Многопереходный фотопреобразователь

Реферат

 

Многопереходный фотопреобразователь, содержащий полупроводниковую пластину с множеством чередующихся вертикальных легированных зон n- и p-типа проводимости и электрические контакты на тыльной поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования путем устранения рекомбинационных потерь и уменьшения последовательного сопротивления, легированные зоны одного типа проводимости изолированы от контактов, соединяющих слои p +- и n+-типа, которые сформированы на тыльных поверхностях соседних вертикальных зон второго типа проводимости и образуют на каждой из них рабочий и изотипный переходы, при этом толщина полупроводниковой пластины меньше длины диффузии неосновных носителей заряда зоны второго типа проводимости.