Способ записи информации в магнитопленочный запоминающий элемент

Способ записи информации в магнитопленочный запоминающий элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В МАГ НИТОПЛЕНОЧНЫЙ ЗАПОМИНАЮШИЙ ЭЛЕМЕНТ, основанный на последовательной подаче в разрядную шину основного импульса тока и дополнительного импульса тока обратной полярности амплитуды, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия способа записи информации, подачу дополнительного импульса тока в разрядную шину осушествляют в течение времени доп.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

Я0„„1156137 А

4(59 G ll C 11 14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ = !

22.1 (21) 3569685/24-24 (22) 31.03.83 (46) 15.05.85. Бюл. № 18 (72) А. Т. Казаченко (53) 681.327.66 (088.8) (56) Патент США № 3478336, кл. G 11 В 5/74, опублик. 1969.

Патент США № 3753251, кл. G 11 С 11/14, опублик. 1973. (54) (57) СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В МА1 НИТОПЛЕНОЧНЫй ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, основанный на последовательной подаче в разрядную шину основного импульса тока и дополнительного импульса тока обратной полярности амплитуды, отличающийся тем, .что, с целью повышения быстродействия способа записи информации, подачу дополнительного импульса тока в разрядную шину осуществляют в течение времени, оп.= (0,2— — 1,0) осн, где C < . — длительность основного импульса тока.

1156137

ВНИИПИ Заказ 3183/49

Филиал ППП «Патент», г.

Тираж 584 Подписное

Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в магнитопленочных запоминающих устройствах.

Цель изобретения — повышение быстродействия способа записи информации.

На фиг. 1 представлена структурная схема устройства, реализующего способ; на фиг. 2 — временная диаграмма импульсов тока.

Устройство содержит цилиндрическую магнитную пленку 1 на подложке 2, выполняющей роль разрядной шины, адресную шину 3, формирователь 4 импульса тока в адресной шине, формирователь 5 основного импульса тока в разрядной шине, 15 формирователь 6 дополнительного импульса тока в разрядной шине.

Устройство работает следующим образом.

При записи информации в формирователе 4, выход которого подключен к одному из концов адресной шины 3, формируют импульс тока I© (фиг. 1 и 2), под действием которого вектор намагниченности разворачивается к оси трудного намагничивания.

В формирователе 5, выход которого подключен к одному из концов подложки 2, являющейся разрядной шиной, формируют основной импульс тока 1ро той или иной полярности, в зависимости от значения записываемой информации, который накладывается во времени на задний фронт импульса тока 1о. Под действием магнитных полей, которые созданы импульсом тока I в адресной шине и основным импульсом тока Ip.o в разрядной шине, вектор намагниченности поворачивается в зависимоти от полярности тока Ip.o в ту или иную сторону к оси легкого намагничивания, где и происходит хранение записанной информации.

После окончания основного импульса тока Ip.о в формирователе 6, выход которого подключен к тому же концу подложки 2, что и выход формирователя 5, формируют дополнительный импульс тока I p, дол обратной полярности в разрядной шине, который имеет ту же амплитуду, что и 1р.о, ио по длительности меньше, чем длительность основного импульса тока Ip.î .

Этот дополнительный импульс тока обратной полярности в разрядной шине создает магнитное поле вдоль оси легкого намагничивания, обратное по знаку магнитному полю, которое создал основной импульс тока 1р.о в разрядной шине. Под действием этого магнитного поля происходит выпрямление доменных границ данного

МЗЭ и размагничивание области между границами данного МЗЭ и соседних с ним запоминающих элементов, т. е. уменьшает подвижность доменных границ и предотвращает «сползание» их при последующих дестабилизирующих воздействиях. После окончания дополнительного импульса тока в разрядной шине закончена запись информации по предлагаемому способу.

Дополнительный импульс тока 1р дон должен удовлетворять следующим условиям.

Амплитуда Ip.л.ол должна быть примерно равна амплитуде 1р.о н должна быть не меньше порогового тока записи и не больше. половины амплитуды тока, эквивалентного коэрцитивной силе материала цилиндрической магнитной пленки. Длительность дополнительного импульса 1рдоп. должна быть не меньше собственного времени перемагничивания конкретной цилиндрической магнитной пленки.

Конкретная амплитуда и минимальная длительность тока 1рдоп, дающие максимальный эффект, определяются конкретной конструкцией МЗЭ, оптимальным значением амплитуды импульса тока Iо, в адресной шине и технологией изготовления цилиндрической магнитной пленки.