Запоминающая линейка

Запоминающая линейка

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ЗАПОМИНАЮЩАЯ ЛИНЕЙКА, содержащая пластину из феррита с прямоугольной петлей гистерезиса, в которой выполнены две группы адресилх отверстий, расположенных с равным: и равномерным шагом вдоль краев пластины, и группа разрядны;х отверстий , расположенных с тем же шагом, вдопь продольной оси пластины, причем центры одноименных адресных отверстий групп расположены на линиях, перпендикулярных продольной оси пластины, адресный и разрядные проводники , отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности запоминающей линейки путем увеличения выходного сигнала 1 при считывании информации, центры разрядных отверстий группы смещены от середины расстояний между линиями расположения одноименных адресных отверстий групп, одноименные адресные отверстия групп прошиты адресньм проводником в одном направлении, а смежные пары одноименньгх адресных отверстий групп прошиты этим же проводншсом в противоположных направлениях , смежные разрядные отверстия группы прошиты разрядными проводниками в противоположных направлениях .

ООЮЗ COBKTGHHX

СО И ЗВ

РИСОВ БЛИН

69) (И) описдние изоьгетяни гщэДюстмнный комитет сссР

Мле ю пЮ (21) 3619488/24-24 (22) 11.07.83 (46) 30.11.84. Бюл. Р 44 (72). Т.К. Цогоев, И.Б. Беневич, А.Е. Соловьев и Е.Н. Иванов (53) 681. 327 ° 66 (088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

В 871219, кл. G 11 С, 11/08, 1980.

2. Авторское свидетельство СССР

Ф 259963, кл. G 11 С 11t08, 1968 (прототин) . (54)(57) ЗАПОМИНАКМЦАЯ ЛИНЕЙКА, содержащая пластину из феррита с прямоугольной петлей гистерезиса, в которой выполнены две группы адресных отверстий, расположенных с равным:. и равномерным шагом вдоль краев пластины, и группа разрядных отверс:тий, расположенных с тем же шагом, вдоль продольной оси пластины, причем центры одноименных адресных отверстий групп расположены на линиях, перпендикулярных продольной оси пластины, адресный и разрядные проводники, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности запоминающей линейки путем увеличения выходного сигнала "1" при считывании информации, центры разрядных отверстий группы смещены от середины расстояний между линиями расположения одноименных адресных отверстий групп, одноименные адресные отверстия групп прошиты адресным проводником в одном направлении, а смежные пары одноименных адресных отверстий групй прошиты этим же проводником в противоположных направлениях, смежные разрядные отверстия группы прошиты разрядными проводниками в противоположных направлениях.

002

f ii27

Изобретение, относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах

ЭВИ.

Известна запоминающая ячейка, S содержащая ферромагнитную пластину с адресным и разряднымю отверстиями, прошитыми соответственно адресным и разрядными проводниками 1,1 ).

Недостатком известной коиструк- 16 ции линейки является малая величина выходных сигналов, что затрудняет их селекцию и снижает надежность запоминающей. линейки

Наиболее близка к изобретению эа- 1 поминающая линейка, содержаща я пластину из феррита с прямоугольной петлей гистерезиса (ППГ), в которой выполнены две группы адресных отверстий, расположенных .с равным и равномерным шагом вдоль краев пластины, и группа разрядных отверстий, расположенньк с тем же шагом вдоль продольной оси пластины, причем центры одноименньк адресных отверстий грула расположены на линиях, перпендикулярйьк продольной оси пластины, адресный и разрядные проводники 1„2 3.

Сигналы считывания в данной запоминающей линейке, как правило, имеют малую величину, причем сигналы "0" и, "1" имеют одинаковую амплитуду и различаются только полярностью. Малая величина сигнала считывания существенно, затрудняй селекцию информаци- Э5 онных сигналов на фоне помех, снижа" ет надежность устройства.

Цель изобретения - повышение на- . дежности запоминающей линейки путем увеличения выходного сигнала "1" при 40 считывании информации.

