Способ определения дефектов в соединении

Способ определения дефектов в соединении

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1.СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ В СОЕДИНЕНИИ, вьшолненном в виде подложки и нанесенной на ее поверхность пленки, заключающийся в том,, что вводят под пленку газ под давлением и определяют места вздутий пленки , по которым судят о наличии дефектов в соединении, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности определения дефектов в соединениях с металлическими пленками путем исключения повреждения пленки, используют атомарный газ, a введение его под пленку осуществляют диффузией. 2. Способ по п.1, о г л и ч a ющ и и с я тем, что и качестве атомарного газа использ тот водород. (Л

СОЮЗ ССВЕТСНИХ

COUHMI

РЕСПУБЛИК

0Ю (И) Зцр G Ol N 19/08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ,,:, н авто снов сюдатвъствм

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

FlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ 4 ОТНРЫТИЙ (21) 3583972/25-28 (22) 22,04.83 (46) 30.11.84, Бюл. М 44 (72) О.Г.Брик, А,Н.Горбань, В,Г.Корнич, С.П,Лущин и 1О.А.Швец (71) Запорожский ордена "Знак Почета" машиностроительный институт им. В.Я.Чубаря (53) 620.179.4(088.8) (56) I.Àâòîðñêîå свидетельство СССР

М 562760, кл. G OI N 19/08, 1976.

2. Зимон А.Д.Адгезия пленок и покрытий. M. "Химия", 1977, с.68 — 90 (прототип). (54) (57) 1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДЕФЕК-

Т0В В СОЕДИНЕНИИ, выполненном в виде подложки и нанесенной на ее поверхность пленки, заключающийся в том,. что вводят под пленку газ под давлением и определяют места вздутий пленки, по которым судят о наличии дефектов в соединении, о т л и ч а— ю шийся тем, что, с целью повышения надежности определения дефектов в соединениях с металлическими пленками путем исключения повреждения пленки, используют атомарный газ, а введение его под пленку осуществляют диффузией.

2. Способ по п.1, о -. л и ч а юшийся тем что в качестве ато1 е марного газа используют водород.

1126846

- Изобретение относится к испытательной технике, а именно к способам определения дефектов в соединениях.

Известен способ определения дефектов клеевого соединения; заключающийся в том, что соединение вакуумируют при температуре, превышающей на 100 температуру стекО лов ания клея, охлаждают с з един е- 19 ние до исходной температуры и фиксируют места выпучивания, по которым судят о наличии дефектов в соединении I lj e

Недостатком этого способа является ограниченность его использования из-за коробления соединения после его нагрева и охлаждения.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достига- рО емому результату является способ определения дефектов в соединении, вы— полненном в виде подложки и нанесенной на ее поверхность пленки, заключающийся в том, что вводят под 2g пленку газ под давлением и определяют места вздутий пленки, по которым судят о нали ши дефектов в соединении. Газ вводят с помощью шприца прокалыванием пленки в различных ее местах 12), Недостатком этого способа является низкая надежность определения дефектов, поскольку прокалывание пленки шприцем нарушает ее целостность, к току же возможно прокглывание в стороне от дефектного участка.

Цель изобретения — понышение надежности определения дефектов в соединениях с металлическими пленками путем исключения повреждения цело40 стпости пленки, Для достижения поставленной цели согласно способу определения дефектов в соединении, выполненном в виде подложки и нанесенной на ее поверхность пленки, заключающемуся в том, что вводят под пленку газ под давлением и определяют места вздутий пленки, по которым судят о наличии дефектов в соединении, используют атомарньш гаэ, а введение его под пленку осуществляют диффузией.

При этом в качестве атомарного газа используют водс род, Способ осуществляют следующим образом.

На поверхность подложки наносят одним из известных способов металлическую пленку. Со стороны металлической пленки на соединение воздействуют под давлением атомарным водородом, KoTopbDI диффундирует по всей поверхности металлической пленки и проникает под нее на границу раздела металлической пленки с подложкой.

Атомарный водород обладает повышенной проникающей способностью через поры металлических материалов без их разрушения . В местах дефектов соединения пленки с подложкой атомарньш водород накапливается и рекомбинирует в молекулярный, При этом парциальное давление атомарного водорода остается низким, а накоп е— ние молекулярного водорода в местах дефектов соединения вызывает вздутия пленки. Определяют места взцутий по всей поверхности металлической пленки и по ним судят о наличии дефектов в соединении. При отсутствии дефектов в соединении атомарный водород не рекомбинирует в молекулярный и

«е вызывает вздутий пленки, что указывает.на хорошее соединение металлической пленки с подложкой.

Пример . На поверхность кремниевой подложки наносят методом термического вакуумного напыления слой медной пленки, толщиной мкм, Подложку с пленкой устанавливают в стеклянную камеру и воздействуют на пленку атомарным водородом под парциальным давлением 3 Па. Атомарньш водород получают диссоциа-! цией молекулярного водорода в элект- рическом разряде с помощью генератора высокой час.тоты ГВЧ-66, максимальная кошность которого составляет 70 Бт, а рабочая частота 40 МГц.

Диапазон рабочих давлений в установке определяется возможностью получения высокочастотного разряда, в котором происходит диссоциация молекулярного водорода,он составляет

30 Па, Для отделения атомов водорода от заряженных частиц расстояние от разрядника до рабочего объема, в котором размещается подложка с пленкой,составляет 0,2 м. Соединение выдерживают в атмосфере атомарного водорода в течение 5 мин „ После воздействия атомарного водорода на медную пленку и его диффузии под пленку определяют места вздутий пленСоставитель В. Свиридов

Техред А.Бабинец Корректор С.Шекмар

Редактор Л.Апексеенко

Заказ 8683/32 Тираж 822

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

I!3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент", r. ужгород, ул,. Проектная, 4 ки, по которым судят о наличии дефектов в соединении.

Йэобретение позволяет повысить надежность определения дефектов в соединениях с металлическими плен!

126846 4 ками путем .обеспечения ввода атомарного газа под пленку по всей ее поверхности и исключения повреждения целостности пленки за счет диффузионного проникновения атомарного vasa через поры пленки.