Запоминающий элемент

Запоминающий элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенными на нее двумя электродами и графитирующимся активным слоем, расположенным между электродами, отличающийся тем, что, с целью увеличения длительности хранения информации, графитирующийся активный слой выполнен из полимерного полупроводника с отрицательным дифференциальным сопротивлением S-типа. со to со

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК з ц G 11 С 1156

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ймм ФеВ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3564525/18-24 (22) 18.03:83 (46) 15.07.84. Бюл. № 26 (72) В. И. Перепеченых, Х.-М. А. Брикенштейн, В. С. Самойлов, Л. Л. Стукова, М. Г. Стунжас, Л. С. Тян, А. С. Фиалков, и Г. И. Цвелиховский (71) Всесоюзный научно-исследовательский и проектно-технологический институт электроугольных изделий (53) 681.327.66 (088,8) (56) 1. Antonowicz R., Casha Z., Turso 3.

Carson ч. 10, № 1, 1972.

2. Авторское свидетельство СССР № 538421, кл. G 11 С 11/02, 1977 (прототип) .

„„SU„„1103290 A (54) (57) ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенными на нее двумя электродами и графитирующимся активным слоем, расположенным между электродами, отличающийся тем, что, с целью увеличения длительности хранения информации, графитирующийся активный слой выполнен из полимерного полупроводника с отрицатель ным дифференциальным сопротивлением

S-типа.

1103290

Составитель Н, Бекин

Редактор М. Петрова Техред И. Верес Корректор А. Зимокосов

Заказ 4825 40 Тираж 575 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к электронике и может быть использовано в вычислительной технике в качестве элемента репрограммируемого постоянного запоминающего устройства (РПЗУ).

Известен запоминающий элемент, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенными на нее двумя электродами, между которыми находится активный слой, являющийся продуктом карбонизации полимеров (1).

Недостатком данного элемента является малое время сохранения низкоомного состояния — около 72 ч.

Наиболее близким к изобретению является запоминающий элемент, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенными на нее двумя электродами и графитирующимся активным слоем, расположенным между ними (2).

Однако известное устройство характери- z0 зуется недостаточной стабильностью его сопротивления во времени, а также расбросом элементов по параметрам, Цель изобретения — увеличение длитель ности хранения информации.

Поставленная цель достигается тем, что в запоминающем элементе, содержащем диэлектрическую подложку с нанесенными на нее двумя электродами и графитирующимся активным слоем, расположенным между электродами, графитирующийся активный слой выполнен из полимерного полупроводника с отрицательным дифференциальным сопротивлением S-типа.

В качестве представителя полимерного полупроводника взят олигоарилен, являющийся полимером с системой сопряженных связей термообработанный при температуре 390 — 500 С. При такой температуре полимер проходит стадию образования жидкокристаллической структуры (мезофазы), которая обуславливает стабильность электрических свойств материала.

На чертеже изображен запоминающий элемент. На подложку 1 нанесены электроды 2 с межэлектродным расстоянием 10 мкм, между которыми находится пленка 3 из полимера с S-характеристикой:

В исходном состоянии элемент имеет высокое сопротивление (порядка IO" Ом), при приложении импульса напряжения

20 — 25 В элемент переходит в состояние с сопротивлением порядка 10 Ом, которое сохраняет неопределенно долгое время.

Возвращение элемента в высокоомное состояние осуществляется подачей импульса напряжения той же амплитуды, но противоположной полярности.

Использование предлагаемого технического решения по сравнению с базовым позволит увеличить выход годной продукции иа 20 /о и кроме того получить элементы памяти со стабильными и идентичными параметрами.

Ожидаемый экономический эффект на одно ПЗУ на основе олигоарилена емкостью

1 кбит составляет 0,19 руб., что при ориентировочной потребности в ПЗУ 100000 шт, в год дает ожидаемый экономический эффект 19997 руб.