1112008 - Состав для очистки поверхности монокристалла титаната стронция

Состав для очистки поверхности монокристалла титаната стронция

Иллюстрации

Показать все

Реферат

СОСТАВ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТА,ПЛА ТИТАНАТА СТРОИ . ЦИЯ после механтеской обработю. содержащий кислоту и воду, ОТЛИЧИ Ю Щ и Йс я тем, что с целью исюпомения травлет я по кp lcтaллorpaфliчecки плоскостям, он дополи тельно содержит синтанол, а в качестве кислоты - ортофосфорную кислоту при следующел соотношении компонентов, мас.%: Ортофосфорпая кислота 5-35 1-3 Сиитшюл Остальное Вода

CCK3 CGBETCHWX

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

ОПИОАЙИЕ ИЗОБРЕТЕ 1ИЯ

H ABTGPCHОМУ СВИДЕТЕЛЬСВ 3 ВУ

ГОСУДАРСТВЕННЬ1Й КОМИТЕТ CCCP

ПО ДЕЛАМ ИЗОБ ЕТЕНИЙ И ОТНРЬТИЙ, (21) 3610363/23-26 (22) 21.04.83 (46) 07,09.84. Бюл. М 33 (72) Г. H. Кудряшова, Т. А, Корнюкова, О. А. Лебедев, Л. Е. Левина, И. В. Лихолетов, A. Н, Мосевич, Г, Т. Смирнова и С. С. Чурганова (71) Ленинградский ордена Ленина злектротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) (53) 621.315.592 (088.8) (56) 1, Каратун Л. Т., Климов B, A., Лихолетов 10. В. Изготовление МДМ-структур на основе монокристаллов титаната строшгия.

Известия ЛЭТИ им. В. И. Ульянова (Ленина), Jl., 1980, вып. 279, с. 66, 2. Авторское свидетельство СССР по заявке Р 3367491/?3 вЂ” 26, кл. С 03 В 33/00, С 03 В 29/32, 1981 (прототип). к ji .4 .q .11 - У @

„„:з, „„ Ii 1 Ë )8 A

g1gg С 03 В 33 00 С 03 В 29, 3. (54) (57} СОСТАВ г(ЛЯ ОЧИСТКИ ПОВ11РХиОсти мОИОкРистАллл т11тА11АтА стРО11, ЦИЯ после механической Обработки. садержащии кислоту и Воду, О г л и ч 3 10 щ и иС Я ТЕЫ> ЧТО С ДЕЛЬ10 ИСКЛЮ11СНИЧ ТРЗВЛС161Я по кристы1лографическим плоскостям, Он допол1гителы1о содержит с1гнтанол, 3 в качестве

КИСЛОТЫ вЂ” ОРТОфосфОРИ . 10 КИСЛОТУ ПРИ

СЛСДУ10!ДЕМ СООТНОШСНИИ КОМПОИСНТОБ, МЯС. iñ.

Ортофосфорная кислота 5 вЂ” 35

Сип1т;и1ол 1 вЂ”

Вода Остал ы 1ос

Изобретение относится к э. (ск -!). I:. .,." нике и может быть использован; ) с

1 изготовлекия нелинейных ко(щс 1 а.ср . работающих IlpH криОГенн(lх )сь!Нер:1 )

Для изГОтОВлсния НК испо l(> 3 i<;. вЂ”;;)!"..) к" 1 таллы THTBHBTB стронция,,разреза i!!i!: тины ориентаций (1001, (110} или, !, .:1 ле нарезки монокристаллов на ((:!! .. н шлифовки на поверхности,còB nT(,, за: .»,--з:ния в виде жиров, полирог(очи(,!х .;:..::т. Вб;:зивов, охлаждающих эмульсий и л.. родные слои необходимо тп(Bic:(ьно 3,:(яг:ь так как самый незначитслы(ый с)!(э э.," ний на поверхности cyi(re(:Ti)сгн(() кость и дизлектри (ескую 1!рониц(1..:. денсаторов, повь(шаст дитлсктр(! с; .: ..О,"

Таким образом, одной из важ !ь:.: .сх).()л.) гических операций при изготон:; . . н; Н}: я, ляется очистка повсрхностп мо((окр,,-.:. . ческих пластин титапата с) р<нп!Ия. « .., 1-.;:.:i необходима и перед хими !сской ни()рэн;.,,,кристаллов.

Известен cnoco(3 о()работки нове;.;.;.Го(и монокристалла титаната сгр(ящ)!я, вЂ”.,(;3!ь.;::;;:.0!!!:

ПОСЛЕДОВатЕЛЬНУЮ ПРОМЫВКУ В КЛ! Я(НСХ (н

НИЧЕСКИХ РаетВОРИтСЛЯХ 1 TOÍÓ(33(C. Янс (С изоп1)опилОВОм спи<)1с} и I(:-Гь(1)сххл !i!! < !.: углероле (1) .

