Измерительный свч-резонатор

Измерительный свч-резонатор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ СВЧ-РЕЗОНАТОР, :содержапшй отрезок запредельного прямоугольного волновода с емкостным штырем, расположенным на широкой стенке, волновода, измерительное отверстие, выполненное в противоположной широкой стекке, в которое введен свободный конец емкостного штыря, источник оптического излучения, подключенный к источнику напряже1шя, отличаюш и и с я тем, что, с цепью повышения точности измерений параметров полупроводников , емкостной штырь выполнен полым, а источник оптического излучения выполнен в виде полупроводниковой светоизл гчающей структуры, п-область которой контактирует с торцом емкостного штыря, а р-о6ласть расположена внутри емкостного штыря и соединена с источником напряжения, при этом диаме-ф п-области равен диаметру емкостного штыря.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

29 А

09) (И) .4(51) G 01 N 22 00

I с

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTGPCHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3420848/24-09 (22) 07.04.82 (46) 30.01.85. Бюл. У 4 (72) Б. А. Наливайко и С, Д. Воторопин (53) 621.317.39 (088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

Р 496515, кл. G 01 В 31/26, 1973.

2. Авторское свидетельство СССР N 896524, кл. 6 01 N 22/00, 1979 (прототип). . (54) (57) ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ СВЧ-РЕЗОНАТОР, :содержащий отрезок запредельного поямоуголь ного волйовода с емкостным штырем, расположенным на широкой стенке. волновода, из мерительное отверстие, выполненное в противоположной широкой стенке, в которое введен свободный конец емкостного штыря, источник оптического излучения, подключенный к источнику напряжения, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения точности измерений параметров цолупроводни-. ков, емкостной ппырь выполнен полым, а источник оптического излучения выполнен в виде полупроводниковой светоизлучающей структуры, и-область которой контактирует.c торцом емкостного штыря, а р-область расположена внутри емкостного штыря и соединена с источником напряжения, при зтом диаметр и-области равен диаметру емкостного штыря.

1) 37379

Составитель Р. Кузнецова

Техред M. Кузьма Корректор Е, Сирохман

Редактор Н, Киштулинец

Заказ 10514/32 Тираж 898

ВНИИПИ 1 осударственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4f5

Подписное ул. Проектная. 4

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения параметров полупроводников.

Известен измерительный СВЧ-.резонатор для исследования полупроводников, содержащий . 5 отрезок запредельного волновода и емкостной штырь, установленный на широкой стенке отрезка запредельного волновода (1) .

Однако известный измерительный СВЧ резонатор не позволяет производить фотозлектрические исследования.

Наиболее- близким к предлагаемому является измерительный СВЧ-резонатор, содержащий отрезок запредельного прямоугольного волновода с емкостным штырем, расположенным 15 на широкой стенке волновода, измерительное отверстие, выполненное в противоположной широкой стенке. волновода, в которое введен свободный конец емкостного штыря, источник оптического излучения, подключеннный к ис- 2g точнику напряжения (2)

Однако известный измерительный СВЧ-резонатор не обеспечивает высокую точность измерений параметров полупроводников.

Цель изобретения — повышение точности 25 измерения параметров полупроводников.

Поставленная цель достигается тем, что в измерительном СВЧ-резонаторе, содержащем отрезок запрепельного прямоугольного волно-. вода с емкостным штырем, .расположенным на широкой стенке волновода, измерительное Отверстие, выполненное в противоположной широкой стенке волновода., p которое введен свободный конец емко тного штыря, источник оптического излучения, подключенный ч к источнику напряжения, емкостной штырь выполнен полым, а источник оптического излучения выполнен э виде полунроводниковой светоизлучающей структуры, EE-область которой контактирует с торцом емкостного

4п штыря, а р-область расположена внутри емкостного штыря и соединена с источником напряжения, при зтом диаметр и-области равен диаметру емкостного штыря.

На чертеже приведена конструкшля измеридч тельного СВЧ-резонатора.

Измерительный СВЧ-резонатор содержит отрезок 1 запредельного прямоугольного волФилиал ППП " Латент", г. Ужгород, новода с емкостным штырем 2, расположенным на широкой стенке, измерительное, Отверстие 3, источник 4 оптическо о н . учения, выполненный в виде полулроводниковой светоизлучающей структуры, и-область 5 которого контактирует с торцом емкостного штыря 2, а р-область 6 расположена внутри емкостного штыря 2 и соединена с источником напряжения (не показан) с помощью проводника 7, причем и-область выполнена из полупроводника с максимально возможной проводимостью, прозрачной для используемой длины волны оптического излучения.

Измерительный СВЧ-резонатор работает следующим образом.

При приложении между отрезком 1 запре-: лельного прямоугольного волновода и проводником 7 разности потенциалов через полупроводниковую светоизлучающую структуру протекает ток и его о-р-переход излучает свет, который возбуждает неравновесную проводимость в исследуемом образце 8 полупроводника. Изменение проводимости образца 8 полупроводника приводит к изменению добротности измерительного СВЧ-резонатора, что позволяет с применением различных схемотехнических снособов исследовать фотоэлектрические характеристики полупроводников.

Применение изобретения позволяет повысить чувствительность и точность измерительного

СВЧ-резонатора из-за наиболее полного включения образцов полупроводника в емкостной зазор., счизнть трудоемкость процесса измерения за счет исключения необходимости открывания и закрывания измерительного СВЧрезонатора при смене образца и, что более. су1цественно, исключить необходимость настройки лзмерительного СВЧ-резонатора (генератора на максимум измеряемого сигнала (которыи достигается при совпадении частоты генератора накачки с резонансной частотой резонатора), так как в предлагаемом измерительном СВЧрезонаторе резонансная частота при смене образца практически не изменяется при любых толщинах чсследуемых пластин полупроводшлка.