Способ электростатической записи изображения

Способ электростатической записи изображения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1.СПОСОБ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЙ ЗАПИСИ ИЗОБРАЖЕНИЯ, включающий экспонирование оптического изображения на фотопроводниковый слой, зарядку слоя и проявление скрытого изображения, отличающийс я тем, что, с целью повышения качества записи изображения путем повышения контраста, осуществляют равномерную зарядку слоя, а проявление осуществляют в момент достижения максимсзльного электростатического контраста в процессе темнового спада. 2. Способ по П.1, отличаю . щ и и с я тем, что максимальный электростатический контраст определяют измерением разности плотностей электрических зарядов на экспонированных и неэкспонированных участках слоя.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) SU (Ill

3L5D G 03 0 1 0

ОГ1ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ,мин

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21 ) 3328422/18-12 (22) 20.07.81 (46) 07.06.84. Бюл. Р 21 (72) A.B.Kóáèëþñ, В.M.Ïåòðåòèñ и A.A.Tðàêèìàâè÷þñ (71) Вильнюсский ордена Трудового

Красного Знамени и ордена Дружбы народов государственный университет им В.Капсукаса (53) 772.93(088.8) (56) 1. Патент СНА Р 2845348, кл. 96-1 (54)(57) 1.СПОСОБ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЙ

ЗАПИСИ ИЗОБРАЖЕНИЯ, включающий экспонирование оптического изображения на фотопроводниковый слой, за-! рядку слоя и проявление скрытого иэображения, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения качества записи изображения путем повышения контраста, осуществляют равномерную зарядку слоя, а проявление осуществляют в момент достижения максимального электростатического контраста в процессе темнового спада.

2. Способ по п.1, о т л и ч а ю шийся тем,,что максимальный электростатический контраст определяют измерением разности плотностей электрических зарядов на экспонированных и неэкспонированных участках слоя. ;Ю

1096600

Изобретение относится к области электрофотографии, в частности к способу формирования электростатического изображения на фотопроводниковом слое..

Известен. способ электростатической записи изображения„ включающий экспонирование оптического изображения на фотопроводниковый слой, зарядку слоя и проявление скрытого иэображения (1 j.

Недостатком способа является низкое качество записи изображения„

Цель изобретения — повышение качества записи изображения.

Для достижения поставленной цели (5 согласно способу электростатической записи изображения, включающему экспонирование оптического изображения на фотопроводниковый слой, зарядку слоя и проявление скрытого 20 иэображения, осуществляют равномерную зарядку слоя, а проявление осуществляют в момент достижения максимального электростатического контраста в процессе темнового спада, Максимальный электростатиче кий контраст определяют измерением разности плотностей электрических зарядов на экспонированных и неэкспонированных участках слоя.

На фиг.1 изображена кинетика плотности поверхностных зарядов в темноте фотопроводникового слоя,,предварительно освещенного и выдержанного в темноте перед зарядкой в течение 1 мин (кривая ) и в те-. чение 1 ч (кривая 2); на фиг,2 — зависимость разности плотности поверхностных зарядов предварительно освещенных и выдержанных в темноте перед зарядкой участков фотопроводникового слоя от времени разрядки слоя в темноте.

Сущность предлагаемого пособа заключается в том, что слой заряжают равномерно, а разность плотности поверхностных зарядов участков фотопроводникового слоя, предварительно освещенных и выдержанных в темноте перед зарядкой, зависит от времени 50 разрядки слоя в темноте (фиг.1I.

При этом разность плотности поверхностных зарядов сразу после зарядки фотопроводникового слоя быстро увеличивается, достигает максимального 55, значения и после этого медленно падает до нулевого значения (фиг.2) .

Кроме того, разность плотности понерхностных зарядов контролируют в процессе Формирования скрытого электростатического изображения с помощью измерителя распределения потенциала. Проявление скрытого электростатического изображения проводят обычным способом, применяя порошковый или жидкий проявитель. Подготовка фотопроводникового слоя к повторному использованию для записи иэображения осуществляется путем термической обработки или воздействия HcL него инфракрасного излучения.

Пример . Ha слой селена с примесью фосфора толщиной 50-60 мкм экспонируют штриховое изображение в видимой области спектра с экспозицией 100-150 лк с. После экспонирования в течение 1 мин слой в темноте заряжают равномерно коронным разрядом до 1400-1600 В. Измерителем распределения потенциала измеряют кинетику поверхностного потенциала и плотности зарядов в светлых и темных участках изображения. После 23 мин достигается максимальная разность плотности зарядов и в данный момент скрытое электростатическое изображение проявляют известным способом. При этом видимое иэображение обладает максимальной контрастностью.

Так как поверхностные заряды в освещенных участках фотопроводникового слоя в момент проявления фактически отсутствуют, то фон проявленного изображения язляется минимальным. Для подготовки фотопроводникового слоя к использованию для записи иэображения прогревают слой при

40 С в течение 15 мин.

Эффективность предлагаемого электрофотограФического способа записи изображения обусловливается тем, что разность плотности поверхностного заряда фотопроводникового слоя, заряженного равномерно после экспонирования оптического иэображения, меняется в процессе разрядки слоя в темноте. Это создает возможность контроля контрастности плотности поверхностных зарядов скрытого изображения и проявления изображения с максимальной оптической плотностью. Таким образом, использование предлагаемого способа эапц си изображения увеличивает качество проявленного изображения, записанного в условиях, удаленных от заряжающего и проявляющего оборудовачия.

109б600

6 япн. ед

Составитель А.Носырева

Редактор Т.Кугрышева Техред: T.äóáèí÷àê Корректор О.ТИгор

Заказ 3821/34 Тираж 464 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. ужгород, ул. Проектная, 4