Недостатком способа является н;. а

::. ()к;)1!с:(33)(1! -)ескнх пластин

:::;: (:" (ь)((, co;!с;))ха(1(и((5- 35 мас. "р()

;,:; i(, "-: и, 3 мас.",а синтано;,)((<)«оигт!i I.; 0н THTBBBTB ст})он(- :-1,- : 0, и (100},остар c"Гяш.й. 11рп увеличении .:!")гс(1 !(:1)i!ой кислоты > 35 мас,%

:вЂ” :-(1! « -Ici!I:, .()графи !ескую плоскость

Г,, . } . .!)С;;, .Вl! lая I(. 3! fi})OBB!)I)V(0 ,, 0, cр)()х()BBT;:!0 Г1П)! Содержании

:")-,()с 1):!31:(:": «(а(0)-ы . 5 мас.%, а синта. э„" ";::c)!Ij. p ic оч)нцает полнос;.„",; (); .- !!(!", .Ч) IB 0;: За(-1)ЯЗНС НИИ.

" -;;iB TB!I BÜ(Н ПОИГОДНЫ ЦЛЯ

- i!i;:: . I =i! . . }K. 11;)сц(-! fHc В мо)0(ций !

Н3.с"(1;:":, 3 мас." 1:сцслесообразно, ::: к .i!) 3,,-, 3-,:ру;I .(ясгся уда:1сние

1«:)!!.:;<);0(((cro c0cTaBа, кото,;:.-сцнс(1: талии очистки пу. !

СК..-,;- -"Я «-=, :;: (ОВ Д)!СГ) ЛЛИРОВаН|

}Л Л:ОК; НС31131:(ИЧЕСККС

: и".:(,-. э .,;.:,! .;! !!() шяя размерами

;I)иста н)(<3(пафичсской . к э: т:! (11 !, Обрабатъ(вают

/ I 3 с3 чэ

:: j, ici:1 ричсскнс

Н,<Ч .. (С:()!1,)Х !!0 степень очистки поверхносH! мон()« ":.; с.:. ....ческих пластин, а также т<:(-.си гнре ь опасность используемых ()ас вопи,(с!!ci .

Наиболее близким по тех(!Нчсс!Г:) 1 к предлагаемому является состав поверхности монокристаллов титан;-:-: я содержащий, мас. i; п)авеле;гая «:;:;:()-.:

40,5; перекись водорода 0 37 остальное. 3TQT состав обеспечивав; т,.сб... чистоту поверхности монокрис-:::.. :!(! стронция ориентации (1 001 н (: 0 ;

Нсдостаток изв(. стн<1(х) сост!!ii

011 взаимодсйсii)vc. c «) -«;(! фической плоскостью 1 } 1 1. В р.. его гладкая поверя. ость !i;i;ic(:: матовой, шсрох<)ватой.

Целью изобретения яв)1)(с я травления по кристаллографи(.".". „.:.,: тям.

Поставлен (B)1 цель достиг;(с<си: с!., состав для очистки поверх(гости лов титаната стронция посл< мех;:.((!

1:(аботки co(TC}) !fT «!(c i ).V i )30,;1:,:, ",0ë0:IHffTtëü1(0 содержит с)!Нтано)(, кислоты вЂ” ортофосф< рнуя) к! . *c;i 0 вЂ”, Д,У(О П1СМ CÎOli10(HCН(П! К ОМНО НСП1 Ов

Ортофосфорная кислота

Г(п(танол (Вода Ь)С .; 31! 1 ()С

)1..: (!1::. В) ... стиллированной

3 ..(оно« рн сталли.:.а:ii! - =(1})!)!Ii+18 риснгаци..; айат !z B(» после гцли)Н... I,BBI: I:!

,";. .,I.33j-;!;!i IcIBcTf;I!Bi орисн)A

1(i о()ра()агывают,1 1 1(ас.((1:.!я н Io)il.!Ва!<) (-:: I! . РВ ГI!IC 1!(3СЩ(ВГаСМО! i(::,Г 11! i ь кон Пенса то )ы

1 (, . (, !(,:,((характсристи() Il 0ни!(ВС BOC1h 382,30 ,э- 3, .Г(101 е!)свис-d- }

: .:,".вЂ”:"в б.:;I,Oс;1с(,1. Неогнеопао возлзйствия (га плос);,.-BTi:.;0!.;.- -) а ната стронция

1112008

Дизлектрические характеристики нелинейных конденсаторов

Ориентация плоскости монокристалла титанаУправляемость

Гистерезис

Дизлектрическая проницаемость та стронция

3,0 (111) 38220 (100) 2,5

41167

50254 (110) 5,5

Составитель В. Рыцарев

Техред T. Дубинчак

Редактор Н. Егорова

Заказ

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

6409/16 Тираж 468

ВНИИ! .И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Корректор В. Гирняк

Подписное

Состав для очистки поверхности монокристалла титаната стронция

Патент 1112008