. Экраны со стороны селена и теллура смещают н сторону источников на 20 мм относительно их начального положения по примеру

1. В условиях примера 1 изготавливают образец материала с содержанием теллура, изменяющимся от 0,3 до

10 ат,Ъ в первом слое и от 10 до

0,3 ат, Ъ во втором. Испытания пронодят в условиях примера 1.

Пример 4. Изготавливают.- и испытывают образец материала, как и

1096599

Светочувствительность, м /Дж, на селенах волн, нм

Пример

550

630

600

650

700

120.

200

2,0

150

100.0,5

200

140

2,5

80

150

0,5

20

140

200

3,5

60

120

6 контрольный

2,5

Составитель В.Аксенов

Техред Ж.Кастелевич Корректор O.Тигор

Редактор Т.Кугрыаева

Заказ 3821/34 Тираж 464

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент". r. Ужгород. Ул. Проектная. 4

Подписное в примере 1, но температуру подложки при нанесении первого слоя поддерживают равной 35 С.

Пример 5. Изготавливают и испытывают образец материала, как в примере 1, но температуру подложки при нанесении первого слоя поддерживают равной 65 С.

Нижняя граница содержания теллура определяется требованиями по светочувствительности, верхняя— возрастанием скорости темнового спада потенциала. Нижняя граница температуры подложки — требованиями

Пример 6. Изготавливают и испытывают образец материала (контрольный ) в условиях примера 3, но наносят только один (первый) слой селена с примесью теллура, Результаты испытаний образцов материала по примерам 1 — 6 приведены в таблице. по светочувствительиости, верхняя— кристаллизацией наносимого слоя.

Таким образом,, предлагаемый способ получения злектрофотографического носителя позволяет существенно повысить светочувствительность.