Полупроводниковый датчик дозиметра ионизирующего излучения

Полупроводниковый датчик дозиметра ионизирующего излучения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ЛО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3635530/18-25 (22) 12.08.83 (46) 30 ° 05 ° 88. Бил. N 20 (7I) Московский научно-исследовательский рентгена-радиологический институт и Всесоюзный научно-исследова-.. тельский проектно-конструкторский и технологический институт источников тока (72) Ф,И.Глезин, Г.М.Григорьева, Г.С.Далецкий, К.Н.Звягина, P.Ñ.ÌèëüøòåéH, М,В.Попов и Ю.Я:.Харон (53) 621.387.462(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

В 198459, кл. Н 05 С 1/42, 1966.

Авторское свидетельство СССР

В 175574, кл. G 01 Т 1/24, 1963.

4 2 Я 1

„„SU„„1122114 A (511 4 G 01 T 1/24, H 01 ? 31/04 (54)(57) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК

ДОЗИМЕТРА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ, содержащий светонепроницаемый Корпус, в котором установлен полупроводниковый преобразователь, и источник света, отличающийся тем, что; с целью уменьшения габаритов датчика и обеспечения условий для световой калибровки, полупроводниковый преобразователь выполнен в виде пластины с двусторонней чувствительностью, в корпусе дополнительно установлена светорассеивающая пластина, одной стороной состыкованная с полупроводниковой пластиной и снабженная со всех остальных сторон отражающим покрытием, причем светорассеивающая пластина оптически связана с помощью волоконного световода с источником света, установленным вне корпуса датчика.

1122114

Изобретение относится к области дозиметрии ионизируюших излучений, а более конкретно, к полупроводниковым датчикам дозиметров 5

Известны полупроводниковые датчики дозиметров, содержащие полупроводни.-: ковую пластину и сцинтиллятор, установленные в светонепроницаемом корпусе. 1О

Недостатком таких датчиков является сложность их калибровки, что связано с необходимостью использования источников излучения .в любых случаях контроля настройки.дозиметра. 15

Наиболее близким техническим решением является полупроводниковый датчик дозиметра ионизирующего излучения, содержащий светонепроницаемый корпус, в котором установлены полу- 20 проводниковый преобразователь и источник света, Работа известного устройства основана на свойстве попупроводниковых преобразователей излучения изменять 25 свою чувствительность к видимому свету пропорционально изменению чувствительности к ионизирующему излучению, 1 что позволяет путем поверки чувствительности полупроводникового преобра- 30 зователя к видимому свету контролировать и регулировать чувствительность преобразователя к ионизирующему излучению.

Недостатком известного устройства являются его достаточно низкие значительные габариты, что связано с размещением источника света в корпусе датчика. Это требует использования дополнительного пространства для 40 установки самого источника и для формирования пути распространения света для получения более или менее равномерного освещения полупроводникового преобразователя. 45

Цель изобретения заключается в уменьшении габаритов датчика и обеспечении условий для световой калибровки.

Поставленная цель достигается тем, что в датчике дозиметра ионизирующего излучения, содержащем светонепроницаемый корпус, в котором установлены полупроводниковый преобразователь, и источник света, полупроводниковый датчик выполнен в виде пластины с двусторонней чувствительностью, в корпусе дополнительно установлена светорассеивающая пластина, одной стороной состыкованная с полупроводниковой пластиной и снабженная со всех остальных сторон отражающим покрытием, причем светорассеивающая пластина оптически связана с помощью волоконного световода с источником света, установленным вне корпуса датчика.

На чертеже показан полупроводниковый датчик дозиметра ионизирующего излучения, он содержит светонепроницаемый корпус 1., в котором установлены полупроводниковый преобразователь

2; выполненный в виде пластины с двусторонней чувствительностью, сцинтиллятор 3, расположенный перед рабочей поверхностью пластины полупроводникового преобразователя 2, и светорассеивающая пластина 4, состыкованная од- ной стороной с задней поверхностью пластины полупроводникового преобразователя 2. Светорассеивающая пластина 4 оптически связана с помощью волоконного световода 5 с источником света 6. Со всех сторон, кроме состы— кованной стороны, светорассеивающая пластина 4 снабжена отражающим покрытием 7, Источник света 6 установлен вне корпуса 1 датчика.

Световая поверка полупроводникового датчика осуществляется следующим образом.

В условиях отсутствия ионизирующего излучения включает источник света

6. От источника свет 6 по световоду

5 поступает в объем светорассеивающей пластины 4. Там он претерпевает многократные отражения от покрытия 7 и равномерно распределяется по объему, выходя из него только со стороны пластины 4, состыкованной с пластиной полупроводникового преобразователя 2. Измеряя сигнал детекторного преобразователя, можно судить о чувствительности датчика к ионизирующему излучению без использования соответствующих радиационных источников.

Кроме того, достоинством решения является то, что свет поступает на полупроводниковую пластину равномерно, не требуется формирование путей распространения света внутри корпуса.

Указанный фактор и установка источника света 6 вне корпуса 1 позволяет уменьшить габариты датчика в 4-5 раз.

Таким образом, описанное техническое решение обеспечивает создание

1122114

4 излучения со средствами световой поверки. малогабаритных полупроводниковых датчиков дозиметров ионизирующего

Техред М.Дидык . Корректор Л.Пилипенко

Редактор Н.Сильнягина

Тираж 522 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 3387

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4