Однополосный модулятор свч

Однополосный модулятор свч

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОДШНОЛрЙЙЙ :MOflyJ18fOi СВЧ, содержа ttefvy йект чеекую подлояосу с нацесея «а ее первой «стороне мсетафшэации , в котором BbBiOBitemi aeySK и второй кольцевью отреэ|си целевых линий, сбепииеЯЕяме отрезком щелевой линии, к кр«як которого одной своей atxiMoniatsttae по) ключей первый jDEИoдml i«DClr, другая диагональ которого лодр1сл {ё«а к сяо еталлиэащт внутри; первого и второго кольЦе мх отреэксю цеяевьос лнянй а на стороне первой диэлектрической ПОЯ ЮЯЕКН расположены микрополосковый KBitiflj «Typный иаправлеишлй отаетаитель -ttef вое плечо которого яйляется входом модулятора, подкт ено к согласованной нагрузке, а третье и четвертое пяечй подкат 1ены соответст1йенно к первому и второму микрополосковым элементам связи с первьм и вторым кольцевьвш отрезками щелевых линий, и третий 14ИКРОПОЛОСКОВЫЙ элемент связи с третьим отрезком щелевс линии, который является выходом модулятора, отличающий с я тем, что, с целью; расширения полосы рабочих частот и увеличения диншшческого диапазона,в него дoпoлhиtвльнo введены второй диодный мост и идентичная первс диэлектрической подложке вторая диэлектрическая подложка, которая первой своей стороной совмещена с второй стороной первой диэлектрической подложки, а на вторую ее сторону «анесеи дополнительный слой металлизации, в котором эеркалынр первому и второму кольцевьм отрезка щелевых линий и третьему отрезку щелевой линии вшюлнены соответственно четверть } и пятый кольцевые отрезки щелевых линий . ffi и аест отрезок щелевой линии, |фи этом первый и второй диодные мосты вш1юлиены по кольцевой схеме, Л одна диагональ второго диодного ю :д моста подключена к краям шестого отрезка 1 левоЙ линии, другая его диагональ подключена к дополнительноадг слсмо металлизации внутри четвертого и пятого кольцевых отрезков ,1е|еЛевой линии, а слой метаплизацни и дополнительнь слой металлизации виут,ри первого и четвертого, второго И пятого кольцевых отрезков щелевой линии гальванически соединены между собой.

СОЮЭ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (l 9) (31) (э1). Н 03 С 7 02//Н 04 В 1/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ В

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ д,... уд : 3 ажА

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТЗЖЬЙЪЙ с (21) 3690361/24-09 (22) 11. 01. 84 (46) 07.06.85. Бюл. Ф 21 (72) Е.M.Âoðîáüåâñêíé, И.В.Литвинен; ко, В.И.Гвоздев:и В.А.Веиетина (53) 621.376.223(088..8) (56) Вен R. На1Ногй. Single .- sidebind mixers for communications

sistems. ?БЕЕ ИТТ-3. lnternatioпа1 Microwave Symposium Digest.

Dallas 1982. Fig. 2а, р. 31.

Gysel V.Н. MIC Jmage - reject

and Enhancement. Mimesis Юог, Radio-1ий Applications. Proc.. of

11 th Europ. Microwave Conference, 1981, р; 203-208 (нротвёщФ),.(54) (57) ОДНОПОЖК;НЦЩ .ИОЛУНЯТМ

СВЧ, . содержащий аервуа днэлектрз ° ческую подложку с нанесенным на ее первой стороне слоем метацлизации, в .котором ввкюлнены первый и второй колъцевые отрезки щелевых линий, соединенные.третьим отрезком щелевой линии, к краям которого одной сваей диагональю подключен первый днодный иост, другая диагональ которого. подключена к слов иеталлнзации внутри, верного н второго кОлъцВвын Отрезков щеле вых линий, а на второй стороне первой диэлектрической нодлонки расположены мнкронолосковый ннадратурный направленный ответвнтень, пеувое плечо которого являетс» входои модулятора, второе плечо подключено к согласованной нагрузке, а третье и четвертое плечи подключены соответственно к первому и второму иикрополосковъи элементам связи с первым и вторыи колъцевмии отрезками щелевых линий, и третий микрополосковый элемент связи с третьим отрезком щелевой линни, который является выходои иОдулятора, . о т л и ч а в щ н и с я тем, что, . с целью расанрения полосы рабочих частот и увеличения динамического диапазона,в него дополнительно введены второй диодный мост н.идентичная первой диэлектрической подложке вторая диэлектрическая подложка, которая первой своей стороной совмещена с второй стороной первой диэлектрической подложки, а на вторую .ее сторону нанесен дополнительный слой металлиэации, в которои зеркально первому и второму колъцевыи отрезкам щалевых линий н третьему отрезку щелевой линии выполнены соответственно четвертый н пятый коаьцевые отрезки щелевых линий . и вестой отрезок щелевой линни, нри этом первый и второй диодные мосты выполнены:по кольцевой схеме, одна диагональ второго диодного моста подключена к краям вестого отрезка щелевой линии, другая его диагональ подключена к донолннтельному слов металлнзации внутри четвертого и пятого кольцевых отрезков .щелевой лк»ни, а слой металлизацни н дополнительный слой металлизации внутри первого и четвертого, второго и пятого кольцевых отрезков щелевой линии гальванически соединены между собой.

