Способ определения добротности кристаллов искусственного кварца

Способ определения добротности кристаллов искусственного кварца

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДОБРОТЮСТИ КРИСТАЛЛОВ ИСКУССТВЕННОГО КВАРЦА, включающий измерение поглощения кристаллом ИК-излученкя и определение добротности кристалла по результатам измерений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения, измеряют площадь диффузной полосы поглощения кристалла с максимумом в области 3400 см- .

СОЮЗ СОВЕТСКИХ .СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

4(5)) G 01 N 21/00

Г, .

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Б ..

М АВТ0РСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

3В»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTMA (21) 3590354124-25 (22) 03,05.83 (46) 23.05.85. Бюл, Ф 19 (72) К.П.Семенов,А.А.Фотченков, А,Б.Дубовский,А.А.Шапошников и Л.Н.Рсманов (71) Всесоюзный научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья

{53) 535.24 (088.8) (56) I.Авторское свидетельство CCCl.

1 686515, кл.G 01 R 29/22,1981.

2.D.Â.Fraser at all.Measurements

of сгувйа11".s absorption. Frequency, 1966, 4.), р.18-21 (прототип).

„„su„„ i» а (54) (57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДОБРОТНОСТИ КРИСТАЛЛОВ ИСКУССТВЕННОГО

КВАРЦА, включающий измерение поглощения кристаллом ИК-излучения и определение добротности кристалла по результатам измерений, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения точности определения, измеряют нлощадь диффузной полосы поглощения кристалла с максимумом в области

3400 см " .

Составитель Г.Коломейцев

Редактор А,Шишкина Техред М.Гергель Корректор А.Обручар

Заказ 3359/41 Тираж 879

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035,NîñKâà,Æ-35,Раушская наб.,д.4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент ",г.ужгород, ул.Проектная,4

1 11574

Изобретение относится к способам определения качества кристаллов кварца и может быть использовано для контроля кристаллов кварца в радиотехнической и электронной промышленности 4

Известен способ оценки величины добротности & кристаллов кварца, включающий измерение поглощения ИКизлучения и определение добротности !б кристалла по результатам измерений

N.

Недостатком способа является большой разброс получаемых значений добротности во всем измеряемом диапа- lg зоне параметров.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ определения добротности 3 кристаллов искусственного кварца, включающий 2р измерение поглощения кристаллом

ИК-излучения и определение добротности по результатам измерений Pj ..

Недостатком известного способа является низкая точность определения 25 добротности кристаллов..

Цель изобретения - повышение точности определения добротности кристаллов искусственного кварца.

Поставленная цель достигается тем что согласно способу определения добротности кристаллов искусственного кварца, включающему измерение поглощения кристаллом ИК-излучения и определение добротности крис35 талла по результатам измерений, измеряют площадь диффузной полосы поглощения кристалла с Максимумом в области 3400 см .

Независящий от температуры уровень акустических потеоь Й определяется

12 2 только концентрацией неструктурных включений, содержащих гидроксильные группы и алюмосиликаты. В отличие от других методов в предлагаемом способе проведена наиболее точная оценка концентрации гидроксильных групп в составе неструктурных включений по площади диффузной полосы с максимумом на частоте 3400 см . Прн определении площади данной полосы необходимо на спектре выделить обертон

3300 см . Уровень поглощения,от которого отсчитывается величина диф. фузной полосы, определяется уровнем поглощения в районе 3000-3100 см

-1 если седловая точка в области

3250 см1 находится выше этого уровня, и проходит через седловую точку у 3250 см, если она находится на одном уровне нли ниже уровня

Ф поглощения в. районе 3000-3100 см .

Полученная зависимость средней добротности В от площади диффузной он полосы k имеет в отличие от нае р других методов значительно больший коэффициент корреляции и поэтому может использоваться для количеств венной оценки величины добротности

° ОН -г кварца в диапазоне к„е,р) 20 см

Дпя кристаллов со значением

1(о" и 20 см (Оы ) 5 ° 10 ) погрешиесо ность определения добротности данным способом сильно возрастает.

Таким образом, по сравнению с известным способом определения добротности кристаллов искусственного кварца предлагаемый способ позволяет повысить точность определения в интервале 5 ° !О Х 2 10