Способ изготовления детекторных кристаллов для сверхвысоких частот

Способ изготовления детекторных кристаллов для сверхвысоких частот

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

№ 113403

Класс 21 г, 13юi

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. И. Фистуль и Г. Э. Пинес

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТЕКТОРНЫХ КРИСТАЛЛОВ ДЛЯ

СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ

Заявлено 14 января 1957 г. за № 564639 в Комитет но делам изобретений и открытий гри Совете Министров СССР

В известных способах изготовления кремневых детекторных кристаллов на графитовую подложку высаживают смесь кремния и бора из газовой фазы с последующим высаживанием пленки чистого кремния также из газовой фазы. При подобных способах трудно регулировать толщину высаживаемых слоев и равномерно распределить примесь бора в слое наносимого на графитовую подложку кремния.

Известные электромагнитные сепараторы типа СП-26-А позволяют получать тонкие пленки кремний-бор-кремний регулируемой толщины, но не обеспечивают равномерного распределения бора в наносимой пленке.

Предлагаемое изобретение устраняет указанные недостатки тем, что кремний и бор высаживают на графитовую подложку из плазмы дугового разряда ионного источника установки для разделения изотопов.

Схема устройства для осуществления описываемого способа показана на чертеже.

В ионный источник 1 вводится вещество, содержащее кремний. Пары этого вещества ионизируются в дуговом разряде источника и ионы втягиваются в камеру, помещенную в магнитное поле. Напряженность магнитного поля и потенциал ускорения ионов подбираются так, чтобы ионы кремния высаживались на графитовую подложку, используему1а в качестве коллектора ионов. Аналогично ионы бора или другого легирующего элемента направляются на коллектор 2 из второго ионного источника 8. Ионы посторонних примесей попадают на коллектор 4, не достигая подложки, что позволяет снизить требования, предъявляемые к чистоте испсльзуемых для нанесения на нее веществ.

Для получения кристаллической структуры графитовую подложку вместе с нанесенными на нее слоями кремния и бора нагревают до пемпературы кристаллизации либо во время нанесения слоев, лиоо № 113403

Предмет изобретения способ изготовления детекторных кристаллов для сверхвысоких частот путем высаживания смеси бора и кремния из газовой смеси на графитовую подложку, отличающийся тем, что, с целью регулирования толщины высаживаемых слоев и равномерного распределения примеси бора в слоях наносимого кремния, на графитовую подложку высаживают кремний и бор из плазмы дугового разряда ионного источника установки для разделения изотопов с последующей кристаллизацией высаженных элементов нагреванием подложки до необходимой температуры.

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Редактор Л. П. Ситников

Информационно-издательский отдел.

Объем 0,17 и. л. Зак. 3275

Подл. к печ. 13.IX-58 г..

Тираж 1600 Цена 25 коп.

Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Петровка, 14 после окончания "процесса нанесения. Способ позволяет наносить слои толщиной до, 1 б "см и распределять требуемым образом легирующую присадку в слое кремния.