Устройство для измерения параметров полупроводниковых триодоз на низких частотах

Устройство для измерения параметров полупроводниковых триодоз на низких частотах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

¹ 110419

Класс 21а, 71

1 ъ (4" O ъ

ОПИСАНИЕ ИЗОВ >

РЕТЕИйЯ—

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

А. М. Рыбаков

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТРИОДОВ НА НИЗКИХ ЧАСТОТАХ

Заявлено 15 марта 1957 r. за ¹ 568986 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Предметом изобретения является устройство для измерения параметров полупроводниковых триодов на низких частотах, а именно: сопротивления эмиттера г„сопротивления базы г,, сопротивления кол1 лекторного переходаг„и коэффициента

В отличие от известных устройств для измерения параметров полупроводниковых триодов, которые не обеспечивают непосредственного отсчета измеряемых величин без усложнения конструкции, в предлагаемом устройстве все измерения осуществляются при постоянном включении звукового генератора в цепь коллектора, что позволяет упростить коммутацию прибора и сократить количество операций, необходимых для измерений.

Схема измерителя приведена на фиг. 1, а эквивалентные схемы измерений различных параметров даны в таблице (фиг. 2).

Измерение всех параметров осуществляется или при холостом ходе цепи базы и коротком замыкании цепи эмиттера по переменному току, или, наоборот, при холостом ходе цепи эмиттера и коротком замыкании цепи базы.

Холостой ход цепи базы и цепи эмиттера осуществляется с помощью дросселей Х и Х, а короткое замыкание с помощью конденсатора Ñ .

Режим триода контролируется по приборам путем измерения тока эмиттера I o, тока базы I @ и коллекторного напряжения y

От генератора Г в цепь коллектора через делитель R> — R> подается напряжение Uy частоты 1000 гц.

Необходимая коммутация производится переключателем П,.

И мерение r b положении переключателя IT> íà r, — 1 замез р чается показание лампового вольтметра ЛВ. Перев дя О> в положе и э н е

¹ 1104!9

Предмет изобретения

Устройство для измерения параметров полупроводниковых триодов на низких частотах, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения его конструкции, а так же повышения оперативности и точности измерений, генератор при измерении всех параметров испытываемого триода включен в цепь его коллектора, а измерение параметров триода производится путем создания или режима холостого ход цепи базы и короткого замыкания цепи эмиттера, или режима холостого хода цепи эмиттера и короткого замыкания цепи базы.

Комитет по делам изооретений и открытий при Совете Министров СССР

Редактор Н. С. Кутафина Гр. 89

Подл. к печ. 28.III-59 г.

Тираж 810 Цена 50 коп.

Информационно-издательский отдел.

Объем 0,34 п. л. Зак. 1802

Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Петровка, 14.

r, — 2 изменением величины добиваются такого же отклонения стрелки лампового вольтметра ЛВ.

Величина сопротивления между точками С и D будет равна искомой величине r,.

Измерение r6 производится таким же образом, как и r,.

Измерение r,: в положении переключателя П1 íà r» — 1 замечается отклонение стрелки лампового вольтметра ЛВ. Переведя П1 в положение r — 2, изменением величины сопротивления R4 добиваются такого же положения показания лампового вольтметра ЛВ.

Величина сопротивления <4 будет равна г,+г .

Измерение: замечается показание лампового вольтметра ЛВ (1

/ 1 в положении П1 на (— 1 — 1. Переведя П1 в положение на 1 — 2, i1 — n) 1 — а/ изменением величины Rq добиваются такого же отклонения стрелки лампового вольтметра ЛВ.

Отношение величины R3 между точками А и В к величине части сопротивления R3 между точками С и Д и будет искомой величиной

1 1 s», 1 — а 1 — a г,.

Если — = ., то при отклонении стрелки лампового вольт. метра ЛВ на величину U,i, =

U . U 1 i

H ea a

Rcz 1— где 1„— ток коллектора при холостом ходе цепи базы и коротком замыкании цепи эмиттера, 1„z ток в цепи коллектора при холостом ходе цепи эмиттера и коротком замыкании в цепи базы.

Описываемое устройство позволяет осуществлять непосредственный отчет измеряемых параметров при погрешности измерений, не превышающей + 5 — 6%, и может быть использовано для измерительных целей в заводских и лабораторных условиях.