Халькогенидное стекло для фотополупроводников

Халькогенидное стекло для фотополупроводников

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО ДЛЯ ФОТОПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающее As, Se, S, отличающееся тем, что, с целью повышения фоточувствительлости , оно дополнительно содержит Sb при следующем соотношении компонентов, ST.,: As30-40 Se22-37 S22-42 Sb1-6 г С/)

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

ОМИО

РЕСПУБЛИК

ИЕ 01) 1 Р С 03 С 3 12

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ описднив изоБрвтвния

Н АВТОРСНОМУ СИИДВТВПЬСТВУ (21) 3532297/29-33 (22) 06.01.83 (46) 30.06.84. Бюл. У 24 (72) В.Г. Джавадян, P.Т. Аветисян, К.А. Костанян, А.Г. Баратов и А.P. Кандевосян (53) .666.112.9 (088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

У 912697, кл. С 03 С 3/12, 1976.

2. Мзенберг Б.Д. и Баратов А.Г.

Фототермопластические носители информации. — "Электронная промьапленность» 1980, У 10, с. 12-15 (прототип). (54) (57) ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО ДЛЯ

ФОТОПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающее

As, Se, S, отличающееся тем, что, с целью повышения фоточувствительности, оно дополнительно содержит ЗЬ при следующем соотношении компонентов, ат.X:

As 30-40

Se 22-37

S 22-42

Sb 1-6

00253

Та блица1

Ю

ЗО Компоненты г (з

30 35 . 40

22 .28 . 37

42 33 22

6 4

Se

ТКПР

20100 С ж 0,.

Удельное электрическое сопротивггение в темноте, Р 10", Ом см

Электрофотографическая чувствительность (S) к излучению сЯ 540 нм, Дк/см2

Пгготность, Ю г/см

Состав, У

28- ° 10

3,2 10

5.10

6,4.

3,65

270

245

4,5

4,02

4,25! 11

Изобретение относится к халькогенидным стеклам и предназначено для использования в качестве фотопроводников в бессеребрянных регистрирующих средах для записи оптической информации.

Известно халькогенидное стекло (1), включающее, sec.йг, ks 16-38

Sb 2-18

S 20-30

Se 20-40

Br 4-17

Указанное стекло используют для оптической герметизации полупроводниковых приборов. Однако эти составы не могут быть использованы

s качестве фотопроводящего слоя в конструкциях фототермопластических носителей информации (ФТПН) в связи с тем, что имеют низкую температуру размягчения 65-95ОС.

В настоящее время весьма перспек» тинными бессеребрянными материалами являются фототермопластические носители информации (ФТПН), которые представляют собой многослойную конструкцию, состоящую из основы, электропроводящего фотопроводящего и термопластического слоев.

Требования, предъявляемые к фотопроводящему слою, связаны главным образом с его достаточно высоким темновым электрическим сопротивле,нием (P > 10 Ом см) и высокой чувствительностью, т.е. способностью изменять величину сопротивления под действием света заданного спектрального состава. Кроме того, материал фотопроводящего слоя долпен быть технологичным в изготовлении.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является халъкоге-, нидное стекло, используемое в качест,ве фотопроводящего слоя в конструкциях ФТПН на основе твердого раствора халькогенидов мышьяка (Аз 8,)о, 5 (As, Se )o,> $2).

Использование этого стекла позволяет достигнуть чувствительности

10 Дж/см ° Однако для повышения контрастности записываемой информации необходимы фотополупроводники с большей чувствительностью.

Цель изобретения - повышение

I5 фоточувствительности.

Цель достигается тем, что халькогенидное стекло для фотополупроводников, включающее As, Se, S, дополнительно содергкит Sb при следующем

20 соотношении компонентов, ат.йг

Аз 30-40

Se „22-37.

S 22-42

$Ь 1-6

Конкретные примеры составов hpmведены в табл.1.

Свойства предлагаемых составовпривадены в.табл.2.

Т а блица 2

Халькогенидные стекла системы

Аз — Se - S — Sb синтезируют в вакуумплотных кварцевых ампулах при максимальной температуре синтеза 850 С. В процессе синтеза осуществляют интенсивную гомогенизацию расплавов путем вибрации и вращения ампул с расплавкамн. Синтезируемые стекла отличаются однородностью и не,содержат кристаллических включений. Они достаточно технологичны и фотопроводящие слои на их основе получают вакуумтермическим напылением при сравнительно низких температурах 390-420 С. Удельное элек-

100253 4 трическое сопротивление в темноте (P ) у предложенных стекол находится .на уровне известного состава и составляет порядка 3,9-6,4.10 Ом см, 5 а один иэ важных параметров — электрофотографическая,чувствитель. ность (S) к излучению с % =540нр,на порядок выше, чем у известного сос тава и составляет (2,8-5) ° 10 Дж/см . Использование предложенных соста- вов халькогенидных стекол s качестве фотопроводящего слоя позволяет получить конструкции ФТПН для записи голографической и аналоговой инфор15 мации с высокой чувствительностью.

Составитель .О. Самохина

Редактор А. Долинич Техред Л. Микеш Корректор Г. Огар

Заказ 4535/20 Тираж 469 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Ф

Ю

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4