Стекло для стеклокристаллического цемента

Стекло для стеклокристаллического цемента

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СТЕКЛО ДЛЯ СТЕКЛОКРИСТАЛПИЧЕСКОГО ЦЕМЕНТА, включающее SiOg, BjO, BaO, ,;, Zn 0, от л ичающееся тем, что, с целью снижения температуры кристаллизации и улучшения диэлектрических характеристик , оно дополнительно содержит МпО при следунидем соотношении компонентов , мае.%: SiOj 18-20,5 25,5-29 БЛ Вас 22,5-27 1,5-3,5 AljO 24-26 ZnO 1-3 MnO

СО1ОЗ СОВЕТСКИХ

СОЦ ИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

4(51) С 03 С 10 06

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАЮ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ASTGPCH0MV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3626634/29-33 (22) 27.07.83 (46) 07.03.85. Бюл. У 9 (72) Н.М.Бобкова, Г.Е.Рачковская и Л. Г.Шишканова (71) Белорусский ордена Трудового

Красного Знамени технологический институт им. С.M.Кирова (53) 666. 112.9(088.8)

i(56) 1. Авторское свидетельство СССР

У 948921, кл. С 03 С 3/22, 1-981.

2. Патент Франции В 1590777., кл. С 03 С 3/00, опублик. 1970.

ÄÄSUÄÄ 1143711 А. (54) (57) СТЕКЛО ДЛЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИ-.

ЧЕСКОГО ЦЕМЕНТА, включающее 8 0, В О,, ВаО, А1 05, Еп О, о т л и.ч а ю щ е е с я тем, что, с целью снижения температуры кристаллизации и улучшения диэлектрических характеристик, оно дополнительно содержит

МпО при следующем соотношении компонентов, мас.й:

SiOã 18-20в5

В 05 25, 5-29

ВаО 22,5-27

Alã0э 15 35

ZnO 24-26

МпО 1-3

1143711

Изобретение относится к тех»олог»и силикатов и преднаэ»ачено для межслойной изоляции медной разводки

»а керамических подложках в производстве коммутационных плат. 5

Известно стекло для стеклокристаллического цемента, содержащее, с.X: Б102 47-58; А1203 15-22, Т .О 6-12 Sr0 или ВаО 3-22 и один из компонентов группы СеО 0,01 — !0

0,5, Б»О 0,5-3, ZrOz 0,5-3 Pf) .

Недостатком стекла является высо® кая температура кристаллизации и низкий температурный коэффициент линейного расширения, не согласующийся с !5

ТКЛР керамики.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности,и достигаемому результату является сте1сло для стеклокристаллического цемента, вклю-2п чающее, мол.X: SiOg 9-26; В О 9-36;

А1 0 0-16, СаО+БгО+ВаО+МяО 9-56

ZnO+Cd0 9>57, CdO 5-7 и имеющее

ТКЛР (45-100) 10 град P2) .

Недостатком известного стекла яв- 25 ляется то, что в era состав входят оксиды кальция и стронция, что обуславливает выделение в процессе термообработки нескольких кристаллических фаз различного минералогического сос-30 тава, характеризующихся разными значениями ТКЛР, в результате чего ТКЛР ,стеклокристаллического покрытия в процессе термообработки может изменяться, ухудшая качество покрытия.

Кроме того, у этого материала высокая температура кристаллизации и недостаточ»ые диэлектрические характеристики.

Целью изобретения является снижение температуры кристаллизации и улучшение ди лектрических характеристик.

Цель достигается тем, что стекло для стеклокристаллического цемента, включающее S iO, В О,!, ВаО, А1 Оз, ZnO, дополнительно содержит МпО при следующем соотношении компонентов, мас, Ж:

Si0z 18-20,5

В Оэ 25,5-29,0

ВаО 22,5-27,0

A1zOq f 5 35

ZnO 24,0-26,0

МпО 1, 0-3,0

Варку стекол осуществляют в газовой пламенной печи при 1450-1480 С.

В качестве сырьевых материалов для приготовления шихты используют кварцевый песок, глинозем, борную кислоту, углекислый барий, оксиды цинка и марганца.

Примеры стекол и физико-химические свойства созданных на их основе изоляционных покрытий приведены в

I таблице.

Как видно из таблицы, стеклокрис- таллический цемент на основе предлагаемого стекла характеризуется по сравнению с известным пониженной температурой кристаллизации, величина которой на 440-480 С ниже.

1143711

Значение показателей для стекла и созданного на его

Показатели основе покрытия

9-26

19,0

20,5

18,0

26,5

25,5

Bf 05

27,0

22,5

Ва0

3,5

0-16

2,0

1,5

Al< 0Ý

24,0

25,5

9-57

26,0

ZnO

1,0

3,0

2,0

Мп0

Температура кристаллио эации стекла, С

760

1050 20

740

750 (45-100) 56

55

Диэлектрические потери

tg8<10 4 при f = t МГц 12,0

11,2 20,5-22,4

12,5

Диэлектрическая проницаемость, Я при f = 1 МГц 8,0

7,7

7,4

10,2-1 I,á

Время кристаллизации, мин

15-20 15-20 15-20

15-20

Составитель О.Самохина

ТехредМ.Пароцай Корректор И.Эрдейи

Редактор Н.Егорова

Заказ 843/20 Тирах 457 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий!

13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал IIIHI "Патент", r.ужгород, ул.Проектная, 4

Температурный коэффициент линейного расширения в интервале 20-300 С e

«10, 1/град

3 Известное

29,0 9-36

23,5 RO 9-56