Поставленная цель достигается тем, .что в запоминающей линейке, содержащей пластину из феррита с ППГ, в которой выполнены две группы адресньк отверстий, расположенных с равным и равномерным шагом вдоль краев пластины, и группа разрядных отверстий, расположенньк с тем же шагом вдоль продольной оси пластины, причем цент-зв ры одноименных адресных отверстий

/ групп расположены на линиях, пернендикулярньк продольной оси пластины, адресный и разрядные проводники, центры разрядных отверстий группы SS смещены от середины расстояний между линиями расположения одноименных адресных отверстий групп, одноименные адресные отверстия групп прошиты адресным проводником в одном направ- . лении, а смежные пары одноименньк адресных отверстий групп прошиты этим же проводником в противоположных направлениях, смежные разрядные отверстия группы прошиты разрядными проводниками,в противоположных направлениях.

На чертеже изображена конструкция предложенной запоминающей линейки.

Запоминающая линейка содержит пластину 1 из феррита с ППГ, в которой выполнены две группы адресных отверстий 2 и группа разрядных отверстий 3, причем центры одноименных адресньк отверстий групп 2, расположены на линиях 4, перпендикулярных продольной оси 5 пластины 1, а центры разрядных отверстий группы 3 смещены от середины б расстояний между линиями 4. Адресные отверстия групп 2 прошиты адресным проводником 7 с началом 8 и концом 9, а разрядные проводники группы 3 прошиты разрядными проводниками 10 с началами. 11 н концами 12.

Линейка работает следующим образом.

Информация в линейку записывается одним нэ иэвестньк способов, используемых в магнитных ЗУ, и фиксируется в виде остаточного магнитного потока разрядньк магнитопроводов линейки.

При считывании информации импульсы тока считывания, протекающие в адресном проводнике 7 от начала 8 к концу 9, создают импульсы магнитного поля в материале пластины 1, окружающем адресные отверстия 2, модулнруя (вызывая обратимые изменения) остаточный магнитный поток разрядных магнитопроводов, в результате чего в разрядньк проводниках 10 индуцнруются. сигналы напряжения.

На каждый разрядный магнитопровод с двух сторон оказывают воздействие противоположно направленные магнитные поля пар одноименных адресных отверстий групп 2, между которыми расположено разрядное отверстие 3.

При этом каждая пара адресных отверстий 2 индицирует в разрядном проводнике 10 сигнал определенной полярности, а результирующий выходной сигнал линейки является раэностью этих сигналов. Амплитуда сигнала, индуцируемого в разрядном проводнике

10 полем пары адресных отверстий групп 2, зависит при прочих равных

3 1127 условиях от расстояния между цент= рами разрядных отверстий 3 и пары адресных отверстий 2 (чем меньше расстояние, тем больше сигнал), а также от направления намагниченности разрядного магнитопровода по отношению к направлению поля адресных отверстий 2 (при.одинаковых направлениях сигнал меньше, чем при противоположных) . 10

Ввиду того, что в предложенной линейке линии 13 расположения центров разрядных отверстий 3 .смещены отно- . сительно середин 6 расстояний между линиями 4 расположения центров одноименных адресных отверстий 2 (т.е. разрядные отверстия 3 поиближены к одной из двух линий 4, между которыми они находятся), в разрядном проводнике 10 индуцируются сигналы, полярность которых определяется направлением магнитного поля близко расположенной. пары адресных отверстий 2, а амплитуда — расстоянием между разрядным отверстием 3 и адресными 5 отверстиями 2. Эти сигналы, складываясь с информационными (определяемыми направлением остаточной намагниченности разрядных магнитопроводов) сигналами "1t H вычитаясь иэ cHrHa002 4 лов "0", увеличивают и уменьшают соответственно выходные сигналы "1 и "0" линейки. При этом полярности сигналов "1" в разрядных проводниках вдоль линейки чередуются вследствие соответствующего чередования направлений магнитных полей пар адресных отверстий. По этой причине начала 11 и концы 12 разрядных проводников 10 также чередуются вдоль линейки с тем, чтобы полярность считываемых со всех разрядов сигналов

"1" была одинаковой, например положительной.

Предложенная запоминающая линейка имеет более высокую надежность вследствие возможности расширения области устойчивой работы (ОУР) при воздействии неблагоприятных факторов (изменения питающих напряжений, температуры окружающей среды, уровня помех и др.). Достигается это за счет большей на 70 †8 амплитуды сигнала считывания "1" без увеличения адресного тока считывания. Настолько же расширяется ОУР. Кроме того, можно при сохранении той же ОУР уменьшить ток считывания на 70-80Х, что позволит упростить схему управления ЗУ на базе предложенной линейки.

74 Подписное, ул.Проектная, 4