1 11605

Изобретение относится к области радиотехники СВЧ, а именно к амплитудным модуляторам с фазовым подавлением несущей и одной боковой полосы, и может быть использовано в 5. аппаратуре связи, телевидения, изме рительной техники.

Целью изобретения является расширение полосы рабочих частот и увеличение динамического диапазона, 10

На фиг. 1 изображен однополосный модулятор СВЧ, общий вид, (диэлектрик условно показан прозрачным); на фиг. 2 — то же, поперечное сечение в корпусе, на фиг. 3 — вид А на 1I5 фиг. 2; на фиг, 4 — вид Б на фиг. 2.

Однополосный модулятор СВЧ содер-. жит первую и вторую диэлектрические подложки 1 и 2, на первую и вторую 2п стороны которых нанесен соответственно слой 3 металлизации и дополнительный слой 4 металлизации, первый и второй кольцевые отрезки щелевых линий 5 и 6, третий отрезок щелевой линии 7, четвертый и пятый кольцевые отрезки щелевых линий 8 и 9, шестой отрезок щелевой линии 10, первый и второй диодные мосты 11 и 12, микрополосковый квадратурный направленный ответвитель 13 с первым, вторым, третьим и четвертым плечами 1417, первый, второй и третий микрополосковые элементы связи 18-20, согласованную нагрузку 21 централь35 ные проводники 22 и 23 отрезков коаксиальных.линий 24 и 25, которые являются входами модулирующих сигналов, металлические перемычки 26 и 27 (на фиг. 1 показаны штриховыми линиями).

Однополосный модулятор СВЧ работает следующим образом.

Сигнал СВЧ несущей поступает на первое плечо 14 микрополоскового квадратурного направленного ответвителя 13 и с равными амплитудами и фазовьм сдвигом 90" подводится к первому и второму микрополосковым элементам связи 18 и 19.

25 2

Модулирующий сигнал с равными амплитудами и фазовым сдвигом на 90 поступает на отрезки коаксиальных линий 24 и 25 и через слой 3 металлизации подводится к диагонали первого диодного моста 1 1, а через металлические перемычки 26 и 27 и дополнительный слой 4 металлизации подводится к диагоналям второго диодного моста 12. Взаимодействие сигнала СВЧ несущей с периодически изменяющимися под действием модулирующего сигнала проводимостями диодов в первом и втором диодных мостах 11 и 12 приводит к балансной амплитудной модуляции. сигнала

СВЧ несущей. Полярность включения диодов, а также фазовые. соотношения для модулирующего сигнала и сигнала СВЧ несущей таковы, что на третьем микрополосковом элементе 20 связи, являющимся выходом устройства, электромагнитные колебания нижней боковой полосы частот от соответствующих пар диодов первого и второго диодных мостов 11 и 12 оказываются в фазе и складываются, а верхней боковой полосы частот — в противофазе и вычитаются, т.е. данный модулятор является однополосным модулятором. Развязка входа н выхода однополосного модулятора СВЧ достигается благодаря синфазному и противофазному возбуждению первого и четвертого кольцевых отрезков щелевых линий 5 и 8 и второго и пятого кольцевых отрезков щелевых линий 6 и 9 со стороны первого и второго микрополосковых элементов 18 и 19 связи и со стороны третьего и шестого отрезков щепевых линий 7 и 10 соответственно.

Вход модулирующего сигнала развязан от входа и выхода однополосного модулятора СВЧ, так как электромагнитные колебания в первом, втором, четвертом и пятом кольцевых отрезках щелевых линий передачи не возбуждают колебания в отрезках коаксиальных линий 24.и 25.

1160525

1160525

Составитель Ю.Данич

Хехред 3 „Палий Корректор Г. Решетник

Редактор П Коссей

Филиал ППП "Патент", r.Óàãîðoä, ул,Проектная, 4

Заказ 3840/52 . Тирам 872 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5