Способ записи изображения на пластический носитель

Способ записи изображения на пластический носитель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ З.ЛПИСИ ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ПЛАСТИЧЕСКИЙ НОСИТЕЛЬ, включающий формирование на поверхности фотополупроводникового слоя зарядового рельефа, соответствующего распределению яркости в изображении, и преобразование его в геометрический рельеф пластического носителя, отличающийся тем, что, с целью получения геометрического рельефа на пластическом носителе без его термической обработки при одновременной регистрации на носитель изображения, преобразованного по сравнению с исходным, зарядовый рельеф фор.мируют на фотопо,1)Ч1роводниковом с,тое, выполненном из среза пьезоэлектрического кристалла, а преобразование зарядового рельефа в геометрический осуществляют сжатием фотопо,лупроводникового и термопластического слоев. сл со со

ч„Я0„„1101893

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

3(51) G 11 С 11,42; G 02 Г 1 01 с е)

) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

9 о

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3568878/18-25 (22) 29.03.83 (46) 07.07.84. Бюл. ¹ 25 (72) В. И. Козик, Б. И. Спектор, В. Ф. Трухин, В. И. Фельдбуш и О. П. Спиридонов (71) Московский институт электронного машиностроения и Новосибирский государственный университет (53) 535.8 (088.8) (56) 1. Гуревич С. Б. и др. Передача и обработка информации голографическими методами. М., «Сов радио», 1978, с. 157 — 160.

2. Авторское свидетельство СССР № 438030, кл. G 06 К 15/14, 1972. (54) (57) СПОСОБ ЗАПИСИ ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ПЛАСТИЧЕСКИИ НОСИТЕЛЬ, включающий формирование на поверхности фотополупроводникового слоя зарядового рел ьефа, соответствующего расп ределени ю яркости в изображении, и преобразование его в геометрический рельеф пластического носителя, г)тлича)ощийгя тем, что. с целью получеHèÿ геометрического рельефа на пластическом носителе без его термической обработки при одновременной регистрации на носитель изображения, преобразованного по сравнению с искодным, зарядовый рельеф формируют на фотополупроводниковом слое, выполненном из среза пьезоэлектрического кристалла, а преобразование зарядового рельефа в геометрический осугцествляют ciKdтием фотополупроводникового и термопластического слоев.

I 1О 89 ) Составитель H. Наз()рова

Текред И. Верее Корректор С). Билак

Тираж 575 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и 01крытий

Н 3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор В. Петраш

За каз 4685/36

Изоб!зетение отн»сит(я i(«б гн i il !)с гnc Iрации изображения на бессер; япый носитель, в частности к терм«(:, "гической записи, для пространственной м«дуляцпи света, и может быть использоваш) в кино-, фототехнике, оптической обработке информации.

Известен бесконечный способ записи изображений на термопластик в виде геометрического рельефа, согласно которому на тонком аморфном фотополупроводниковом слое, покрывающем термопластик, путем проекции изображения и внешнего электрического поля формируют зарядовый рельеф, соответствующий распределению яркости изображеш(Й, KOTopbIH npH нагревании термопластика, за счет электростатических сил, преобразуется в геометрический рельеф 11 .

Недостатком способа является необходимость покрытий всей площади термопластика фоточувствительным слоем, что существенно усложняет технологию изготов- g0 ления регистрирующей среды и удорожает ее производство, а та кже необходи мость проведения цикла термообработки, что умень (пает достижимую скорость покадровой заiIHCH, Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ записи изображения на пластический носитель, включающий формирование зарядового реги ефа, соответственно распределеникэ яркости в изображении на поверхности фотополупроводникового слоя, и преобразование

его в геометрический рельеф пластического носителя. Перенос зарядового рельефа на термопластик осуществляют за счет кратковременного контакта фотополупроводникового элемента и термопластика. ((ля записи последующего кадра термопластический носитель перемещают относительно фотополупроводникового элемента в новое положение 121.

Недостатком указанного устройства яв. 40 ляется необходимость термообработки носителя для получения геометрического рельефа и низкая скорость покадровой записи.

Кроме того, изотропность свойств аморфного фотополупроводникового элемента не позволяет получить в процессе регистрации изображение, преобразованное относительно исходного, например контур изображения или изображение, продифференцированное по какой-либо координате.

Цель изобретения — получение геометрического рельефа на пластическом носителе без его термической обработки при одновременной регистрации на носитель изображения, пре«()!)BBOBBllilol(oil,)E,l,ñ.-п ым образом ilo сравнению с ис.;одным.

)IocTBB IeBHdsI цель достигается тех(.:и, согласно спосооу записи изображения il,: пластический носитель, включающему формирование на поверхности фотополупров«дникового слоя зарядового рельефа, соответствующего распределению яркости в изос)ражении, и преобразование его в геометрический рельеф пластического носителя, зарядовый рельеф форм и р уют на фотополупроводниковом слое, выполненном из среза пьезоэлектрического крис. галла (например, В!(а SIOgp). а преобразование зарядового рельефа в геометрический осу!I(E с TBë ÿ oò сжаTHB)I фотополупроводникового и термопластического слоев.

Направление среза слоя кристалла задает вид преобразования зарядового рельефа в геометрический, что позволяет при записи трансформировать исходное изображение по наперед известному закону.

На чертеже показана схема реализации способа.

Фотополупроводниковый элемент 1, состоящий из среза (100) монокристалла 2

В!(а SION толщиной 1 мм, наклеенного оптическим клеем 3 на стеклянную подложку - . с предварительно напылеHHblvl прозрачным электродом 5 (Jn

6 (NgFp ), поджимают с помощью пьезокерамической подвижки 7 с усилием 10 гс к поверхности слоя термопластика 8 толщиной 10 мкм, нанесенного на лавсановую ленту 9 толщиной 50 мкм. Между электродами

5 и 10 создают разность потенциалов 2000 В с помощью источника 11 напряжения. На кристалл 2 проецируют изображение объекта 12 излучением длиной волны 0,44 нм.

При этом поверхность кристалла приобретает за счет пьезоэффекта микродеформации, соответствующие распределению заряда на границе раздела с термопластиком, благодаря чему деформируется и термопласти к.

После экспозиции напряжение выключают и фоточувствительный элемент отводят подвижкой 7.

Таким образом, предлагаемый способ записи изображений на пластический носитель позволяет увеличить скорость покадровой записи, а также исключить цикл термоооработки носителя. Кроме того, выбор среза фоточувствительного пьезоэлектрического кристалла обеспечивает трансфорх(ацик) записываемого изображения по известному закону, что позволяет, например, записывать контур изображения либо его пространственную производную.