Фототермопластический материал для записи информации
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ФОТОТЕРМОШ1АСТИЧЕСКИЙ МАТЕР1Ш1 ДЛЯ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ, состоящий из полимерной подложки, электропроводящего подслоя, инжекционного слоя из селена с теллуром и фототермопластического слоя из поли-Ы-винилкарбазола и термопластического связующего, отличающийся тем, что, с целью увеличения дифракционной эффективности, материал дополнительно содержит слой аморфного селена ТОЛ1ЦИНОЙ 0,03-0,05 мкм, расположенный между инжекдионный и фототермопластическим слоями. (Л с
СООЗ COBETOHNX
РЕСПУБЛИК,SU
С 03 С 5/08
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ н автонснавв свидетипьстви (21) 3321!74/28-!2 (22) 10.07.81 (46) 15.08.84. Бюл. Ф 30 (72) А.А.Постников и Д.Г.Табатадзе (71) Всесоюзный государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский и проектный институт химико-фотографической промышленности (53) 772.93(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР
Ф 336638, кл. С 03 С 5/08, 1970, 2. Недужий С.А. и др. Регистри" рующие среды для изобразительной голографии и киноголографии. Л., "Наука", 1979, с. 149 (прототип). (54) (57) ФОТОТЕРИОПЛАСТИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЗАПИСИ ИИФОРИАЦИИ, состоящий иэ полимерной подложки, электропроводящего подслоя, инжекционного слоя из селена с теллуром и фототермопластического слоя из поли-N-вннилкарбазола и термопластического связующего, отличающийся тем, что, с целью увеличения дифракционной эффективности, материал допол. нительно содержит слой аморфного селена толщиной 0,03-0,05 мкм, расположенный между инжекционный и фототермопластическим слоями.
l! 08384
45
Изобретение относится к фототермопластическим материалам и может быть использовано для регистрации информации как в обычной, так и в голографической форме.
Из вестен фототермопл астический материал, содержащий полимерную подложку, электр опроводящии слой, и нжекционный слой из аморфного селена и фототермопластический слой «1). !О
Указанный фототермопластический материал обладает высокой электрофотографической чувствительностью в синей зоне спектра (!20 М --Дж ) и практически не обладает электрофотографической чувствительностью в красной зоне спектра (0,01 М . Дж )
Наиболее близким к изобретению является фототермопластический материал, содержащий металлизированную никелем полиэтилентерефталатную подложку, на которой последовательно расположены инжекционный слой из аморфного селена с добавками теллура 77, мышьяка 27, сурьмы 17. (общее содержание добавок 107) и фототермопластический слой, представляющий собой композицию из поли-N-винилкарбазола и термопластического полимера Г2 3.
Известный фототермопластический материал обладает высокой электрофотографической чувствительностью как в синей (400 М .Дж " ), так и в красной зоне спектра (8 M .Дж ). .Одна1
35 ко величина дифракционной эффективности записанного изображения на данном материале ниже, чем на других фототермопластических материалах.
Особенно низкое значение дифрак40 ционной эффективности имеет указанный фототермопластический материал при длине волны 400 нм, именно при этой длине волны фототермопластичес-. кий материал обладает максимальной электрофотографической чувствительностью. Низкое значение дифрак— ционной эффективности не позволяет реализовать на пракгике высокую элек трофотографическую чувствительность
50 материала.
Одним из важнейших параметров, характеризующих качество голографического изображения на фототермопластическом материале, является дифракционная эффективность плоской
55 фазовой голограммы, которая может иметь максимальное значение, равное
33,9X. Оледовательно, повышение дифракционной эффективности наряду с повышением электрофотографической чувствительности является важнейшей задачей при широком использовании фототермопластических материалов для различных технических нужд.
Цель изобретения — повышение дифракционной эффективности.
Цель достигается тем, что фототермопластический материал дополнительно содержит слой аморфного селена толщиной 0,03 — 0,05 мкм, расположенный между инжекционным и фототермолластическим слоями.
Полученный материал обладает высокой дифракционной эффективностью при длинах волн лазерного излучения
633 и 441 нм, а также высокой электрографической чувствительностью.
Пример 1. На металлизированную никелем полиэтилентерефталатную основу напыляют в вакууме инжекционный слой толщиной 0,15 мкм из аморфного селена с добавками,X: теллур 7; мышьяк 2 и сурьма 1. Добавки не превышают 1ОХ. Затем методом купающего ролика из раствора в толуоле наносят фототермопластическую композицию из поли-N-винилкарбазола и сополимера стирола с бутадиеном в соотношении 1:1. Толщина полимерного покрытия после сушки составляет 2 мкм.
Величина дифракционной эффективности при длинах волны 441 и 633 нм
-! для оптимальной частоты 200 мм приведены в таблице. В таблице приведены также электрофотографическая чувствительность по критерию спада начального потенциала на 0,1.
II р и м е р 2. На металлизированную никелем полиэтилентерефталатную основу напыляют в вакууме последовательно инжекционный слой из аморфного селена с добавкой !07. теллура толщиной 0,15 мкм, слой аморфного селена толщиной 0,03 мкм. Затем методом купающего ролика из раствора в толуоле наносят фототермопластическую композицию, содержащую поли-N-винилкарбазол и сополимер стирола с бутадиеном в соотношении 1:1, толщиной 2 мкм.
Сенситометрические характеристики приведены в таблице.
Пример 3. Фототермопластический материал приготавливают аналогично примеру 2, но толщина слоя аморфного селена составляет 0,05 мкм.
I 108384
Сенситометрические характеристики приведены в таблице.
Пример 4. Фототермопластический материал приготавливают аналогично примеру 2, но толщина споя аморфного сеяена составляет 0,02 мкм.
Сенситометрические характеристики приведены в таблице.
Пример 5. Фототермопластический материал приготавливают ана- 10 логично примеру 2, но толщина слоя аморфного селена составляет 0,10 мкм.
Сенситометрические характеристики приведены в таблице.
Из приведенных данных следует, 15 что предлагаемый фототермопластический материал толщиной слоя аморфного селена 0,03 — 0,05 мкм, примеры 2 и 3) превосходит по дифракционной эффективности при длине волны лазер- 2б ного излучения 633 нм прототип на
18 — 227., при длине волны 441 нм более чем на 2007. При этом электрофотографическая чувствительность практически остается на уровне 25 прототипа.
Дифр акци они ая эффективность, Х
Пример, Ф
Электрофотографическая чувствительность, Я . Дж ( при при ,3L 633 нм Л
=441 н при
А=633 нм при
Л=44 l.íì
Известный
27 ll
Предлагаемый
410
32 29
420
3 33 30
4 28 18
5 32 20
405
200
Составитель В. Безбородова
Техред М. Тепер . Корректор В.Бутяга
Редактор M. Бандура
Заказ 5860/32 Тираж 464
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Подписное
Филиал ППП "Патент", r.Óæãîðoä, ул.Проектная, 4