Источник вращающегося магнитного поля для доменного запоминающего устройства

Источник вращающегося магнитного поля для доменного запоминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ИСТОЧНИК ВРАЩАЮЩЕГОСЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ДЛЯ ДОМЕННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА , содержащий две многовитковые обмотки с взаимно ортогональными витками, прилегающие друг к другу в области их перекрытия без зазора, отличающийся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности и повышения быстродействия, многовитковые обмотки выполнены с поперечным сечением в форме прямоугольного меандра, а их витки последовательно охвачены друг другом с зазорами между областями перекрытия многовитковых обмоток. 1С СО 05 СП tsd

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1129652 A

3(5D G 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСКОМЪ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3282528/24-24 (22) 27..04.81 (46) 15.12.84. Бюл. № 46 (72) В. В. Костин, Д. В. Цаплин и Н. Л. Прохоров (71) Институт электронных управляющих машин (53) 681.327.66 (088.8) (56) 1. Патент США № 4027300, кл. 340—

174, опублик. 1977.

2. Патент США № 3932827, кл. 336 †, опублик. 1976 (прототип). (54) (57) ИСТОЧНИК ВРАЩАЮЩЕГОСЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ДЛЯ ДОМЕННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий две многовитковые обмотки с взаимно ортогональными витками, прилегающие друг к другу в области их перекрытия без зазора, отличающийся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности и повышения быстродействия, многовитковые обмотки выполнены с поперечным сечением в форме прямоугольного меандра, а их витки последовательно охвачены друг другом с зазорами между областями перекрытия многовитковых обмоток.

1129652

Изобретение относится к вычислительной технике, и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен источник вращающегося магнитного поля для доменного запоминающего устройства, выполненный в виде пары плоских удлиненных катушек, со спиралеобразной намоткой, витки которых взаимно ортогональны друг другу в области их перекрытия. В этих областях создается вращающееся магнитное поле при подаче соответствующих напряжений питания на выводы катушек (1) .

Недостаток известного источника высокое энергопотребление, обусловленное небольшой площадью областей однородного вращающегося магнитного поля по сравнению с общей площадью катушек.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является источник вращающегося магнитного поля для доменного запоминающего устройства, выполненный в виде пары двух сжатых катушек индуктивности (плоских обмоток), вставленных одна в другую, с взаимно ортогональными витками в областях их перекрытия без зазора. В зазоре внутренней катушки индуктивности создают вращающееся магнитное поле путем подачи на выводы катушек индуктивности пилообразных или синусоидальных напряжений, сдвинутых по фазе (2).

Данное устройство характеризуется также высоким энергопотреблением, обусловленным тем, что зона действия магнитного потока, создаваемого обмотками, используется частично, особенно в источниках для многокристалльных доменных микросборок.

Цель изобретения — снижение потребляемой мощности и повышение быстродействия источника вращающегося магнитного поля для доменного запоминающего устройства.

Поставленная цель достигается тем, что в источнике вращающегося магнитного поля для доменного запоминающего устройства, содержащем две многовитковые обмотки с взаимно ортогональными витками, прилегающими друг к другу. в области их перекрытия без зазора, многовитковые обмотки выполнены с поперечным сечением в форме прямоугольного меандра, а их витки последовательно охвачены друг другом с зазорами между областями перекрытия многовитковых обмоток.

На чертеже изображена конструкция предложенного устройства, Источник вращающегося магнитного поля для доменного запоминающего устройства содержит две многовитковые обмотки

1, последовательно и поочередно охватывающие основания 2 с доменосодержащими

Зо

55 кристаллами 3. Основания 2 скреплены направляющими штырями 4.

Обмотки формируют из одного замкнутого и одного разрезного шлейфов изолированного провода, витки которого, прилегающие без зазоров друг к другу, скреплены клеем.

Вследствие особенностей связи между обмотками источник имеет нечетное количество областей перекрытия обмоток, т.е. предназначен для нечетного количества оснований с кристаллами.

Источник работает следующим образом.

При подаче напряжений питания на выводы обмоток в петлях, образованных обмотками, возникает магнитное поле. Так как напряжения питания имеют пилообразную форму и сдвинуты по фазе, то в зазорах между областями перекрытия обмоток образуется вращающийся по направлению в горизонтальной плоскости магнитный поток, равный сумме изменяющихся по амплитуде магнитных потоков, создаваемых каждой обмоткой. При этом магнитные потоки, создаваемые в каждой петле, одинаковы по амплитуде, так как создаются идентичными участками конструкции при одинаковой амплитуде токов питания. Этим создается возможность разместить доменосодержащие кристаллы во всей зоне действия магнитного потока в отличие от размещения их в половине зоны действия магнитного потока (как в известном устройстве) и, следовательно, уменьшить общую длину проводов, необходимых для формирования магнитного поля в заданной зоне действия.

Так как магнитное поле создается петлями проводников, а не витками проводников, то индуктивность обмоток меньше, чем индуктивность обмоток известного источника.

Испытания источника вращающегося магнитного поля для пяти кристаллов, соединенного последовательно с известным источником для одного кристалла, обмотки которого были выполнены той же ширины и из проводов того же диаметра, показали, что магнитные поля, создаваемые источниками в зазорах при одном и том же токе питания, одинаковы по амплитуде. Однородность магнитного поля в зонах установки кристаллов в предложенном источнике на

13 / больше, чем в известном, что объясняется взаимодействием поля в зоне установки кристаллов с полями соседних зон, взаимно выпрямляющих свое направление в областях между обмотками. Удельное энергопотребление, т.е. энергопотребление приходящееся на один кристалл, на 42 /р меньше, чем в известном устройстве.

Изменения параметров обмоток предложенного и известного источников (соответственно для компланарного размещения пяти кристаллов и для планарного размещения четырех кристаллов), выполненных из проводов одного и того же диаметра, показали, что активное сопротивление каждой из обмоток предложенного устройства меньше на 14о/о, чем в известном устройстве, а это совпадает с теоретически рассчитанной величиной. Кроме того, индуктивность каждой из обмоток предложенного устройства меньше на 48"/о, чем в известном устройстве (82 мкГн и 60 мкГн соответственно).

Таким образом, изобретение позволяет существенно уменьшить потребляемую электроэнергию и расширить частотный диапазон работы предлагаемого источника.

Составитель Ю. Розенталь

Редактор М. Келемеш Техред И. Верес Корректор А. Обручар

Заказ 8975/41 Тираж 574 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4