Управляющее устройство свч
Иллюстрации
Показать всеРеферат
УПРАВЛЯЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО СВЧ, содержащее диэлектрическую подложку, одна сторона которой металлизирована , а на другой расположен центральный проводник. микропЪлосковой линии с разрывами, и полупроводниковые 2 8 S 3 f / I.Л / / / Л I -п /J i« MiS i ч . Vrдиоды , установленные в отверстиях диэлектрической подложки между металлизацией и разрывами центрального проводника микрополосковой линии и соединенные с ним с помощью перемычек , отличающее ся тем, что, с целью снижения затухания и КСТу в режиме пропускания, между разрывами центрального проводника микрополосковой линии по обе стороны от полупроводниковых диодов введены дополнительные перемычки ci сумматорным характеристическим соп ротивлением , равным волновому сопротивлению центрального проводника микрополосковой линии. (Л
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУВЛ К
„SU„„1121725
3(58 Н 01 P 1 10
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ/
Н ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
8 Ю Л
10
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕ. ГЕНИЙ И OTHPblTHA (21) 3519443/24-09 (22) 08. 12. 82 (46) 30. ГО. 84. Бюл. ¹ 40 (72) О.С.Орлов и В.В.Бушев (53) 621.837(088.8) (56) 1. Патент США, ¹ 4.009.456, кл. 333/81, опублик. 22,02.77.
2. "Nicrowaves", 1980, September, рр. 91-102 (прототип). (54)(57) УПРАВЛЯЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО СВЧ, содержащее диэлектрическую подложку, одна сторона которой металлизирована, а на другой расположен центральный проводник.микропблосковой линии с разрывами, и полупроводниковые диоды, установленные в отверстиях диэлектрической подложки между металлизацией и разрывами центрального проводника микрополосковой линии и соединенные с ним с йомощью перемычек, отличающее с я тем, что, с целью снижения затухания и
КСТ< в режйме пропускания, между разрывами центрального проводника микрополосковой линии по обе стороны от полупроводниковых диодов введены дополнительные перемычки с сумматорным характеристическим сопротивлением, равным волновому сопро:тивлению центрального проводника микрополосковой линии.
11217
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для
;управления СВЧ мощности в линиях передачи различного назначения.
Известно управляющее устройство
СВЧ, содержащее диэлектрическую подложку, одна сторона которой металлизирована, а на другой расположен центральный проводник микрополосовой линии, в разрыве которого включены полупроводниковые диоды с помощью перемычек (1) .
Недостатком известного управляющего устройства СВЧ является большая величина затухания и большая величина коэффициента стоячей волны (КСТ ) в режиме пропускания.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является управляющее устройство СВЧ, содержащее.диэлектрическую подложку, одна сторона которой металлизирована, а на другой расположен центральный проводник микрополосковой линии с разрывами, и полупроводниковые диоды, 25 установленные в отверстиях диэлектри. ческой подложки между металлизацией и разрывами центрального проводника микрополосковой линии и соединенные с ним с помощью перемычек $2(.
Недостаткам известного управляющего устройства СВЧ является большое значение затухания и КСТ в режиме пропускания.
Цель изобретения — снижение затухания КСТ в режиме пропускания управляющего устройства СВЧ.
Поставленная цель достигается тем, что в управляющем устройстве СВЧ содержащем диэлектрическую подложку, 40 одна сторона которой металлизирована, на другой расположен центральный проводник микрополосковой линии с разрывами, и полупроводниковые диоды, установленные в отверстиях диэлектри45 ческой подложки между металлизацией и разрывами центрального проводника микрополосковой линии и соединенные с ним с помощью перемычек, между разрывами центрального проводника микрополосковой линии по обе стороны от
50 полупроводниковых диодов введены допол. нительные перемычки с сумматорным хар актеристиче ским сопр отивлением р авныи волновому сопротивлению центрального проводника микрополосковойлинии.
ВНИКПИ Заказ 7990/40 Т
25 1
На чертеже поепставлена констпчкция чправляюшего чстройства СВЧ.
Управляющее чстпойство СВЧ сопеожит диэлектрическую подложку 1, одна сторона которой металлизирована, а на другой расположен центральный проЪ водник 2 микрополосковой линии с разрывами, полупроводниковый диод 3, установленный в отверстии 4 диэлектрической подложки 1 и соединенный с центральным проводником 2 микрополосковой линии с помощью перемычек 5.
Между разрывами центрального проводникового диода 3 введены дополнительные перемычки 6. В корпусе 7 под дополнительными перемичками 6 введен слой диэлектрика 8 с малым Е, где E — диэлектрическая проницаемость.
Полупроводниковый диод 3 крепится на держателе 9 и втулке 10, которые изолированы по постоянному току от корпуса 7 изолирующим слоем 11, При отсутствии управляющего напряжения на полупроводниковом диоде 3 сопротивление его велико, структура поля в микрополосковой линии практически не искажается, так как СВЧ сигнал проходит через дополнительные перемычки 6, наличие которых обеспечивает малое затухание СВЧ сигнала и снижение КСТ .
При подаче управляющего напряжения на полупроводниковый диод 3 сопротивление его мало и потенциал центрального проводника 2 микрополосковой линии практически равен потенциалу корпуса 7. При этом величина ослабления СВЧ сигнала практически не зависит от наличия дополнительных перемычек 6.
Ширина дополнительных перемычек 6 и размеры слоя диэлектрика 8 выбираются из известных соотношений для обеспечения суммарного характеристического сопротивления дополнительных перемычек 6, равного волновому сопротивлению центрального проводника 2 микрополосковой линии.
Использование изобретения позволяет снизить затухание и КСТ управляющего устройства СВЧ в режиме пропускания при сохранении величины ослабления СВЧ сигнала в режиме запирания, что существенно расширяет воэможность практического применения управляющих устройств СВЧ. ирзж 590 Подписное
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул.Проектная,4