Способ распределения массы пленки
Иллюстрации
Показать всеРеферат
PL 110532
Класс 48Ь, 11!I:
< I Q P
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ЗАВИСИМОМУ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ с -ъ
Г. И. Рукман, Я. А. Юхвидин и И. A. Калябина
СПОСОБ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ т1АССЪ| ПЛЕНКИ
Заявлено октября 1955 Г. за ¹ ралиотехнической
А- 107 576079 в Министерство иромвииленности
Основное авт. св. от 28 октября 1955 г., я 10905 на имя тек же лии
При изготовлении полупроводниковь1х элементов.:-.апример, экранов для счетно-решающих и In телевизиснных трубок. транзпстеров, детcêòoðoâ и т. и, нанэсят покрытия металлами или друг, v. и веществами в виде тонких, равномерны i по всей площади плена:-; по способу, списанному в авт. св. Хо 109057.
Дальнейшее развитие электронной и полупроводниковой техники ставит задачу получения таких пленок. конфигурация которых и изменение толщины Нх по площади покрытий должны отвечать заданным функциональnым закoнам.
Для этого предложено дополнить схему установки для получения пленок: подключить и ионной пушке модулятор плотности ионного тока, изменяющий интенсивность ионного луча по заданном1 закону и подключить к системе отклонения ионного луча устройство, изменяющее напря;кение в неи: анже по сооТвстствующему закону.
Схема для получения пленок, имеющих конфигураци.о и переменну1о толщину в с тветствии с заданнымп функциональными законами, показана на чертеже.
Ионная пушка 1 ионизнрует нейтральные молекулы вещества, подлежащего нанесению на покрываемую поверхность и формирует ионный луч. С помощью модулятора 2 изме.няют интенсивность ионного луча по заданному (желаемому) закону.
Ионный луч проходит через систему отклонения 3, связанную с устроиством 4, изменяющим напряжение в системе отклонегп1я таким образом, что развертка ионного луча происходит не по линейному, à Iio желаемому соответственно заданному закону, путем подачи соответствующего изменения потенциалов на пластины отклоняющей системы (в случае применения электростатической развертки). Ионный луч, изменяющий во времени по заданным законам свою плотность (количество вещества) и направление, попадает на коллектор ионного тока (экран) 5, в качестве которого служит покрываемая поверхность.
Нейт)1ализова11ные ноны вещества оседают на поверхности экрана, № 110532 юбраз я пленку с треоуемой конфи7 ггур4цуей и толщиной, зависимой от ф координат временного закона. сг- ... 1
7 предмет изобретения %,
° -4, Способ распределения массы пленки по . ее координатам с помощью ионной пушки и системы отклонения ионного луча по авт. св. № 109057, отличающийся тем, что, с целью получения пленки с требуемой переменной толщиной и конфигурацией, регулируют инт. исивность ионного луча по задакнсму функциональному закону с помощью известного модулятора плотности тока, подключаемого к ионной пушке, а развертку ионного луча производят не по линейному, а по соо ; ветственно заданному зак ну, изменяя потенциалы отклоняющей системы с помощью подключаемого к ней известного, .тройства.
Отв. редактор И. В. Макаров
Стандартгиз. Поди. к печ. 22/1Ч 1958 г. Объем 0,125 п. л, Тираж 600. Цена 25 коп.
Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Неглинная, д. 23. Зак. 3116